本发明专利技术是关于一种扼流线圈，包括一磁性中柱、一线圈以及磁性材料。磁性中柱具有一第一导磁率，第一导磁率约介于３５０至１２００之间；线圈缠绕于中柱；磁性材料包覆线圈且具有一第二导磁率，第一导磁率大于第二导磁率，第二导磁率约介于５至３０之间。本发明专利技术的扼流线圈利用适当选用中柱与磁性材料的导磁率范围，可使扼流线圈具有较佳的饱和特性及较大的可应用电流。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种被动元件，特别是涉及一种扼流线圈。
技术介绍
如图1A及图1B，公知组合式扼流线圏(Choke Coil)100包括一鼓状中 柱(DrumCore) 110、 一线圈120以及一外壳130。鼓状中柱110包括中间柱 112及连接于其两端的上柱111与下柱113;线圈120套设于鼓状中柱110; 外壳130包覆线圈120及鼓状中柱110,且线圈120与外壳130之间及中柱 110与外壳130之间具有一空气间隙t。当鼓状中柱110设置于扼流线圈100 中央时，电感值为4.45uH;而当鼓状中柱110偏移且接触外壳130时(如图 1C),电感值为6.44uH;由此可知，鼓状中柱110的位置改变将造成间隙t 变化，而使电感值产生明显的变化。因此生产过程时，需对鼓状中柱110 进行精密的定位步骤，使间隙t固定，以确保才厄流线圈IOO具有固定的电感 值；然定位步骤会增加生产步骤，使生产成本提高。再者，空气间隙t会造 成通过中柱110及屏蔽的磁通密度衰减，造成电感量下降。而且，组合式 扼流线圏100仅可通过改变线圏圈数及中柱尺寸两个参数来改变电感值， 所以，调整电感值时容易受限。公知压缩成型式(Compression Molding Type)扼流线圏，如美国专利第 6,204,744号，将中空线圏及粉末状磁性材料置于一成型模具的模穴中，再 施加压力以成型。然成型压力通常很高且中空线圏本身无法得到足够的支 撑，因此，于成型过程中容易造成线圈外覆的绝缘层脱落，而使扼流线圈 发生层间短路的问题。有鉴于上述现有的组合式纟厄流线圈存在的缺陷，本专利技术人基于从事此 类产品设计制造多年丰富的实务经验及专业知识，并配合学理的运用，积 极加以研究创新，以期创设一种新型结构的4厄流线圏，能够改进一般现有 的组合式^^流线圏，使其更具有实用性。经过不断的研究、设计，并经过 反复试作4羊品及改进后，终于创设出确具实用价值的本专利技术。
技术实现思路
本专利技术的主要目的在于，克服现有的扼流线圏存在的缺陷，而提供一 种新型结构的扼流线圏，所要解决的技术问题是使其利用适当选用中柱与 磁性材料的导磁率范围，可使扼流线圈具有较佳的饱和特性及较大的可应 用电流，乂人而更加适于实用。3本专利技术的目的及解决其技术问题是采用以下技术方案来实现的。依据本专利技术提出的一种扼流线圈，包括 一磁性中柱，具有一第一导^f兹率，该 第一导磁率约介于350至1200之间 一线圈，》座绕于该磁性中柱；》兹性 材料，包覆该线圏且具有一第二导磁率，该第一导磁率大于该第二导磁率， 该第二导磁率约介于5至30之间；以及一电才及部，连接于该线圈的两端。 本专利技术的目的及解决其技术问题还可采用以下技术措施进一步实现。 前述的抓流线圈，其中所述的磁性材料是藉由一射出成型制程包覆该 线圈，且该线圈与该磁性材料之间完全接触。前述的4厄流线圈，其中所述的磁性材料包括一树脂材料以及一磁性粉 状材料，该树脂材料可选自聚酰胺6 (PA6)、聚酰胺12(PA12)、聚苯硫醚 (PPS)、聚对苯二曱酸丁二酯(PBT)或乙烯-丙烯酸乙酯共聚物(EEA)其中之前述的扼流线圈，其中所述的磁性粉状材料包括一金属软磁材料或一 铁氧体(Ferrite)。前述的才厄流线圈，其中所述的金属软;兹材料包括铁4分(Iron)、铁铝硅合 金(FeAlSi Alloy)、铁铬硅合金(FeCrSi Alloy)或不锈钢。前述的扼流线圈，其中所述的中柱是由一铁氧体(Ferrite)软磁材料所制成。前迷的才厄流线圈，其中所述的中柱为一鼓状中柱(Drum Core),该鼓状 中柱包括一上柱、 一中间柱以及一下柱，该上柱与该下柱具有相同的一第 一宽度与一第一厚度。前迷的扼流线圈，其中所述的中间柱具有一第二宽度，该第二宽度与 该第一宽度的比例约介于0.367至0.667之间。