存储器件及其制造方法技术

本公开涉及存储器件及其制造方法。在实施例中，一种存储器件包括存储单元阵列、第一虚设电容器、第二虚设电容器和第三虚设电容器。存储单元阵列包括形成在基板上的栅极结构、与栅极结构相邻的第一有源区、设置在栅极结构与第一有源区之间的栅极绝缘层、以及连接到第一有源区的单元电容器。第一虚设电容器和第二虚设电容器沿着第一方向和竖直方向延伸，并且被设置为在第二方向上与存储单元阵列相邻。第三虚设电容器沿着第二方向和竖直方向延伸，并且被设置为在第一方向上与存储单元阵列相邻。存储单元阵列设置在第一虚设电容器与第二虚设电容器之间。电容器之间。电容器之间。

【技术实现步骤摘要】
存储器件及其制造方法
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]本申请要求于2021年11月25日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请No.10
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2021
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0164383和于2022年3月7日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请No.10
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2022
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0028804的优先权，其全部公开内容通过引用并入本文。


[0003]本公开涉及一种存储器件及其制造方法。

技术介绍

[0004]从生产线分发的存储器件可以通过各种运输方式交付给用户。当存储器件出口到国外时，可能使用诸如船舶或飞行器之类的运输工具。飞行器成本高，但支持快速运输。然而，在通过飞行器运输存储器件的情况下，取决于飞行器的路线和高度，存储器件可能受到辐射的影响，并且可能由于辐射而出现产品缺陷。

