一种芯片温度循环老化测试台的基座制造技术

技术编号:37779982 阅读:18 留言:0更新日期:2023-06-09 09:10
本发明专利技术一种芯片温度循环老化测试台的基座涉及芯片桌面级高温老化测试技术领域;所述基座包括:基座体、滑槽、正反牙丝杆和丝杆电机;将其用于老化测试台,能够同时测试两个芯片,通过滑座和连接架使加热插座和降温插座交替与两个测试芯片接触,期间加热插座没有热量损失,在对另一个芯片升温时,升温速度更快,降温插座与芯片间没有加热棒,且与芯片更近,降温速度快,缩短温度循环时间,提高测试效率;将其用于老化测试方法,通过将两个待测芯片交替与加热插座和降温插座接触,避免在降温时加热插座温度随之降低,同时采用更高效的降温插座,降温速度快,提高了温度循环老化测试效率。提高了温度循环老化测试效率。提高了温度循环老化测试效率。

【技术实现步骤摘要】
一种芯片温度循环老化测试台的基座


[0001]本专利技术一种芯片温度循环老化测试台的基座涉及芯片桌面级高温老化测试


技术介绍

[0002]芯片的高温老化测试,是将芯片加热至其工作温度,或高于工作温度的状态下,测试芯片的耐受性和可靠性,从而在早期发现芯片的故障,对于产品质量的监督、高质量芯片的筛选等具有重要意义。
[0003]而芯片温度循环老化测试是芯片高温老化测试的一种,其通过将芯片加热后,进行降温,降温后再进行加热,如此循环的测试方式进行。
[0004]在实验室环境中,目前是采用桌面级的测试插座对芯片进行高温老化测试,测试插座包括一用于控制温度的上盖和与上盖铰接连接的底座构成,上盖内芯片的上方设置有加热棒,加热棒的上方设置有用于控制温度的风扇。在进行温度循环老化测试时,通过加热棒进行加热,在加热后通过风扇进行降温,由于风扇位置远离芯片,散热速度慢,同时由于风扇将加热棒的热量散发,再进行加热时,加热棒重新升温,使升温时间增加,进而使一个温度循环的时间增加,导致进行温度循环老化测试时的效率降低。

技术实现思路

[0005]针对现有的测试插座在进行温度循环老化测试时效率降低的技术不足,本专利技术提供了一种芯片温度循环老化测试台的基座,将其用于芯片温度循环老化测试台及测试方法,能够缩短一个温度循环的时间,从而提高温度循环老化测试时的效率。
[0006]为实现上述目的,本专利技术提供如下技术方案:一种芯片温度循环老化测试台的基座,包括:基座体、滑槽、正反牙丝杆和丝杆电机,所述基座体上与滑座对应设置有四个滑槽,基座体的底部相互垂直设置有两个正反牙丝杆,每个正反牙丝杆连接有一个丝杆电机,所述滑座的底部穿过滑槽后与正反牙丝杆连接;所述芯片温度循环老化测试台包括:基座、滑座、连接架、加热插座、降温插座和芯片座,所述基座上滑动设置有四个滑座,四个所述滑座的滑动方向分别为以基座中心为起点的上、下、左和右四个方向,相邻两个滑座之间均设置有一个连接架,每个连接架的两端均与其两侧的滑座转动连接,四个所述连接架其中的两个连接架上分别设置有加热插座和降温插座,剩余两个连接架上均设置有芯片座,且两个设置有芯片座的连接架不相邻设置。
[0007]上述的一种芯片温度循环老化测试台的基座,所实现的芯片温度循环老化测试方法包括以下步骤:步骤a,芯片固定:将第一芯片和第二芯片分别放置在两个芯片座内,并调整加热插座和降温插座的高度;步骤b,第一芯片加热:通过基座移动两个水平方向的滑座远离,同时使两个垂直
方向的滑座靠近,直至加热插座与第一芯片所在的芯片座接触,并通过加热插座对第一芯片进行升温,此时降温插座与第二芯片所在的芯片座接触,并通过降温插座对第二芯片进行降温;步骤c,第二芯片加热:通过基座移动两个水平方向的滑座靠近,同时使两个垂直方向的滑座远离,直至加热插座与第二芯片所在的芯片座接触,并通过加热插座对第二芯片进行升温,此时降温插座与第一芯片所在的芯片座接触,并通过降温插座对第一芯片进行降温;步骤d,温度循环:重复步骤b和步骤c,直至测试完成。
[0008]与现有技术相比,本专利技术提供了一种芯片温度循环老化测试台及测试方法,具备以下有益效果:本专利技术提供了一种芯片温度循环老化测试台的基座,将其用于芯片温度循环老化测试台,能够同时对两个芯片进行测试,通过滑座和连接架使加热插座和降温插座交替与两个测试芯片接触,期间加热插座没有热量损失,在对另一个芯片进行升温时,升温速度更快,降温插座与芯片间没有加热棒,且与芯片距离更近,降温速度快,使一个温度循环的时间更短,提高了温度循环老化测试时的效率;将其用于芯片温度循环老化测试方法,通过将两个待测芯片交替与加热插座和降温插座接触,避免在降温时加热插座温度随之降低,使加热时升温速度慢,同时采用更高效的降温插座进行降温,降温速度快,提高了温度循环老化测试时的效率。
附图说明
[0009]图1为本专利技术测试台的整体结构示意图;图2为测试台为第一芯片加热时的结构示意图;图3为测试台为第二芯片加热时的结构示意图;图4为图1中的基座的结构示意图;图5为图1中的加热插座的结构示意图;图6为加热插座侧面结构示意图;图7为图1中的降温插座的结构示意图;图8为图1中的芯片座的结构示意图。
[0010]其中:1、基座;2、滑座;3、连接架;4、加热插座;5、降温插座;6、芯片座;1

