动态随机存取存储器结构制造技术

本发明专利技术公开一种动态随机存取存储器结构，包括至少一个存储单元。存储单元包括基底、栅极结构、第一电容器、第一位线结构、第二电容器与第二位线结构。基底具有相对的第一面与第二面。栅极结构贯穿基底。第一电容器位于基底的第一面上。第一位线结构位于基底的第二面上。第二电容器位于基底的第二面上。第二位线结构位于基底的第一面上。位于基底的第一面上。位于基底的第一面上。

【技术实现步骤摘要】
动态随机存取存储器结构


[0001]本专利技术涉及一种半导体结构，且特别涉及一种动态随机存取存储器(dynamic random access memory，DRAM)结构。

技术介绍

[0002]目前发展出一种动态随机存取存储器，其包括晶体管与电容器。在此种动态随机存取存储器中，使用电容器作为存储节点(storage node)。然而，如何进一步地提升存储器元件的位密度、电性表现与操作速度为目前持续努力的目标。

技术实现思路

[0003]本专利技术提供一种动态随机存取存储器结构，其可有效地提升存储器元件的位密度、电性表现与操作速度。
[0004]本专利技术提出一种动态随机存取存储器结构，包括至少一个存储单元。存储单元包括基底、栅极结构、第一电容器、第一位线结构、第二电容器与第二位线结构。基底具有相对的第一面与第二面。栅极结构贯穿基底。第一电容器位于基底的第一面上。第一位线结构位于基底的第二面上。第二电容器位于基底的第二面上。第二位线结构位于基底的第一面上。
[0005]依照本专利技术的一实施例所述，在上述动态随本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种动态随机存取存储器结构，包括至少一个存储单元，其中所述存储单元包括：基底，具有相对的第一面与第二面；栅极结构，贯穿所述基底；第一电容器，位于所述基底的所述第一面上；第一位线结构，位于所述基底的所述第二面上；第二电容器，位于所述基底的所述第二面上；以及第二位线结构，位于所述基底的所述第一面上。2.如权利要求1所述的动态随机存取存储器结构，其中所述基底包括：第一沟道区，位于所述第一电容器与所述第一位线结构之间；以及第二沟道区，位于所述第二电容器与所述第二位线结构之间。3.如权利要求2所述的动态随机存取存储器结构，其中所述存储单元还包括：隔离结构，位于所述基底中，其中所述第一沟道区位于所述栅极结构的一侧，且位于所述栅极结构与所述隔离结构之间，且所述第二沟道区位于所述栅极结构的另一侧，且位于所述栅极结构与所述隔离结构之间。4.如权利要求1所述的动态随机存取存储器结构，其中所述栅极结构包括：栅极，位于所述基底中；以及介电层，位于所述栅极与所述基底之间。5.如权利要求4...

【专利技术属性】
技术研发人员：蔡佳宏，
申请(专利权)人：力晶积成电子制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：