半导体器件制造技术

一种半导体器件包括衬底上的第一接触插塞、电容器、绝缘分隔层以及第二接触插塞。电容器包括第一电极和第二电极以及介电层。第一电极接触第一接触插塞的上表面，并沿基本垂直于衬底的上表面的竖直方向延伸。第二电极与第一电极间隔开，并沿竖直方向延伸，并且包括分别与第一电极的下表面和上表面基本共面的下表面和上表面。介电层在第一电极和第二电极的侧壁上。绝缘分隔层形成在介电层的在第一电极和第二电极的侧壁上的部分之间。第二接触插塞接触第二电极的上表面。触第二电极的上表面。触第二电极的上表面。

【技术实现步骤摘要】
半导体器件
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]本申请要求于2021年11月23日在韩国知识产权局递交的韩国专利申请No.10
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2021
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0162508的优先权，其全部公开内容通过引用合并于此。


[0003]本公开涉及半导体器件。

技术介绍

[0004]随着动态随机存取存储器(DRAM)器件尺寸的减小，DRAM器件中的电容器的尺寸也有所减小。因此，在形成DRAM器件的电容器期间，由于空间不足，电极和/或介电层可能无法很好地形成，这可能导致电容器的劣化。

技术实现思路

[0005]示例实施例提供了一种具有改进特性的半导体器件。
[0006]根据本专利技术构思的示例实施例，存在一种半导体器件。该半导体器件可以包括衬底上的第一接触插塞、电容器、绝缘分隔层以及第二接触插塞。电容器可以包括第一电极和第二电极以及介电层。第一电极可以接触第一接触插塞的上表面，并且可以沿基本垂直于衬底的上表面的竖直方向延伸。第二电极可以与第一电极间隔开，并且可以沿竖直方向延伸，并且包括分别与第一电极的下表面和上表面基本共面的下表面和上表面。介电层可以在第一电极和第二电极的侧壁上。绝缘分隔层可以形成在介电层的在第一电极和第二电极的侧壁上的部分之间。第二接触插塞可以接触第二电极的上表面。
[0007]根据本专利技术构思的示例实施例，存在一种半导体器件。该半导体器件可以包括衬底上的第一接触插塞、第一电极、第二电极、介电层、绝缘分隔层以及第二接触插塞。第一接触插塞可以在基本平行于衬底的上表面的水平方向上彼此间隔开。第一电极可以分别接触第一接触插塞，每一个第一电极可以沿基本垂直于衬底的上表面的竖直方向延伸。第二电极可以在水平方向上与第一电极间隔开，每一个第二电极可以沿竖直方向延伸。介电层可以在第一电极和第二电极的侧壁上。绝缘分隔层可以形成在介电层的在第一电极和第二电极的侧壁上的部分之间。第二接触插塞可以分别接触第二电极的上表面。第一电极和第二电极可以在水平方向上彼此重复地交替。
[0008]根据本专利技术构思的示例实施例，存在一种半导体器件。该半导体器件可以包括：衬底上的有源图案；栅极结构，在有源图案的上部上，并沿平行于衬底的上表面的第一方向延伸；位线结构，接触有源图案的中心上表面，并沿平行于衬底的上表面且垂直于第一方向的第二方向延伸；接触插塞结构，在有源图案的端部上；绝缘层结构，在接触插塞结构的上侧壁和位线结构的上侧壁上；电容器，在接触插塞结构和绝缘层结构上；绝缘分隔层；以及接触插塞。电容器可以包括：第一电极，接触接触插塞结构的上表面，并沿基本垂直于衬底的上表面的竖直方向延伸；第二电极，与第一电极间隔开，沿竖直方向延伸，并且包括分别与
第一电极的下表面和上表面基本共面的下表面和上表面；介电层，在第一电极和第二电极的侧壁上。绝缘分隔层可以形成在介电层的在第一电极和第二电极的侧壁上的部分之间。接触插塞可以接触第二电极的上表面。
[0009]在制造半导体器件的方法中，可以通过单个工艺形成电容器中包括的电极，并且因此可以增强用于形成电容器的工艺裕度，并且可以提高半导体器件的制造效率。
附图说明
[0010]图1至图5是示出了根据示例实施例的制造半导体器件的方法的截面图。
[0011]图6和图7是示出了根据示例实施例的制造半导体器件的方法的截面图。
[0012]图8至图23是示出了根据示例实施例的制造半导体器件的方法的平面图和截面图。
[0013]图24是示出了根据示例实施例的半导体器件的截面图。
具体实施方式
[0014]根据示例实施例的包括栅极结构的半导体器件及其制造方法的上述和其他方面和特征将根据以下参照附图的详细描述而变得容易理解。将理解，虽然在本文中可以使用术语“第一”、“第二”、和/或“第三”来描述各种元件、组件、区域、层和/或部分，但是这些元件、组件、区域、层和/或部分不应受这些术语限制。这些术语仅用于将一个元件、组件、区域、层或部分与另一个元件、组件、区域、层或部分加以区分。因此，在不脱离本专利技术构思的教导的情况下，以下讨论的第一元件、组件、区域、层或部分可以被称为第二或第三元件、组件、区域、层或部分。
[0015]在下文中，在说明书中(也不一定在权利要求中)，基本平行于衬底的上表面且彼此基本垂直的两个方向可以分别被称为第一方向D1和第二方向D2，并且基本平行于衬底的上表面且相对于第一方向D1和第二方向D2成锐角的方向可以被称为第三方向D3。
[0016]图1至图5是示出了根据示例实施例的制造半导体器件的方法的截面图。
[0017]参照图1，在衬底10上形成第一接触插塞20，并且可以在衬底10上形成第一层间绝缘层30以使其位于第一接触插塞20的侧壁上(例如，以使其覆盖第一接触插塞20的侧壁)。
