存储单元、动态存储器、其读取方法及电子设备技术

本申请实施例提供了一种存储单元、动态存储器及电子设备。该存储单元包括存储晶体管、写入晶体管和写入晶体管；存储晶体管包括与主字线电连接的主栅极、与位线电连接的第一极、与读取节点电连接的第二极；写入晶体管包括与写入字线电连接的栅极、与读取节点电连接的第一极以及与存储节点电连接的第二极；读取晶体管包括与读取字线电连接的主栅极、与参考信号端电连接的第一极、与读取节点电连接的第二极以及与存储节点电连接的背栅极。本实施例提供的存储单元的电路设计，能够避免与相邻的存储单元发生串扰，使得数据读取的可信性提高。使得数据读取的可信性提高。使得数据读取的可信性提高。

【技术实现步骤摘要】
存储单元、动态存储器、其读取方法及电子设备


[0001]本申请涉及存储
，具体而言，本申请涉及一种存储单元、动态存储器、其读取方法及电子设备。

技术介绍

[0002]动态随机存取存储器(Dynamic Random Access Memory，DRAM)是一种半导体存储器，和静态存储器相比，DRAM存储器具有结构较为简单、制造成本较低、容量密度较高的优点。
[0003]DRAM存储器通常包括多个存储单元，存储单元可以采用多种结构，其中，2T0C是常用的存储单元结构之一，但在读取过程中，相邻的2T0C结构的存储单元之间发生串扰，存在引发读取错误的风险。

技术实现思路

[0004]本申请针对现有方式的缺点，提出一种存储单元、动态存储器、其读取方法及电子设备，用以解决现有技术中解决相邻存储单元之间发生串扰而引起的误读的技术问题。
[0005]第一个方面，本申请实施例提供了一种存储单元，该存储单元包括：
[0006]存储晶体管，包括：与主字线电连接的主栅极、与位线电连接的第一极、与读取节点电连接的第二极；<本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种存储单元，其特征在于，包括：存储晶体管，包括：与主字线电连接的主栅极、与位线电连接的第一极、与读取节点电连接的第二极；写入晶体管，包括：与写入字线电连接的栅极、与所述读取节点电连接的第一极以及与存储节点电连接的第二极；读取晶体管，包括与读取字线电连接的主栅极、与参考信号端电连接的第一极、与所述读取节点电连接的第二极以及与所述存储节点电连接的背栅极。2.根据权利要求1所述的存储单元，其特征在于，所述主字线复用为所述写入字线。3.根据权利要求1所述的存储单元，其特征在于，所述参考信号端接地或者与电源负电压端电连接。4.根据权利要求1所述的存储单元，其特征在于，所述写入晶体管的关断电流小于所述存储晶体管的关断电流，且所述写入晶体管的关断电流小于所述读取晶体管的关断电流。5.一种动态存储器，其特征在于，包括多个权利要求1
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4中任一项所述的存储单元。6.根据权利要求5所述的动态存储器，其特征在于，多个所述存储单元呈m行n列的阵列排布，所述动态存储器还包括：m条沿第一方向延伸的主字线，位于同一行的各所述存储单元中的所述存储晶体管的栅极与同一条所述主字线电连接；m条沿所述第一方向延伸的写入字线，位于同一行的各所述存储单元中的所述写入晶体管的栅极与同一条所述写入字线电连接；m条沿所述第一方向延伸的读取字线，位于同一行的各所述存储单元中的所述读取晶体管的主栅极与同一条所述读取字线电连接；以及n条沿第二方向延伸的位线，位于同一列的各所述存储单元中的所述存储晶体管的第一极与同一条所述位线电连接，所述第二方向与所述第一方向垂直。7.根据权利要求5所述的动态存储器，其特征在于，多个所述存储单元呈m行n列的阵列排布，所述动态存储器还包括：m条沿第一方向延伸的主字线，位于同一行的各所述存储单元中的所述存储晶体管的栅极与同一条所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：朱正勇，康卜文，赵超，
申请(专利权)人：北京超弦存储器研究院，
类型：发明
国别省市：