一种高温老化测试插座的循环结构制造技术

本发明专利技术高温老化测试插座的循环结构涉及芯片高温老化测试技术领域；包括升温缸体和降温缸体，升温缸体通过油管与接触罩的一端连通，降温缸体通过油管与接触罩的另一端连通，升温缸体用于存储并加热导热油至温度高于设定的高温温度，降温缸体用于存储并冷却导热油至温度低于设定的常温温度，在将升温缸体内的温度高于设定的高温温度的导热油推入接触罩内的同时，接触罩内的设定的常温温度的导热油被吸入降温缸体内，在将降温缸体内的温度低于设定的常温温度的导热油推入接触罩内的同时，接触罩内的设定的高温温度的导热油被吸入升温缸体内；将其应用于高温老化测试插座，能够实现快速调节，适应更多封装芯片，提高测试效率

【技术实现步骤摘要】
一种高温老化测试插座的循环结构


[0001]本专利技术涉及芯片高温老化测试
，具体为一种高温老化测试插座的循环结构
。

技术介绍

[0002]集成电路高温老化测试
HTSL
是消费电子
、
车规级封装
、
军用品等器件不可缺少的测试环节
。
芯片的高温老化测试，是将芯片加热至其工作温度，或高于工作温度的状态下，测试芯片的耐受性和可靠性，从而在早期发现芯片的故障，对于产品质量的监督
、
高质量芯片的筛选等具有重要意义
。
[0003]常见的高温老化测试设备有老化炉
、
测试插座和测试板，其中测试插座是一种常用的芯片高温老化测试工具，具有体积小
、
可移动
、
安装及配套设施要求低等优点
。
[0004]现有的测试插座主要包括：上盖
、
转环
、
底座和芯片压块，上盖与底座的一侧铰接连接，转环转动设置在上盖上，底座用于装载芯片，而芯片压块内部设置有用于升温的加热棒，芯片压块通过其底部与芯片上表面接触，对芯片进行加热测试
。
[0005]但是，在实际使用中，现有的测试插座仍存在以下不足：第一，在对芯片进行装载时是通过转动转环使芯片压块升降，从而使芯片压块的下表面与芯片贴合；而现有的芯片由于封装不同，芯片压块需要下降的高度也不相同，即转环需要转动的角度不同，导致现有的测试插座对不同封装的芯片适应性差；第二，在进行温度循环老化测试时，需要对芯片进行加热
、
散热的循环操作，使芯片的温度在高温
‑
常温
‑
高温之间循环，但是，一个循环周期的时间较长，导致在进行温度循环老化测试时的效率低
。

