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本发明提供一种晶圆碱刻蚀方法，包括步骤，先将晶圆置于氢氧化钾水溶液中进行第一次刻蚀，之后将晶圆置于氢氧化锂水溶液中进行第二次刻蚀，其中，氢氧化钾水溶液的浓度大于等于45wt％，温度为60
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该专利属于苏州恩腾半导体科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过苏州恩腾半导体科技有限公司授权不得商用。

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