前述的扼流线圈，其中所述的中间柱具有一第二厚度，该第一厚度与 该第二厚度的比例约介于0.3至0,667之间。前逸的4厄流线圈，其中所述的上柱、中间柱及下柱之间形成一绕线空 间，该线圈及该磁性材料容置于绕线空间内。本专利技术与现有技术相比具有明显的优点和有益效果。由以上可知，为了 达到上迷目的，本专利技术提供了一种扼流线圈包括一磁性中柱、 一线圈以及 磁性材料，其中，磁性中柱具有一第一导磁率，第一导磁率约介于350至 1200之间，线图缠绕于中柱，磁性材料包覆线圈且具有一第二导磁率，第 一导石兹率大于第二导磁率，第二导磁率约介于5至30之间。借由上述技术方案，本专利技术扼流线圈至少具有下列优点1 )本专利技术的一种扼流线圈，不需进行中柱的精密定位，藉以简化生产 步骤；2)本专利技术的一种扼流线图，在填充磁性材料时，线圏可得到足够的支4撑，藉以改善线圈的层间短路的问题；3) 本专利技术的一种扼流线圈，制造过程中不需承受高成型压力，藉以可 提升制程稳定性及产品信赖性；4) 本专利技术的一种扼流线圈，可增加调整电感值的参数，使调整电感值 较不易受限。上述说明仅是本专利技术技术方案的概述，为了能够更清楚了解本专利技术的 技术手段，而可依照说明书的内容予以实施，并且为了让本专利技术的上述和 其他目的、特征和优点能够更明显易懂，以下特举较佳实施例，并配合附 图，详细i兑明如下。附图说明图1A显示公知组合式扼流线圈的立体示意图。图1B显示图1A组合式扼流线圈的剖面示意图。图1C显示图1A的中柱偏移后的扼流线圈的立体示意图。图2A显示本专利技术一实施例的扼流线圈的立体示意图。图2B显示图2B扼流线圈的剖面示意图。图2C显示图2A扼流线圈的第二导磁率与电感值的关系图。图3A显示本专利技术另 一实施例的扼流线圏的立体示意图。图3B显示图3A扼流线圏的剖面示意图。图3C显示图3A扼流线圈的第二导磁率与电感值的关系图。图4显示不同树脂材料的特性图。图5显示公知与本专利技术的磁场与磁通密度关系图。图6显示公知与本专利技术的电流与电感值关系图。图7显示图3A的中柱的剖面示意图。图8显示本专利技术另 一电流与电感值的关系图。<table>table see original document page 5</column></row><table>c:第一厚度 d:第二厚度t:间隙 ul:第一导f兹率U2:第二导磁率具体实施例方式为更进一步阐述本专利技术为达成预定专利技术目的所采取的技术手段及功 效，以下结合附图及较佳实施例，对依据本专利技术提出的扼流线圈其具体实施 方式、结构、特征及其功效，详细说明如后。如图2A及图2B，本专利技术一较佳实施例的扼流线圈200包括一磁性中 柱210、 一线圏220、石兹性材料230及二电极部240。中柱210具有一第一 导磁率(permeability)ul。导磁率定义为磁化曲线上，磁场强度(H)趋近于零 时的磁通密度(B )和磁场强度(H)的比值，且采用cgs制。中柱210由一上 柱211、 一中间柱212以及一下柱213形成一鼓状中柱(Drum Core),且上 柱211、中间柱212及下柱213具有圓形截面。上柱2U、中间柱212及下 柱213之间形成一绕线空间214。线圈220缠绕于中柱210的中间柱212并 容置于绕线空间214内。磁性材料230包覆线圏220并置本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种扼流线圈，其特征在于其包括： 一磁性中柱，具有一第一导磁率，该第一导磁率介于３５０至１２００之间： 一线圈，缠绕于该磁性中柱； 磁性材料，包覆该线圈且具有一第二导磁率，该第一导磁率大于该第二导磁率，该第二导磁率介于５至 ３０之间；以及 一电极部，连接于该线圈的两端。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：谢明家，黄逸珉，谢蓝青，王永健，
申请(专利权)人：乾坤科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]
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