电容结构及其形成方法、半导体结构及其形成方法技术

一种电容结构及其形成方法、半导体结构及其形成方法，涉及半导体制造技术领域，其中电容结构包括：第一电容金属层；第一电容钝化层，覆盖第一电容金属层；第二电容金属层，位于第一电容钝化层上；第二电容钝化层，覆盖第二电容金属层；第三电容金属层，位于第二电容钝化层上；第一电容介质层，位于第三电容金属层上，第一电容介质层具有若干第一通孔，若干第一通孔暴露出第三电容金属层的部分表面，第一通孔侧壁倾斜；位于第一电容介质层上的第四电容金属层。利用第一通孔倾斜的侧壁能够将打线时施加的一部分压力进行反弹，进而减小压力对电容金属层的冲击，减小对电容结构造成的损伤。另外将电容结构制作在打线区域上，可以有效降低芯片的尺寸。芯片的尺寸。芯片的尺寸。

【技术实现步骤摘要】
电容结构及其形成方法、半导体结构及其形成方法


[0001]本专利技术涉及半导体制造
，尤其涉及一种电容结构及其形成方法、半导体结构及其形成方法。

技术介绍

[0002]在现有的集成电路工艺中，多晶硅
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绝缘体
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多晶硅的电容结构和金属
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绝缘层
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金属结构的电容结构是集成电路中的常用器件。其中，多晶硅
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绝缘体
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多晶硅的电容结构在逻辑电路或闪存存储器电路中，被广泛应用于防止噪音和模拟器件的频率解调，金属
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绝缘层
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金属的电容结构在模拟电路、射频电路或混合信号电路中被广泛应用。
[0003]然而，目前的金属
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绝缘层
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金属的电容结构仍存在诸多问题。

技术实现思路

[0004]本专利技术解决的技术问题是提供一种电容结构及其形成方法、半导体结构及其形成方法，减少打线时施加的压力对电容结构造成的损伤及减小芯片的尺寸。r/>[0005]为本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种电容结构，其特征在于，包括：第一电容金属层；第一电容钝化层，覆盖所述第一电容金属层；第二电容金属层，位于所述第一电容钝化层上，位于所述第一电容金属层的第一部分上方；第二电容钝化层，覆盖所述第二电容金属层；第三电容金属层，位于所述第二电容钝化层上，位于所述第二电容金属层上方；第一电容介质层，位于所述第三电容金属层上，所述第一电容介质层具有若干第一通孔，贯穿所述第一电容介质层，且若干所述第一通孔暴露出所述第三电容金属层的部分表面，所述第一通孔包括相对的第一开口和第二开口，所述第一开口位于所述第一电容介质层的上表面，所述第二开口位于所述第一电容介质层的下表面，所述第二开口朝向所述第一电容金属层方向上的投影范围位于所述第一开口朝向所述第一电容金属层方向上的投影范围内；位于所述第一电容介质层上的第四电容金属层，且所述第四电容金属层填充若干所述第一通孔与所述第三电容金属层电性连接。2.如权利要求1所述的电容结构，其特征在于，所述第一电容介质层的材料包括：聚合物；所述聚合物包括：苯并环丁烯、光感环氧树脂光刻胶和聚酰亚胺中的一种或多种。3.如权利要求1所述的电容结构，其特征在于，若干所述第一通孔呈网格状分布。4.如权利要求1所述的电容结构，其特征在于，所述第一通孔的侧壁与所述第三电容金属层的表面之间的夹角呈：40度至60度。5.如权利要求1所述的电容结构，其特征在于，所述第三电容金属层的厚度小于所述第二电容金属层的厚度；所述第三电容金属层的厚度小于所述第四电容金属层的厚度。6.如权利要求1所述的电容结构，其特征在于，所述第三电容金属层的厚度为0.1微米至0.2微米。7.如权利要求1所述的电容结构，其特征在于，所述第二电容钝化层还位于覆盖所述第一电容金属层的第二部分的所述第一电容钝化层上。8.如权利要求7所述的电容结构，其特征在于，所述第一电容介质层还位于所述第二部分上方的所述第二电容钝化层上。9.如权利要求8所述的电容结构，其特征在于，还包括：第二通孔，贯穿所述第二部分上方的所述第一电容钝化层、所述第二电容钝化层及所述第一电容介质层；所述第四电容金属层还填充所述第二通孔，与所述第一电容金属层电性连接。10.一种电容结构的形成方法，其特征在于，包括：形成第一电容金属层；形成第一电容钝化层，覆盖所述第一电容金属层；形成第二电容金属层，位于所述第一电容钝化层上，位于所述第一电容金属层的第一部分上方；形成第二电容钝化层，覆盖所述第二电容金属层；形成第三电容金属层，位于所述第二电容...

【专利技术属性】
技术研发人员：邹道华，高谷信一郎，刘昱玮，朱晓洁，
申请(专利权)人：常州承芯半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：