技术实现思路

[0005]本公开的一个方面提供了一种存储器件，该存储器件包括能够通过屏蔽存储器元件来抑制存储器元件出现缺陷的结构，否则，该存储器元件可能由于辐射的影响而变得有缺陷。
[0006]本公开的另一方面提供一种制造存储器件的方法，该方法能够形成用于屏蔽存储器元件的结构而无需单独附加工艺。
[0007]根据本公开的一方面，一种存储器件包括存储单元阵列、第一虚设电容器、第二虚设电容器和第三虚设电容器。存储单元阵列包括形成在基板上的栅极结构、与栅极结构相邻的第一有源区、设置在栅极结构与第一有源区之间的栅极绝缘层、以及连接到第一有源区并沿着相对于基板的表面的竖直方向延伸的单元电容器。第一虚设电容器和第二虚设电容器沿着第一方向和竖直方向延伸，并且被设置为在与第一方向相交的第二方向上与存储单元阵列相邻。第一方向和第二方向平行于基板的表面。第三虚设电容器沿着第二方向和竖直方向延伸，并且被设置为在第一方向上与存储单元阵列相邻。存储单元阵列设置在第一虚设电容器与第二虚设电容器之间。
[0008]根据本公开的另一方面，一种存储器件包括基板、多个单元电容器、多个第一虚设电容器、以及多个第二虚设电容器。基板包括第一区和第二区，其中第一区具有字线和位线。第二区围绕第一区。多个单元电容器从第一区沿着相对于基板的表面的竖直方向延伸。多个单元电容器中的每个单元电容器连接到字线中的一个和位线中的一个。多个第一虚设电容器从第二区沿着竖直方向和字线所延伸的第一方向延伸。多个第一虚设电容器在与基板的表面平行的第二方向上与第一区相邻。多个第二虚设电容器从第二区沿着竖直方向和位线所延伸的第二方向延伸。多个第二虚设电容器在第一方向上与第一区相邻。
[0009]根据本公开的另一方面，一种制造存储器件的方法包括在基板的第一区中形成器
件分离层，该基板包括第一区和围绕第一区的第二区。该方法还包括在基板上的第一区中形成多个栅极结构。该方法还包括在多个栅极结构中的彼此相邻的栅极结构的对之间形成连接到基板的第一接触部。该方法还包括：当形成第一接触部时，在第一区中形成连接到第一接触部的位线结构。该方法还包括在第一区中形成连接到基板的第二接触部。该方法还包括在第二区中形成连接到基板的第三接触部。该方法还包括在第一区中形成连接到第二接触部的多个单元电容器。该方法还包括在第二区中形成连接到第三接触部的多个虚设电容器，其中，多个单元电容器和多个虚设电容器是同时形成的，并且其中，第二接触部和第三接触部是同时形成的。
附图说明
[0010]根据结合附图的以下详细描述，将更清楚地理解本公开的上述和其他方面、特征和优点，在附图中：
[0011]图1和图2是示出了根据本公开的示例实施例的存储器件的图；
[0012]图3是示意性地示出了根据本公开的示例实施例的存储器件的框图；
[0013]图4是示出了根据本公开的示例实施例的存储器件的存储单元阵列的电路图；
[0014]图5是根据本公开的示例实施例的存储器件的存储单元阵列的示意性平面图；
[0015]图6是图5所示的存储单元阵列的沿A
‑
A
’
线截取的截面图；
[0016]图7是根据本公开的示例实施例的存储器件的平面图；
[0017]图8是沿图7的平面图的A
‑
A
’
、B
‑
B
’
、C
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C
’
线截取的截面图；
[0018]图9是沿图7的平面图的D
‑
D
’
线截取的截面图；
[0019]图10A和图10B是图8的截面图中的部分“E”的放大图；
[0020]图11是沿图7的平面图的A
‑
A
’
、B
‑
B
’
、C
‑
C
’
线截取的截面图；
[0021]图12是沿图7的平面图的D
‑
D
’
线截取的截面图；
[0022]图13是沿图7的平面图的A
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A'、B
‑
B
’
、C
‑
C
’
线截取的截面图；
[0023]图14至图22是提供为示出根据本公开的示例实施例的制造存储器件的方法的图；以及
[0024]图23至图26是根据本公开的各种示例实施例的存储器件的平面图。
具体实施方式
[0025]本文描述的实施例是示例实施例，因此，本公开不限于此，并且可以以各种其他形式来实现。
[0026]将理解的是，当元件或层被称为在另一元件或层“上面”、“之上”、“上”、“下”、“下面”、“下方”、“连接到”或“耦接到”另一元件或层时，其可以直接在该另一元件或层上面、之上、上、下、下面、下方，直接连接到或耦接到该另一元件或层，或者可以存在中间元件或层。相反，当元件被称为“直接在”另一元件或层“上面”、“之上”、“上”、“之下”、“下面”、“下方”、“直接连接到”或“直接耦接到”另一元件或层时，不存在中间元件或层。
[0027]如本文所使用的，诸如“......的至少一个”的表述在元素列表之后修饰整个元素列表而不是修饰列表中的单独元素。例如，表述“a、b和c中的至少一个”应该理解为仅包括a、仅包括b、仅包括c、包括a和b两者、包括a和c两者、包括b和c二者、或包括a、b和c的全部。
[0028]在下文中，将参考附图描述本公开的示例实施例。
[0029]图1和图2是示出了根据本公开的示例实施例的存储器件的图。
[0030]参考图1，根据本公开的示例实施例的存储器模块1可以包括多个存储器芯片2、其上安装有多个存储器芯片2的基板3等。可以在基板3的一端处提供用于交换数据的输入/输出(I/O)引脚4。多个存储器芯片2可以通过I/O引脚4接收数据并存储接收的数据，或者可以通过I/O引脚4输出数据。尽管一个存储器模块1被示为包括图1中本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种存储器件，包括：存储单元阵列，包括形成在基板上的栅极结构、与所述栅极结构相邻的第一有源区、设置在所述栅极结构与所述第一有源区之间的栅极绝缘层、以及连接到所述第一有源区并沿着相对于所述基板的表面的竖直方向延伸的单元电容器；第一虚设电容器和第二虚设电容器，沿着第一方向和所述竖直方向延伸，并且被设置为在与所述第一方向相交的第二方向上与所述存储单元阵列相邻，所述第一方向和所述第二方向平行于所述基板的所述表面；以及第三虚设电容器，沿着所述第二方向和所述竖直方向延伸，并且被设置为在所述第一方向上与所述存储单元阵列相邻，其中，所述存储单元阵列设置在所述第一虚设电容器与所述第二虚设电容器之间。2.根据权利要求1所述的存储器件，其中，所述栅极结构嵌入在所述基板中。3.根据权利要求1所述的存储器件，还包括：第四虚设电容器，沿着所述第二方向和所述竖直方向延伸，并且被设置为在所述第一方向上与所述存储单元阵列相邻；以及一个或多个上接触部，在所述竖直方向上与所述第一虚设电容器、所述第二虚设电容器和所述第三虚设电容器重叠，其中，所述存储单元阵列设置在所述第三虚设电容器与所述第四虚设电容器之间。4.根据权利要求3所述的存储器件，其中，所述单元电容器包括沿着所述竖直方向延伸的第一下电极层、围绕所述第一下电极层的第一介电层、以及覆盖所述第一介电层的第一上电极层，并且其中，所述第一虚设电容器、所述第二虚设电容器、所述第三虚设电容器和所述第四虚设电容器中的每一个包括沿着所述竖直方向延伸的第二下电极层、围绕所述第二下电极层的第二介电层、以及覆盖所述第二介电层的第二上电极层。5.根据权利要求4所述的存储器件，其中，所述一个或多个上接触部穿过所述第二上电极层。6.根据权利要求5所述的存储器件，其中，所述一个或多个上接触部还穿过所述第二介电层。7.根据权利要求4所述的存储器件，其中，所述一个或多个上接触部和所述第二下电极层由相同的材料形成。8.根据权利要求3所述的存储器件，其中，所述存储器件还包括上导电层，所述上导电层与所述一个或多个上接触部接触，并被设置为覆盖所述单元电容器的上表面。9.根据权利要求4所述的存储器件，其中，所述基板还包括围绕所述存储单元阵列的第二有源区，并且其中，所述存储器件还包括将所述第二下电极层连接到所述第二有源区的第一接触部。10.根据权利要求9所述的存储器件，其中所述基板还包括围绕所述存储单元阵列的虚设电容器区、以及形成在所述虚设电容器区中的器件分离层，并且其中，所述存储器件还包括第二接触部，所述第二接触部将形成在所述虚设电容器区
中的器件分离层连接到所述第二下电极层。11.根据权利要求4所述的存储器件，其中，所述第一下电极层和所述第二下电极层由相同的材料形成。12.根据权利要求4所述的存储器件，其中，所述第一下电极层的第一下表面与所述基板的所述表面之间在所...

【专利技术属性】
技术研发人员：李善行，张日午，洪智琡，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：