一种用于FCBGA的MLO的加工方法及其产品技术

本发明专利技术涉及一种用于FCBGA的MLO的加工方法及其产品，包括采用如下步骤：第一次PTH、前处理、第一次压膜、第一次曝光、第一次显影、电镀铜、第一次去膜、第一次闪蚀、压ABF、镭射、除胶、第二次PTH、第二次压膜、第二次曝光、第二次显影、填孔电镀、电金、第二次去膜、第二次闪蚀，加工方法简单。本发明专利技术加工方法简单、合理，操作方便，通过将pad引出至外层，使线路至于次外层，以镭射的方式将外层与次外层连通，从而减少探针误扎线路的风险，增加探针与pad的接触面，从而提高测试精度与成功率。从而提高测试精度与成功率。

【技术实现步骤摘要】
一种用于FCBGA的MLO的加工方法及其产品


[0001]本专利技术涉及芯片封装
，尤其是一种用于FCBGA的MLO的加工方法及其产品。

技术介绍

[0002]FCBGA(倒装芯片球格栅阵列)是一种芯片的封装方式，MLO为基板，在基板加工的过程中，由于油墨在印刷时容易存在油墨不均的情况，使探针测量pad(焊盘)会低于油墨，导致探针无法与pad正常接触；
[0003]因此现有的技术为在pad上涨铜柱，增加pad的高度，使得pad与探针能够接触到，现有技术缺点：在pad上涨铜柱成功率低，同时容易造成线路短路的风险。
[0004]为此我们提出一种用于FCBGA的MLO的加工方法及其产品。

