动态存储器及存储装置制造方法及图纸

本申请提供一种动态存储器及存储装置，动态存储器中的存储单元包括层叠设置的第一层MOS管组件以及第二层MOS管组件。通过在第一层MOS管组件中设置第一MOS管和第二MOS管，第一MOS管和第二MOS管的栅极电容可作为存储单元的存储电容，由此提高了动态存储器的存储容量。使第一MOS管和第二MOS管共用源极，并使第三MOS管和第四MO管共用源极，可以减少第一层MOS管组件以及第二层MOS管组件所占的面积。因此在增加了MOS管数量、提高了动态存储器容量的同时，也不会增加过多的占用面积，更有利于器件的集成。另外通过将读位线设置在第一层MOS管组件远离第二层MOS管组件的一侧，将写位线设置在第二层MOS管组件远离第一层MOS管组件的一侧，方便了走线。方便了走线。方便了走线。

【技术实现步骤摘要】
动态存储器及存储装置


[0001]本申请涉及半导体器件
，具体而言，本申请涉及一种动态存储器及存储装置。

技术介绍

[0002]动态随机存取存储器(Dynamic Random Access Memory，DRAM)是一种半导体存储器，和静态存储器相比，DRAM存储器具有结构较为简单、制造成本较低、容量密度较高的优点，随着技术的发展，DRAM存储器越来越广泛地被应用于服务器、智能手机、个人电脑等电子装置之中。
[0003]DRAM存储器通常包括多个存储单元，为了提高DRAM存储器的容量，需要增加存储单元的数量。然而，增加存储单元的数量又占用较大的面积，使得结构不够紧凑，不利于器件的集成。

技术实现思路

[0004]本申请针对现有方式的缺点，提出一种动态存储器及存储装置，用以解决现有技术中DRAM存储器存在的占用面积较大和结构不够紧凑的问题。
[0005]1.一种动态存储器，包括多个存储单元，其特征在于，所述存储单元包括：
[0006]第一层MOS管组件，包括第一MOS管和第二MOS管，所述第一MOS本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种动态存储器，包括多个存储单元，其特征在于，所述存储单元包括：第一层MOS管组件，包括第一MOS管和第二MOS管，所述第一MOS管和所述第二MOS管均为金属氧化物薄膜晶体管，所述第一MOS管和所述第二MOS管共用源极；第二层MOS管组件，位于所述第一层MOS管组件的一侧，包括第三MOS管和第四MOS管，所述第三MOS管和所述第四MOS管均为金属氧化物薄膜晶体管，所述第三MOS管和所述第四MOS管共用源极；读位线，位于所述第一层MOS管组件远离所述第二层MOS管组件的一侧，与所述第一MOS管和所述第二MOS管的源极电连接；写位线，位于所述第二层MOS管组件远离所述第一层MOS管组件的一侧，与所述第三MOS管和所述第四MOS管的源极电连接；两条读字线，位于所述第一层MOS管组件远离所述第二层MOS管组件的一侧，分别与所述第一MOS管和所述第二MOS管的漏极电连接；两条写字线，分别与所述第三MOS管和所述第四MOS管的栅极电连接；所述第一MOS管的栅极与所述第三MOS管的漏极电连接，所述第二MOS管的栅极与所述第四MOS管的漏极电连接。2.根据权利要求1所述的动态存储器，其特征在于，所述第一MOS管和所述第二MOS管的有源层材料包括ITO、IWO或IGZO，所述第三MOS管和所述第四MOS管的有源层材料包括包括ITO、IWO或IGZO。3.根据权利要求2所述的动态存储器，其特征在于，所述读位线通过接触点与所述第一MOS管以及所述第二MOS管的源极电连接。4.根据权利要求3所述的动态...

【专利技术属性】
技术研发人员：戴瑾，
申请(专利权)人：北京超弦存储器研究院，
类型：发明
国别省市：