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本发明公开了一种半导体结构的形成方法，基于负载效应的作用，图形化层内的开口尺寸越大，在层间介质层内形成的开口深度越大，因此，可以在所述层间介质层内形成不同深度的第一开口和第二开口。由于电容器件的电容与极板面积、极板间距、极板间介质材料的介电...
该专利属于浙江大学杭州国际科创中心所有，仅供学习研究参考，未经过浙江大学杭州国际科创中心授权不得商用。

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