技术实现思路

[0006]针对现有的测试插座对不同封装芯片适应性差以及温度循环老化测试效率低的技术不足，本专利技术提供了一种高温老化测试插座的循环结构，将其应用于高温老化测试插座，能够实现快速方便的调节，并能够适应更多封装的芯片，提高温度循环老化测试效率
。
[0007]为实现上述目的，本专利技术提供如下技术方案：一种高温老化测试插座的循环结构，包括：升温缸体和降温缸体，所述升温缸体通过油管与接触罩的一端连通，所述降温缸体通过油管与接触罩的另一端连通，所述升温缸体用于存储并加热导热油至温度高于设定的高温温度，所述降温缸体用于存储并冷却导热油至温度低于设定的常温温度，所述升温缸体和降温缸体的设置满足：在将升温缸体内的温度高于设定的高温温度的导热油推入接触罩内的同时，接触罩内的设定的常温温度的导热油被吸入降温缸体内，在将降温缸体内的温度低于设定的常温温度的导热油推入接触罩内的同时，接触罩内的设定的高温温度的导热油被吸入升温缸体内
。
[0008]进一步地，所述循环结构还包括：活塞杆，所述升温缸体和降温缸体背对设置，且升温缸体和降温缸体内部均设置有活塞，所述的活塞杆的两端分别与升温缸体和降温缸体
内部的活塞连接，且在升温缸体内部的活塞位于缸体行程起点位置时，降温缸体内部的活塞位于缸体行程终点位置，在升温缸体内部的活塞位于缸体行程终点位置时，降温缸体内部的活塞位于缸体行程起点位置
。
[0009]进一步地，所述循环结构还包括：散热扇和加热丝，所述的降温缸体设置有若干个，所述的散热扇设置在若干个所述的降温缸体的底部，所述加热丝设置在升温缸体外侧
。
[0010]进一步地，若干个所述的降温缸体的内部容积与升温缸体的容积相同
。
[0011]与现有技术相比，本专利技术提供了一种高温老化测试插座及测试方法，具备以下有益效果：本专利技术一种高温老化测试插座，通过在芯片压块的底部设置接触罩，接触罩套设在芯片压块的下端，所述接触罩的底部为用于与芯片上表面接触的平面，接触罩的开口固定连接在芯片压块底部的侧边上，且接触罩与芯片压块底部的侧边构成一缓冲腔，接触罩与芯片压块的底面间留有间隙，该间隙内填充有导热油，由此结构，能够实现，在对芯片进行装载后，芯片压块的底部与芯片上表面共同对接触罩挤压，接触罩内部的导热油向外侧流动至缓冲腔，使接触罩发生纵向形变，在将不同封装的芯片进行老化测试时，接触罩能够通过不同程度的发生形变，对不同封装的芯片进行适应，在不需要改变芯片压块限定位置的前提下，能够通过接触罩的变形，对不同封装芯片的高度在接触罩变形范围内进行适应，提高了测试插座对不同封装的芯片适应性
。
[0012]本专利技术一种高温老化测试插座，通过在转把的转动路径上设置若干个间隔设置的固定孔，固定孔内设置有用于限制转把最大转动角度的柱销，接触罩随芯片压块向下移动并与芯片表面接触后，接触罩能够产生形变对芯片的高度进行适应，所述固定孔的间距与接触罩能够产生的最大形变对应设置，由此结构，能够实现，在使用时，通过将不同封装的芯片需要芯片压块下降的高度与多个接触罩能够产生变形的最大距离对比，确定柱销的位置，在接触罩的变形距离无法满足芯片时，通过改变柱销的位置，能够调整转把的最大转动角度，从而使芯片需要芯片压块下降的高度落入调整后的接触罩变形范围内，从而使插座对不同封装的芯片适应范围扩大
。
[0013]本专利技术一种高温老化测试插座的循环结构，包括：升温缸体和降温缸体，所述升温缸体通过油管与接触罩的一端连通，所述降温缸体通过油管与接触罩的另一端连通，由此结构，能够实现，通过降温缸体将内部温度低于设定的常温温度的导热油推入接触罩内，吸收芯片的热量，使芯片的降温速度加快，通过升温缸体将内部温度高于设定的高温温度的导热油推入接触罩内，对芯片进行加热，使芯片的升温速度加快，在升温阶段和降温阶段均通过循环结构8辅助进行，使芯片升温阶段和降温阶段的时间缩短，使一个温度循环周期时间缩短，从而提高了芯片温度循环老化测试的效率
。
[0014]4、
本专利技术一种高温老化测试插座的测试方法，包括步骤：步骤
a
，芯片加热；步骤
b
，辅助降温；步骤
c
，辅助升温；步骤
d
，循环测试；在高温循环老化测试过程中，使芯片升温阶段和降温阶段的时间缩短，使一个温度循环周期时间缩短，从而提高了芯片温度循环老化测试的效率
。
附图说明
[0015]图1为本专利技术高温老化测试插座的结构示意图；
图2为图1中的接触罩的结构示意图；图3为图2中的接触罩变形后的结构示意图；图4为上盖的结构示意图；图5为固定孔的位置示意图；图6为固定孔的选择原理示意图；图7为支撑条的结构示意图；图8为循环结构的原理示意图；图9为循环结构的具体结构示意图；图
10
为本专利技术的温度循环老化测试方法的流程图
。
[0016]其中：
1、
芯片压块；
2、
转把；
3、
接触罩；
4、
支撑条；本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.
一种高温老化测试插座的循环结构，其特征在于，包括：升温缸体（8‑1）和降温缸体（8‑2），所述升温缸体（8‑1）通过油管与接触罩（3）的一端连通，所述降温缸体（8‑2）通过油管与接触罩（3）的另一端连通，所述升温缸体（8‑1）用于存储并加热导热油至温度高于设定的高温温度，所述降温缸体（8‑2）用于存储并冷却导热油至温度低于设定的常温温度，所述升温缸体（8‑1）和降温缸体（8‑2）的设置满足：在将升温缸体（8‑1）内的温度高于设定的高温温度的导热油推入接触罩（3）内的同时，接触罩（3）内的设定的常温温度的导热油被吸入降温缸体（8‑2）内，在将降温缸体（8‑2）内的温度低于设定的常温温度的导热油推入接触罩（3）内的同时，接触罩（3）内的设定的高温温度的导热油被吸入升温缸体（8‑1）内
。2.
根据权利要求1所述的一种高温老化测试插座，其特征在于，所述循环结构（8）还包括：活塞杆（8‑3），所述升温缸体（8‑1）和降温...

【专利技术属性】
技术研发人员：金永斌，王强，贺涛，丁宁，朱伟，章圣达，陈伟，
申请(专利权)人：法特迪精密科技苏州有限公司，
类型：发明
国别省市：