用于选择性蚀刻硅-锗材料的组合物及其用途和方法技术

本发明专利技术涉及一种用于在包含硅的层存在下选择性蚀刻包含硅锗合金(SiGe)的层的组合物，所述组合物包含：(a)5至15重量％的氧化剂；(b)5至20重量％的包含氟离子源的蚀刻剂；(c)0.001至3重量％的式S1(S1)的第一选择性增强剂和(d)水，其中R

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】用于选择性蚀刻硅
‑
锗材料的组合物及其用途和方法
[0001]本专利技术涉及一种用于选择性蚀刻微电子器件衬底表面的硅
‑
锗材料而非蚀刻同一表面处的含硅材料的组合物、其用途和方法。
[0002]专利技术背景
[0003]制备某些微电子器件，例如集成电路的步骤可包括从含有SiGe以及硅(Si)的表面选择性除去硅
‑
锗(SiGe)材料。根据某些示例性制造步骤，SiGe可用作也含有硅的结构中的牺牲层。基于这样的制造步骤，可以制备先进的器件结构，如硅纳米线和悬空硅(Silicon On Nothing(SON))结构。这些工艺中的步骤包括外延沉积Si和SiGe交替层的结构，然后图案化，最后选择性横向蚀刻以除去SiGe层并生成三维硅结构。
[0004]在制备用于集成电路的场效应晶体管(FET)的某些特定方法中，将Si和SiGe材料作为层沉积到衬底上，即作为Si和SiGe的“外延堆栈(epitaxial stack)”。随后使用标准技术，例如使用标准光刻生成的掩模对这些层进行图案化。接着，定向各向同性蚀刻可能有助于本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种用于在包含硅的层存在下选择性蚀刻包含硅锗合金(SiGe)的层的组合物，所述组合物包含：(a)5至15重量％的氧化剂；(b)5至20重量％的包含氟离子源的蚀刻剂；(c)0.001至3重量％的式S1的第一选择性增强剂和(d)水；其中R
S1
选自X
S
‑
OH和Y
S
‑
(CO)
‑
OH；R
S2
选自(i)R
S1
、(ii)H、(iii)C1至C
10
烷基、(iv)C1至C
10
烯基、(v)C1至C
10
炔基和(vi)
‑
X
S1
‑
(O
‑
C2H3R
S6
)
m
‑
OR
S6
；R
S6
选自H和C1至C6烷基；X
S
选自直链或支链C1至C
10
烷二基、直链或支链C2至C
10
烯二基、直链或支链C2至C
10
炔二基和
‑
X
S1
‑
(O
‑
C2H3R6)
m
‑
；Y
S
选自化学键和X
S
；X
S1
是C1至C6烷二基；m是1至10的整数。2.根据权利要求1的组合物，其中所述氧化剂选自过氧化物，优选过氧化氢。3.根据权利要求1或2的组合物，其中所述氧化剂以7至13重量％，优选8至12重量％的量存在。4.根据前述权利要求中任一项的组合物，其中所述蚀刻剂选自氟化氢、氟化铵、氟化氢铵、氟化三乙醇铵、氟化二甘醇铵、氟化甲基二乙醇铵、四甲基氟化铵、三乙胺三氢氟酸盐、氟硼酸、四氟硼酸、四氟硼酸铵、氟乙酸、氟乙酸铵、三氟乙酸、氟硅酸、氟硅酸铵、四氟硼酸四丁基铵及其混合物，优选氟化氢。5.根据前述权利要求中任一项的组合物，其中所述蚀刻剂以8至18重量％，优选12至16重量％的量存在。6.根据前述权利要求中任一项的组合物，其中第一选择性增强剂以如下量存在(a)如果R
S1
是X
S
‑

【专利技术属性】
技术研发人员：F，
申请(专利权)人：巴斯夫欧洲公司，
类型：发明
国别省市：