1、基座体;1

2、滑槽;1

3、正反牙丝杆;1

4、丝杆电机;4

1、加热插座体;4

2、加热棒;4

3、控温风扇;4

4、调整环;4

5、加热插座滑杆;4

6、加热插座弹簧;5

1、降温插座体;5

2、降温风扇;5

3、调整圈;5

4、降温插座滑杆;5

5、降温插座弹簧;6

1、芯片槽;6

2、导热板;6

3、勾爪。
具体实施方式
[0011]下面将结合附图对本专利技术具体实施方式作进一步详细描述。
具体实施方式1
[0012]以下是一种芯片温度循环老化测试台的具体实施方式。
[0013]结合图1至图3所示,本实施例公开的一种芯片温度循环老化测试台,包括:基座1、
滑座2、连接架3、加热插座4、降温插座5和芯片座6,所述基座1上滑动设置有四个滑座2,四个所述滑座2的滑动方向分别为以基座1中心为起点的上、下、左和右四个方向,相邻两个滑座2之间均设置有一个连接架3,每个连接架3的两端均与其两侧的滑座2转动连接,四个所述连接架3其中的两个连接架3上分别设置有加热插座4和降温插座5,剩余两个连接架3上均设置有芯片座6,且两个设置有芯片座6的连接架3不相邻设置。
[0014]结合图1和图2所示,通过基座1控制四个滑座2移动,在两个垂直方向上的滑座2相互靠近并接触后,加热插座4与第一芯片接触,对其进行加热,同时降温插座5与第二芯片接触,对其进行散热。
[0015]结合图1和图3所示,通过基座1控制四个滑座2移动,在两个水平方向上的滑座2相互靠近并接触后,加热插座4与第二芯片接触,对其进行加热,同时降温插座5与第一芯片接触,对其进行散热。
[0016]通过重复该过程,实现第一芯片与第二芯片交替与加热插座4和降温插座5接触,对两个芯片同时进行升温和降温,实现对两个芯片同时进行芯片温度循环老化测试。
[0017]在测试过程中,加热插座4在第一芯片与第二芯片之间切换,期间加热插座4的温度没有降低,使其对芯片的加热速度提高;降温插座5由于与芯片的距离更近,且不需要为加热棒降温,使其降温效率更高,降温速度提高;从而缩短了一个温度周期的时间,提高了芯片温度循环老化测试的效率。
[0018]具体地,结合图本文档来自技高网
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种芯片温度循环老化测试台的基座,其特征在于,包括:基座体(1

1)、滑槽(1

2)、正反牙丝杆(1

3)和丝杆电机(1

4),所述基座体(1

1)上与滑座(2)对应设置有四个滑槽(1

2),基座体(1

1)的底部相互垂直设置有两个正反牙丝杆(1

3),每个正反牙丝杆(1

3)连接有一个丝杆电机(1

4),所述滑座(2)的底部穿过滑槽(1

2)后与正反牙丝杆(1

3)连接;所述芯片温度循环老化测试台包括:基座(1)、滑座(2)、连接架(3)、加热插座(4)、降温插座(5)和芯片座(6),所述基座(1)上滑动设置有四个滑座(2),四个所述滑座(2)的滑动方向分别为以基座(1)中心为起点的上、下、左和右四个方向,相邻两个滑座(2)之间均设置有一个连接架(3),每个连接架(3)的两端均与其两侧的滑座(2)转动连接...

【专利技术属性】
技术研发人员:金永斌王强贺涛丁宁朱伟章圣达陈伟
申请(专利权)人:法特迪精密科技苏州有限公司
类型:发明
国别省市:

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