薄膜晶体管和显示器制造技术

提供了一种可以可靠地防止光进入到活性层中的薄膜晶体管，以及包括该薄膜晶体管的显示器。该薄膜晶体管包括：栅极电极；活性层；以及设置在所述栅极电极和所述活性层之间的栅极绝缘膜，所述栅极绝缘膜包括第一绝缘膜、第一光吸收层和第二绝缘膜，所述第一绝缘膜被布置成与所述栅极电极接触，所述第一光吸收层被布置成与所述第一绝缘膜接触并且由用于吸收波长为４２０ｎｍ以下的光的材料制成，所述第二绝缘膜被布置在所述第一光吸收层和所述活性层之间。本发明专利技术的薄膜晶体管能使第一光吸收层与活性层之间的距离变得非常小，因而可靠地防止光进入到活性层中，并且使特性稳定化。所以，能防止诸如对比度或亮度等显示质量的劣化。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及包括由氧化物导体或硅(Si)制成的活性层的薄膜晶体管 (TFT)，以及包括该薄膜晶体管的显示器。
技术介绍
薄膜晶体管作为液晶显示器或有机电致发光(EL)显示器的基础技术 已得到广泛的应用。对于作为显示器的活性层的一般性半导体膜，可以 使用非结晶状态的硅(Si)膜(所谓的非晶硅膜)或者通过准分子激光或固相 生长(solid-phasegrowth)而结晶化的多晶硅膜。而且，近年来，已经提出， 可以使用能够通过诸如溅射方法等低成本设备而形成的金属氧化物来作 为半导体膜。在大多数使用硅膜作为活性层的薄膜晶体管中，设置有遮光膜以防 止光进入到该硅膜中。而且，已经知道的是，在金属氧化物半导体中， 由于光诱导而会产生电导率变化(例如，参照日本专利申请公开公报No. 2007-115902 (图8))，所以提出要设置遮光膜。然而，因为使用诸如金属或硅等具有导电性的材料作为遮光膜的材 料，所以在对薄膜晶体管的特性的影响方面而言，难以使遮光膜和活性 层彼此足够地接近，并且不足以实现遮光。而且，由于要设置遮光膜而 使制造步骤复杂。
技术实现思路
本专利技术的目的是提供一种能够可靠地防止光进本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种薄膜晶体管，其包括：　栅极电极；　活性层；以及　布置在所述栅极电极和所述活性层之间的栅极绝缘膜，所述栅极绝缘膜包括第一绝缘膜、第一光吸收层和第二绝缘膜，所述第一绝缘膜被布置成与所述栅极电极接触，所述第一光吸收层被布置成 与所述第一绝缘膜接触并且由用于吸收波长为４２０ｎｍ以下的光的材料制成，所述第二绝缘膜被布置在所述第一光吸收层和所述活性层之间。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：达拉姆帕尔高赛因，田中勉，诸沢成浩，
申请(专利权)人：索尼株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]