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一种电容结构及其形成方法、半导体结构及其形成方法，涉及半导体制造技术领域，其中电容结构包括：第一电容金属层；第一电容钝化层，覆盖第一电容金属层；第二电容金属层，位于第一电容钝化层上；第二电容钝化层，覆盖第二电容金属层；第三电容金属层，位于第...
该专利属于常州承芯半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过常州承芯半导体有限公司授权不得商用。

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