技术实现思路

[0005]本申请人针对上述现有生产技术中的缺点，提供一种用于FCBGA的MLO的加工方法及其产品，通过将pad引出至外层，使线路至于次外层，以镭射的方式将外层与次外层连通，从而减少探针误扎线路的风险，增加探针与pad的接触面，从而提高测试精度与成功率。
[0006]本专利技术所采用的技术方案如下：
[0007]一种用于FCBGA的MLO的加工方法，包括如下步骤：
[0008]S1、第一次PTH：先在基板上进行PTH处理，附上一层1
‑
3um的铜，作为第一导电层；
[0009]S2、第一次压膜、第一次曝光、第一次显影：在第一导电层上通过压膜工艺形成第一干膜层，然后再通过曝光、显影工艺，把需要镀铜的位置露出来；
[0010]S3、电镀铜：在第一干膜层上露出来的第一导电层上再镀上一层16
‑
20um的第一电镀铜层，形成pad；
[0011]S4、第一次去膜：去掉第一干膜层；
[0012]S5、第一次闪蚀：去掉第一导电层；
[0013]S6、压ABF：在基板上压上一层ABF膜；
[0014]S7、镭射、除胶：通过镭射除去第一电镀铜层接触面上的ABF膜；
[0015]S8、第二次PTH：在第一电镀铜层上和ABF膜上镀上一层第二导电层；
[0016]S9、第二次压膜：在第二导电层上压上一层第二干膜层7；
[0017]S10、第二次曝光、第二次显影：通过曝光、显影，把需要镀铜的第一电镀铜层露出来；
[0018]S11、填孔电镀：在第一电镀铜层上镀上一层第二电镀铜层；
[0019]S12、电金：在第二电镀铜层上镀上一层镀金层；
[0020]S13、第二次去膜：去除第二干膜层；
[0021]S14、第二次闪蚀：去掉第二导电层。
[0022]其进一步特征在于：
[0023]所述S7中第一电镀铜层接触面的开口呈扩张状。
[0024]所述S11中第二电镀铜层延伸出第二干膜层。
[0025]在所述S2之前还包括前处理，前处理对基板做表面清洁和增加铜面粗糙度，为后续压膜做准备
[0026]采用一种用于FCBGA的MLO的加工方法制备而成的MLO，包括基板、连接在基板上下端面的若干块第一电镀铜层，所述基板位于第一电镀铜层之外的上下端面上均附着有ABF膜，第一电镀铜层上的侧壁上层叠连接有延伸出ABF膜的第二电镀铜层。
[0027]所述第二电镀铜层延伸出ABF膜的端面上连接有镀金层。
[0028]所述第二电镀铜层为喇叭状结构。
[0029]本专利技术的有益效果如下：
[0030]本专利技术加工方法简单、合理，操作方便，通过将pad(第一电镀铜层和第二电镀铜层)引出至外层，使线路至于次外层，以镭射的方式将外层与次外层连通，从而减少探针误扎线路的风险，增加探针与pad的接触面，从而提高测试精度与成功率，同时采用ABF将线路部分盖住，隔绝线路层，无短路风险，保护住线路不受影响。
[0031]同时，本专利技术还具备如下优点：
[0032]1.通过设计第二电镀铜层延伸出第二干膜层，能有效解决油墨高于pad的问题。
[0033]2.通过将第二电镀铜层的形状设计成喇叭状，增加pad与探针接触面积，从而降低芯片测试难度。
[0034]3.通过将pad(第一电镀铜层和第二电镀铜层)引出至外层，保护线路不被探针误扎。
[0035]4.采用ABF将线路部分盖住，降低线路被刮断和短路的风险。
附图说明
[0036]图1为本专利技术实施例1中的第一次PTH时基板状态图。
[0037]图2为本专利技术实施例1中的第一次压膜时基板状态图。
[0038]图3为本专利技术实施例1中的第一次曝光、显影时基板状态图。
[0039]图4为本专利技术实施例1中的电镀铜时基板状态图。
[0040]图5为本专利技术实施例1中的第一次去膜时基板状态图。
[0041]图6为本专利技术实施例1中的第一次闪蚀时基板状态图。
[0042]图7为本专利技术实施例1中的压ABF时基板状态图。
[0043]图8为本专利技术实施例1中的镭射时基板状态图。
[0044]图9为本专利技术实施例1中的第二次PTH时基板状态图。
[0045]图10为本专利技术实施例1中的第二次压膜时基板状态图。
[0046]图11为本专利技术实施例1中的第二次曝光、显影时基板状态图。
[0047]图12为本专利技术实施例1中的填孔电镀时基板状态图。
[0048]图13为本专利技术实施例1中的电金时基板状态图。
[0049]图14为本专利技术实施例1中的第二次去膜时基板状态图。
[0050]图15为本专利技术实施例1中的第二次闪蚀时基板状态图。
[0051]其中：1、基板；2、第一电镀铜层；3、第二电镀铜层；4、ABF膜；5、镀金层；6、第二导电
层；7、第二干膜层；8、第一导电层；9、第一干膜层。
具体实施方式
[0052]下面结合附图，说明本专利技术的具体实施方式。
[0053]实施例1
[0054]本实施例公开了一种用于FCBGA的MLO的加工方法及其产品：
[0055]新技术流程介绍：
[0056]第一次PTH
→
前处理
→
第一次压膜
→
第一次曝光
→
第一次显影
→
电镀铜
→
[0057]第一次去膜
→
第一次闪蚀
→
压ABF
→
镭射
→
除胶
→
第二次PTH
→
第二次压膜
→
[0058]第二次曝光
→
第二次显影
→
填孔电镀
→
电金
→
第二次去膜
→
第二次闪蚀。
[0059]具体包括如下步骤：
[0060]S1、第一次PTH：先在基板1上进行PTH，上一层1
‑
3um的铜，为电镀铜做第一导电层8；(如图1所示本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种用于FCBGA的MLO的加工方法，其特征在于：包括如下步骤：S1、第一次PTH：先在基板(1)上进行PTH处理，附上一层1
‑
3um的铜，作为第一导电层(8)；S2、第一次压膜、第一次曝光、第一次显影：在第一导电层(8)上通过压膜工艺形成第一干膜层(9)，然后再通过曝光、显影工艺，把需要镀铜的位置露出来；S3、电镀铜：在第一干膜层(9)上露出来的第一导电层(8)上再镀上一层16
‑
20um的第一电镀铜层(2)，形成pad；S4、第一次去膜：去掉第一干膜层(9)；S5、第一次闪蚀：去掉第一导电层(8)；S6、压ABF：在基板(1)上压上一层ABF膜(4)；S7、镭射、除胶：通过镭射除去第一电镀铜层(2)接触面上的ABF膜(4)；S8、第二次PTH：在第一电镀铜层(2)上和ABF膜(4)上镀上一层第二导电层(6)；S9、第二次压膜：在第二导电层(6)上压上一层第二干膜层7；S10、第二次曝光、第二次显影：通过曝光、显影，把需要镀铜的第一电镀铜层(2)露出来；S11、填孔电镀：在第一电镀铜层(2)上镀上一层第二电镀铜层(3)；S12、电金：在第二电镀铜层(3)上镀上一层镀金层(5)；S13、第二次去膜...

【专利技术属性】
技术研发人员：王海永，徐琛，
申请(专利权)人：圆周率半导体南通有限公司，
类型：发明
国别省市：