晶圆碱刻蚀方法技术

本发明专利技术提供一种晶圆碱刻蚀方法，包括步骤，先将晶圆置于氢氧化钾水溶液中进行第一次刻蚀，之后将晶圆置于氢氧化锂水溶液中进行第二次刻蚀，其中，氢氧化钾水溶液的浓度大于等于45wt％，温度为60

【技术实现步骤摘要】
晶圆碱刻蚀方法


[0001]本专利技术涉及半导体制造
，特别是涉及一种晶圆碱刻蚀方法。

技术介绍

[0002]通常，半导体晶圆的制造方法包括使用内周刃切割装置或线切割装置等进行切片，以将通过直拉法(CZ法)或浮区法(FZ法)等单晶制造装置制造的单晶棒切成薄片获得原始晶圆，然后对原始晶圆的外围边缘进行倒角处理，以防止从切片工艺获得的晶圆产生裂纹或磨损，之后将完成倒角后的晶圆执行平坦化处理的研磨工艺，以及将切片或倒角及研磨后的晶圆表面残留的加工变形(晶圆表面加工处理变质层)去除的刻蚀工艺和对刻蚀晶圆表面进行缺陷抛光的初级镜面抛光工艺和对经初级镜面抛光工艺后的晶圆进行最终的镜面抛光以提高平整度，之后进行最终清洗以去除附着在晶圆表面的研磨剂和异物质。
[0003]这其中，用于去除晶圆表面加工处理变质层的刻蚀工艺有两种：通过将半导体晶圆浸入酸性溶液中进行的酸刻蚀和通过将半导体晶圆浸入碱性溶液中进行的碱刻蚀。从最先进的半导体器件的高集成度的角度考虑，碱刻蚀比酸刻蚀更能满足器件的高平坦度要求。这是因为镜面抛光处理后的晶圆平坦度很大程度上取决于作本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种晶圆碱刻蚀方法，其特征在于，包括步骤，先将待刻蚀晶圆置于氢氧化钾水溶液中进行第一次刻蚀，之后将晶圆置于氢氧化锂水溶液中进行第二次刻蚀，其中，氢氧化钾水溶液的浓度大于等于45wt％，温度为60
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80℃，氢氧化锂水溶液的浓度大于等于5wt％，温度大于等于60℃。2.根据权利要求1所述的晶圆碱刻蚀方法，其特征在于，待刻蚀晶圆包括硅晶圆、GaAs晶圆，InP晶圆、锗晶圆、GaN晶圆和GaP晶圆中的任意一种。3.根据权利要求1所述的晶圆碱刻蚀方法，其特征在于，氢氧化钾水溶液的浓度小于等于60wt％，氢氧化锂水溶液的浓度小于等于20wt％。4.根据权利要求1所述的晶圆碱刻蚀方法，其特征在于，氢氧化锂水溶液的温度小于等于75℃。5.根据权利要求1所述的晶圆碱刻蚀方法，其特征在于，氢氧化钾水溶液通过CCS...

【专利技术属性】
技术研发人员：朴灵绪，吴镐硕，张怀东，
申请(专利权)人：苏州恩腾半导体科技有限公司，
类型：发明
国别省市：