避免分段式外延填充提前封口的方法技术

本发明专利技术提供一种避免分段式外延填充提前封口的方法，提供衬底，在衬底上形成第一外延层，之后在第一外延层上形成刻蚀阻挡层；在刻蚀阻挡层上形成光刻胶层，之后光刻打开部分光刻胶层，使得刻蚀阻挡层裸露；刻蚀裸露的刻蚀阻挡层以及其下方的第一外延层，用以在第一外延层上形成凹槽；刻蚀凹槽的侧壁，使得凹槽的侧壁距刻蚀阻挡层上的开口距离为第一设计值；在凹槽上形成侧壁保护层，之后刻蚀凹槽的底部，使得凹槽底部向下刻蚀的距离为第二设计值；在凹槽上形成第二外延层至侧壁保护层的底部，之后去除侧壁保护层，之后在第二外延层上形成填充凹槽的第三外延层；去除刻蚀阻挡层，之后研磨第三外延层至第一外延层的上方。本发明专利技术能避免外延提前封口。明能避免外延提前封口。明能避免外延提前封口。

【技术实现步骤摘要】
避免分段式外延填充提前封口的方法


[0001]本专利技术涉及半导体
，特别是涉及一种避免分段式外延填充提前封口的方法。

技术介绍

[0002]在开发小尺寸超深沟槽或孔洞的外延填充工艺时，分段式外延填充可以有效改善高深宽比填充位置底部的外延缺陷情况。然而在分段刻蚀过程中，请参阅图1，二次刻蚀的等离子体往往会对顶部的侧壁保护层造成损伤，使侧壁硅暴露，在后续外延填充时顶部发生提前封口，严重影响外延填充质量。
[0003]为解决上述问题，需要提出一种新型的避免分段式外延填充提前封口的方法。

技术实现思路

[0004]鉴于以上所述现有技术的缺点，本专利技术的目的在于提供一种避免分段式外延填充提前封口的方法，用于解决现有技术中在分段刻蚀过程中，二次刻蚀的等离子体往往会对顶部的侧壁保护层造成损伤，使侧壁硅暴露，在后续外延填充时顶部发生提前封口，严重影响外延填充质量的问题。
[0005]为实现上述目的及其他相关目的，本专利技术提供一种避免分段式外延填充提前封口的方法，包括：
[0006]步骤一、提供衬底，在所述衬底本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种避免分段式外延填充提前封口的方法，其特征在于，至少包括：步骤一、提供衬底，在所述衬底上形成第一外延层，之后在所述第一外延层上形成刻蚀阻挡层；步骤二、在所述刻蚀阻挡层上形成光刻胶层，之后光刻打开部分所述光刻胶层，使得所述刻蚀阻挡层裸露；步骤三、刻蚀裸露的所述刻蚀阻挡层以及其下方的所述第一外延层，用以在所述第一外延层上形成凹槽；步骤四、刻蚀所述凹槽的侧壁，使得所述凹槽的侧壁距所述刻蚀阻挡层上的开口距离为第一设计值；步骤五、在所述凹槽上形成侧壁保护层，之后刻蚀所述凹槽的底部，使得所述凹槽底部向下刻蚀的距离为第二设计值；步骤六、在所述凹槽上形成第二外延层至所述侧壁保护层的底部，之后去除所述侧壁保护层，之后在所述第二外延层上形成填充所述凹槽的第三外延层；步骤七、去除刻蚀阻挡层，之后研磨所述第三外延层至所述第一外延层的上方。2.根据权利要求1所述的避免分段式外延填充提前封口的方法，其特征在于：步骤一中的所述衬底为硅衬底。3.根据权利要求1所述的避免分段式外延填充提前封口的方法，其特征在于：步骤一中的所述第一外延层为N型外延层。4.根据权利要求1所述的避免分段式外延填充提前封口的方法，其特征在于：步骤一中的所述刻蚀阻挡层的材料为二氧化硅或氮化硅的至少一种。5.根据权利要求1所述的避免...

【专利技术属性】
技术研发人员：孙超，范晓，李佳龙，赵德鹏，
申请(专利权)人：华虹半导体无锡有限公司，
类型：发明
国别省市：