半导体装置制造方法及图纸

提供了一种半导体装置，所述半导体装置包括：多个半导体图案，在垂直于基底的上表面的第一方向上彼此间隔开地堆叠并且在平行于基底的上表面的第二方向上延伸；多个第一导电图案，在多个半导体图案上在垂直于第一方向和第二方向的第三方向上延伸；多个第二导电图案，在基底上在第一方向上延伸；多个电容器，分别电连接到多个半导体图案；以及至少一个外延层，设置为与多个半导体图案中的至少一个半导体图案的两个端表面中的至少一个端表面接触，并且包括杂质。并且包括杂质。并且包括杂质。

【技术实现步骤摘要】
半导体装置
[0001]本申请要求于2021年11月29日在韩国知识产权局提交的第10
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2021
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0167055号韩国专利申请的优先权，该韩国专利申请的内容通过引用全部包含于此。


[0002]本专利技术构思涉及一种半导体装置。

技术介绍

[0003]根据电子产业的发展和用户需求，电子设备已经变得更小且更高效。因此，在电子设备中使用的半导体装置也期望为高度集成并具有更高的性能。在二维(2D)或平面半导体装置的情况下，其集成度主要由单位存储器单元所占据的区域决定，因此，2D或平面半导体装置很大程度地受到精细图案形成技术的水平的影响。然而，由于需要超昂贵的设备来使图案小型化，因此2D半导体装置的集成度正在增加，但仍然受到限制。因此，已经提出了包括三维布置的存储器单元的3D半导体存储器装置。

技术实现思路

[0004]本专利技术构思的一个方面提供了一种具有改善的电特性和可靠性的半导体装置。
[0005]根据本专利技术构思的一个方面，一种半导体装置包括：多个半导体图案，在垂直于基底的本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体装置，所述半导体装置包括：多个半导体图案，在垂直于基底的上表面的第一方向上彼此间隔开地堆叠，并且在平行于基底的上表面的第二方向上延伸；多个第一导电图案，在所述多个半导体图案上在垂直于第一方向和第二方向的第三方向上延伸；多个第二导电图案，在基底上在第一方向上延伸；多个电容器，所述多个电容器中的每个电容器电连接到所述多个半导体图案中的对应半导体图案；以及至少一个外延层，设置为与所述多个半导体图案中的至少一个半导体图案的两个端表面中的至少一个端表面接触，并且包括杂质。2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述至少一个外延层具有根据半导体图案的半导体材料层的晶向生长的刻面形状。3.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述至少一个外延层具有相对于半导体图案的上表面倾斜的第一侧表面和相对于半导体图案的下表面倾斜的第二侧表面。4.根据权利要求3所述的半导体装置，其中，所述至少一个外延层的第一侧表面与半导体图案的上表面之间的角度是钝角，并且其中，所述至少一个外延层的第二侧表面与半导体图案的下表面之间的角度是钝角。5.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述多个第一导电图案分别与所述多个半导体图案交叉，并且其中，所述多个第二导电图案与所述多个半导体图案的第一端表面相邻设置。6.根据权利要求5所述的半导体装置，其中，所述至少一个外延层包括：多个第一外延层，设置在所述多个半导体图案的第一端表面与所述多个第二导电图案之间；以及多个第二外延层，设置在所述多个半导体图案的第二端表面与所述多个电容器之间。7.根据权利要求6所述的半导体装置，所述半导体装置还包括：多个第一金属
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半导体化合物层，分别设置在所述多个第一外延层与所述多个第二导电图案之间；以及多个第二金属
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半导体化合物层，分别设置在所述多个第二外延层与所述多个电容器之间。8.根据权利要求6所述的半导体装置，其中，第二导电图案具有面对所述多个第一外延层中的每个第一外延层的倾斜侧表面的倾斜内侧表面。9.根据权利要求6所述的半导体装置，其中，所述多个电容器中的每个电容器包括第一电极、位于第一电极上的介电层以及位于介电层上的第二电极，并且其中，第一电极覆盖所述多个第二外延层中的对应第二外延层的倾斜侧表面，并且包括朝向第二电极突出的部分。10.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述多个第一导电图案与所述多个半导体图案的第一端表面相邻设置，
其中，所述多个第二导电图案分别与所述多个半导体图案交叉，并且其中，所述至少一个外延层包括：多个第一外延层，设置在所述多个半导体图案的第一端表面与所述多个第一导电图案之间；以及多个第二外延层，设置在所述多个半导体图...

【专利技术属性】
技术研发人员：张星旭，李公洙，洪思焕，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：