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本公开实施例提供了一种半导体器件及其制造方法、存储器、电子设备，涉及但不限于半导体技术领域，半导体器件包括：一个或至少两个沿垂直于衬底方向堆叠的电容器；至少一个所述电容器包括：第一极板和第二极板，以及位于所述第一极板和第二极板之间的介电层；...
该专利属于北京超弦存储器研究院所有，仅供学习研究参考，未经过北京超弦存储器研究院授权不得商用。

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