一种半导体结构的形成方法技术

本发明专利技术公开了一种半导体结构的形成方法，基于负载效应的作用，图形化层内的开口尺寸越大，在层间介质层内形成的开口深度越大，因此，可以在所述层间介质层内形成不同深度的第一开口和第二开口。由于电容器件的电容与极板面积、极板间距、极板间介质材料的介电常数值有关，通过获取不同尺寸的第一开口和第二开口，同时通过第一开口和第二开口内填充的介质材料介电常数值的选取，可以获得不同电容值的电容器件；由于第一开口和第二开口采用同一图形化层为掩膜，图形化层仅用一次光刻刻蚀工艺形成，因此不需要多次光刻就可以获得不同电容值的电容器件，有利于节约生产成本，促进电容生产技术的发展。产技术的发展。产技术的发展。

【技术实现步骤摘要】
一种半导体结构的形成方法


[0001]本专利技术涉及半导体制造
，特别是涉及一种半导体结构的形成方法。

技术介绍

[0002]金属
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绝缘体
‑
金属(Metal
‑
Insulator
‑
Metal，简称MIM)电容器，被广泛应用于集成电路芯片中，可以用于电荷存储、电压控制、射频控制等。MIM电容器的制作可以集成在后段金属互连工艺中，且能够与半导体制造的后道工艺较好地兼容。
[0003]随着集成电路的发展，对电容的需求形式更加多样化。在现有的生产技术中，为了制备不同电容值的MIM电容器，每做一道电容就要经历光刻以及刻蚀等步骤，面临较高的制造成本。
[0004]图1～3中给出了现有技术中制备不同电容值的MIM电容器的制备方法。这种半导体结构的形成方法中，两道电容是先后分别一步一步处理的。
[0005]请参考图1，提供衬底(图中未示出)，所述衬底内具有第一导电层101，且暴露出所述第一导电层101顶部表面；在所述衬底上形成层间介质层102；在所述层间本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括以下步骤：(1)提供衬底，所述衬底内具有第一导电层，所述衬底暴露出所述第一导电层的顶部表面；(2)在所述衬底上形成层间介质层和位于所述层间介质层表面的图形化层，所述层间介质层的材料和图形化层的材料不同；所述图形化层具有尺寸不同的第一图形开口和第二图形开口，所述第一图形开口和第二图形开口处暴露出所述层间介质层表面；(3)以所述图形化层为掩膜刻蚀所述层间介质层，在所述层间介质层对应于所述第一图形开口处形成第一开口，在所述层间介质层对应于所述第二图形开口处形成第二开口，所述第一开口和第二开口的深度不同；(4)去除所述图形化层；(5)在所述第一开口内形成第一电容介质层，在所述第二开口内形成第二电容介质层，所述第一电容介质层、第二电容介质层均与所述层间介质层的材料不同；(6)在所述层间介质层、第一电容介质层和第二电容介质层表面形成第二导电层。2.根据权利要求1所述半导体结构的形成方法，其特征在于，还包括在步骤(6)之后图形化所述第二导电层，形成相互隔离的第一电极板和第二电极板，所述第一电极板和第二电极板分别位于所述第一电容介质层和第二电容介质层上。3.根据权利要求1所述半导体结构的形成方法，其特征在于，第一图形开口和第二图形开口的宽度比值为1：4～6，所述第一开口和第二开口深度的比值与第一图形开口和第二图形开口的宽度比值相同。4.根据权利要求1所述半导体结构的形成方法，其特征在于，步骤(3)中，刻蚀的工艺为等离子体刻蚀工艺、湿法刻蚀工艺或离子铣。5.根据权利要求4所述半导体结构的形成方...

【专利技术属性】
技术研发人员：张睿，姜益，高大为，
申请(专利权)人：浙江大学杭州国际科创中心，
类型：发明
国别省市：