半导体器件及其制造方法、存储器、电子设备技术

本公开实施例提供了一种半导体器件及其制造方法、存储器、电子设备，涉及但不限于半导体技术领域，半导体器件包括：一个或至少两个沿垂直于衬底方向堆叠的电容器；至少一个所述电容器包括：第一极板和第二极板，以及位于所述第一极板和第二极板之间的介电层；所述第一极板包括第一主体结构以及至少两个第一分支层，所述至少两个第一分支层沿垂直于所述衬底方向间隔排布，所述第一主体结构包括沿垂直于所述衬底方向交替堆叠的第一导电层和第二导电层，所述第一极板还包括凹槽，所述凹槽位于相邻所述第一分支层之间，所述凹槽沿着平行于所述衬底方向延伸，至少部分所述介电层和至少部分所述第二极板位于所述凹槽内；提高了电容器的容量。器的容量。器的容量。

【技术实现步骤摘要】
半导体器件及其制造方法、存储器、电子设备


[0001]本公开实施例涉及但不限于半导体技术，尤指一种半导体器件及其制造方法、存储器、电子设备。

技术介绍

[0002]随着动态随机存取存储器（Dynamic Random Acess Memory，DRAM）技术步入更新的节点，1T1C结构因存储电容较大已经趋于极限。

技术实现思路

[0003]以下是对本文详细描述的主题的概述。本概述并非是为了限制权利要求的保护范围。
[0004]本公开实施例提供一种半导体器件，包括：一个或至少两个沿垂直于衬底方向堆叠的电容器；至少一个所述电容器包括：第一极板和第二极板，以及位于所述第一极板和第二极板之间的介电层；所述第一极板包括第一主体结构以及至少两个第一分支层，所述至少两个第一分支层沿垂直于所述衬底方向间隔排布，所述第一主体结构包括沿垂直于所述衬底方向交替堆叠的第一导电层和第二导电层，所述第一极板还包括凹槽，所述凹槽位于相邻所述第一分支层之间，所述凹槽沿着平行于所述衬底方向延伸，至少部分所述介电层和至少部分所述第二极板位于所述凹槽内。...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体器件，其特征在于，包括：一个或至少两个沿垂直于衬底方向堆叠的电容器；至少一个所述电容器包括：第一极板和第二极板，以及位于所述第一极板和第二极板之间的介电层；所述第一极板包括第一主体结构以及至少两个第一分支层，所述至少两个第一分支层沿垂直于所述衬底方向间隔排布，所述第一主体结构包括沿垂直于所述衬底方向交替堆叠的第一导电层和第二导电层，所述第一极板还包括凹槽，所述凹槽位于相邻所述第一分支层之间，所述凹槽沿着平行于所述衬底方向延伸，至少部分所述介电层和至少部分所述第二极板位于所述凹槽内。2.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述第一导电层和所述第二导电层的材料不同，所述第二导电层将相邻所述第一导电层连接，所述第一分支层与所述第一导电层连接。3.根据权利要求2所述的半导体器件，其特征在于，所述第一导电层和第二导电层具有不同的刻蚀选择比；所述第一分支层与所述第一导电层为一体式结构；所述凹槽与所述第二导电层位于同一膜层，且所述凹槽的底部为所述第二导电层的端面。4.根据权利要求3所述的半导体器件，其特征在于，所述第一极板中，不同层的所述凹槽的深度相同。5.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述第二极板包括第二主体结构以及位于所述第二主体结构上的至少两个第二分支层，所述至少两个第二分支层沿垂直于所述衬底方向间隔排布，至少一个所述第二分支层设置在对应的所述凹槽中，填充所述凹槽。6.根据权利要求5所述的半导体器件，其特征在于，所述第一极板包括相对设置的上表面和下表面，以及将所述上表面和所述下表面连接的两个侧表面，所述凹槽贯通所述第一极板的所述侧表面，所述凹槽在所述第一极板的所述侧表面上，将所述第二分支层的侧表面暴露。7.根据权利要求1至6任一所述的半导体器件，其特征在于，至少两个所述电容器在垂直于所述衬底方向间隔堆叠；在垂直于所述衬底方向上，相邻所述电容器的第二极板连接为一体式结构。8.根据权利要求1至6任一所述的半导体器件，其特征在于，至少两个所述电容器在垂直于所述衬底方向间隔堆叠；在垂直于所述衬底方向上，不同所述电容器的第一极板的第一导电层的材料相同，不同所述电容器的第一极板的第二导电层的材料相同。9.根据权利要求1至6任一所述的半导体器件，其特征在于，所述第一导电层的材料类型包括金属、合金、金属氮化物和金属氧化物导体中的一种；...

【专利技术属性】
技术研发人员：马艳三，张京，黄龙，于伟，玉佳婷，王桂磊，赵超，
申请(专利权)人：北京超弦存储器研究院，
类型：发明
国别省市：