【技术实现步骤摘要】
动态存储器、其制作方法、读取方法及存储装置
[0001]本申请涉及动态存储
，具体而言，本申请涉及一种动态存储器、其制作方法、读取方法及存储装置。
技术介绍
[0002]动态随机存取存储器(Dynamic Random Access Memory，DRAM)是一种半导体存储器，和静态存储器相比，DRAM存储器具有结构较为简单、制造成本较低、容量密度较高的优点。
[0003]DRAM存储器通常包括多个存储单元，每个存储单元中均包括晶体管，由于晶体管存在跨有源层泄漏现象，这会使得存储单元中存储的电荷逐渐流失，因此存储的数据需要频繁刷新才能保证存储数据的有效性。
[0004]目前主流的DRAM中，为了降低刷新率，常规设计是电容需要做到足够大，这会使得DRAM的结构不紧凑、集成度较低。
技术实现思路
[0005]本申请针对现有方式的缺点，提出一种动态存储器、其制作方法、读取方法及存储装置，用以解决现有技术中DRAM存储器的刷新频率与集成度难以兼顾的技术问题。
[0006]第一个方面，本申...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种动态存储器，包括衬底、位于所述衬底上的多条字线、多条位线、参考电位线和多个存储单元，其特征在于，所述动态存储器包括：位于所述衬底一侧的多个沿第一方向延伸的器件单元列以及相邻器件单元列之间的隔离槽，所述器件单元列包括多个器件单元以及位于所述器件单元之间的容纳孔，所述容纳孔包括位于同一所述器件单元两侧的第一容纳孔和第二容纳孔，所述器件单元包括在远离所述衬底的方向上依次堆叠的漏极、半导体层和源极；位于所述第一容纳孔内的主栅极，与所述字线电连接且与所述源极和所述漏极绝缘；位于所述第二容纳孔内的背栅极和电容电极，所述背栅极位于所述电容电极靠近所述第二容纳孔内壁的一侧，所述背栅极与相邻的所述漏极电连接，且所述背栅极与所述源极和所述主栅极绝缘，所述电容电极与所述参考电位线电连接且与所述主栅极、所述背栅极、所述源极和所述漏极绝缘，其中，所述背栅极与所述电容电极构成存储电容，所述背栅极与所述源极构成辅助电容。2.根据权利要求1所述的动态存储器，其特征在于，所述第二容纳孔内设置两个背栅极且分布在所述电容电极的两侧；同一所述存储单元列中相邻的两个所述存储单元共用同一所述主栅极和同一所述电容电极。3.根据权利要求2所述的动态存储器，其特征在于，所述器件单元还包括位于所述衬底与所述漏极之间的连接部以及位于所述源极远离所述衬底一侧的第一绝缘层，所述背栅极和所述漏极均与所述连接部接触；所述动态存储器还包括填充在所述隔离槽内的第一绝缘结构。4.根据权利要求3所述的动态存储器，其特征在于，位于所述器件单元正下方的衬底所在的区域为第一区域，包围所述第一区域的区域为第二区域，位于所述第一区域的所述衬底的厚度大于位于所述第二区域的所述衬底的厚度。5.根据权利要求1
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4中任一项所述的动态存储器，其特征在于，还包括：位于所述第一容纳孔的第二绝缘结构和所述第二容纳孔内的第三绝缘结构，所述第三绝缘结构与所述衬底以及所述连接部的部分侧壁接触。6.根据权利要求5所述的动态存储器，其特征在于，所述位线沿所述第一方向延伸且位于所述器件单元远离所述衬底的一侧，所述字线沿第二方向延伸且位于所述位线远离所述衬底的一侧，所述参考电位线沿所述第二方向延伸且与所述位线同层设置，所述第二方向与所述第一方向垂直。7.根据权利要求1所述的动态存储器，其特征在于，所述衬底的材料为P型硅材料，所述连接部的材料为N型重掺杂硅材料，所述漏极为N型硅材料，所述源极的材料为N型硅材料，所述半导体层的材料为锗化硅材料。8.一种存储装置，其特征在于，包括权利要求1
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7中任一项所述的动态存储器。9.一种动态存储器的制作方法，其特征在于，包括：提供一衬底，并通过外延法在所述衬底上形成器件层，所述器件层包括在远离所述衬底的方向上依次堆叠的漏极层、半导体材料层和源极层；通过构图工艺形成多个贯穿所述器件层的第一容纳孔，并在所述第一容纳孔内形成主栅极；通过构图工艺形成多个贯穿所述器件层的第二容纳孔，并在所述第二...
【专利技术属性】
技术研发人员：朱正勇，康卜文，王桂磊，赵超，
申请(专利权)人：北京超弦存储器研究院，
类型：发明
国别省市：
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