[0018]衬底10可以包括硅、锗、硅锗或III
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V族化合物半导体，诸如磷化镓(GaP)、砷化镓(GaAs)或锑化镓(GaSb)。在一些示例实施例中，衬底10可以是绝缘体上硅(SOI)衬底或绝缘体上锗(GOI)衬底。
[0019]可以在衬底10上形成各种元件，例如，有源图案、栅极结构、位线结构、源/漏层等。各种元件可以被第一层间绝缘层30覆盖，并且第一接触插塞20可以电连接到源/漏层。
[0020]在示例实施例中，第一接触插塞20可以通过以下方式形成：在衬底10上形成第一接触插塞层；形成覆盖第一接触插塞层的一部分的蚀刻掩模；以及使用蚀刻掩模对第一接触插塞层执行蚀刻工艺。可以在衬底10上形成第一层间绝缘层30以使其位于第一接触插塞20上(例如，覆盖第一接触插塞20)，并且可以去除第一层间绝缘层30的上部，使得第一层间绝缘层30可以在第一接触插塞20的侧壁上(例如，可以覆盖第一接触插塞20的侧壁)。
[0021]备选地，第一接触插塞20可以通过以下方式形成：在衬底10上形成第一层间绝缘层30；去除第一层间绝缘层30的一部分以形成暴露衬底10的上表面的第一孔；在第一层间
绝缘层30上形成第一接触插塞层以使其位于第一孔中(例如，以使其填充第一孔)；以及对第一接触插塞层进行平坦化直到暴露第一层间绝缘层30的上表面。
[0022]在示例实施例中，多个第一接触插塞20可以在平行于衬底10的上表面的水平方向上彼此间隔开。
[0023]第一接触插塞20可以包括金属(例如，钨、铝、铜等)，并且第一层间绝缘层30可以包括氧化物(例如，氧化硅)。
[0024]参照图2，可以在第一接触插塞20和第一层间绝缘层30上形成模制层，并且可以去除模制层的一部分以形成暴露第一接触插塞20和第一层间绝缘层30的上表面的一部分的开口。
[0025]可以在模制层上形成电极层以使其位于开口中(例如，以使其填充开口)，并对电极层进行平坦化直到暴露模制层的上表面以形成第一电极42和第二电极44。即，可以对电极层进行图案化以形成第一电极42和第二电极44。第一电极42本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体器件，包括：衬底上的第一接触插塞；电容器，包括：第一电极，接触所述第一接触插塞的上表面，所述第一电极沿基本垂直于所述衬底的上表面的竖直方向延伸；第二电极，与所述第一电极间隔开，所述第二电极沿所述竖直方向延伸，并且包括分别与所述第一电极的下表面和上表面基本共面的下表面和上表面；介电层，在所述第一电极和所述第二电极的侧壁上；绝缘分隔层，在所述介电层的在所述第一电极和所述第二电极的侧壁上的部分之间；以及第二接触插塞，接触所述第二电极的上表面。2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述介电层在所述第一电极的上表面上，并且其中，所述第二接触插塞延伸穿过所述介电层。3.根据权利要求2所述的半导体器件，其中，所述介电层的在所述第一电极和所述第二电极的侧壁上的所述部分是通过所述介电层的底部彼此连接的侧壁部分，所述介电层的底部在所述侧壁部分之间连续延伸。4.根据权利要求2所述的半导体器件，其中，所述绝缘分隔层和所述介电层包括分别不同的材料，其中，所述绝缘分隔层在所述介电层的上表面上，并且其中，所述第二接触插塞延伸穿过所述绝缘分隔层和所述介电层。5.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述介电层的上表面与所述第一电极和所述第二电极的上表面基本共面。6.根据权利要求5所述的半导体器件，其中，所述绝缘分隔层和所述介电层包括分别不同的材料，并且其中，所述介电层的在所述第一电极和所述第二电极的侧壁上的所述部分通过所述绝缘分隔层彼此间隔开。7.根据权利要求6所述的半导体器件，其中，所述绝缘分隔层的下表面与所述第一电极和所述第二电极的下表面基本共面。8.根据权利要求5所述的半导体器件，其中，所述绝缘分隔层在所述第一电极的上表面上，并且其中，所述第二接触插塞延伸穿过所述绝缘分隔层。9.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括：所述衬底和所述第一接触插塞的侧壁上的层间绝缘层，其中，在垂直于所述竖直方向的水平方向上，所述介电层的在所述第一电极和所述第二电极的侧壁上的所述部分均比所述第一接触插塞、所述第一电极和所述第二电极中的每一个薄。10.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括：所述电容器上的层间绝缘层，其中，所述第二接触插塞延伸穿过所述层间绝缘层。
11.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括：接触所述第二接触插塞的上表面的布线。12.一种半导体器件，包括：衬底上的第一接触插塞，所述第一接触插塞在基本平行于所述衬底的上表面的水平方向上彼此间隔开；第一电极，分别接触所述第一接触插塞，每一个所述第一电极沿基本垂直于所述衬底的上表面的竖直方向延伸；第二电极，在所述水平方向上与所述第一电极间...

【专利技术属性】
技术研发人员：朴正敏，林汉镇，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：