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本发明提供一种避免分段式外延填充提前封口的方法，提供衬底，在衬底上形成第一外延层，之后在第一外延层上形成刻蚀阻挡层；在刻蚀阻挡层上形成光刻胶层，之后光刻打开部分光刻胶层，使得刻蚀阻挡层裸露；刻蚀裸露的刻蚀阻挡层以及其下方的第一外延层，用以在...
该专利属于华虹半导体（无锡）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过华虹半导体（无锡）有限公司授权不得商用。

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