光耦合器封装结构制造技术

一种光耦合器封装结构，包括晶圆及两个或两个以上的光耦合器，该两个或两个以上光耦合器设置在该晶圆上。该两个或两个以上光耦合器的每一个包括第一光侦测器、第二光侦测器、第一绝缘层、第二绝缘层及第一发光二极体，该第一光侦测器形成在该晶圆上，该第二光侦测器形成在该晶圆上，该第一绝缘层设置在该第一光侦测器及该晶圆上，该第二绝缘层设置在该第二光侦测器及该晶圆上，该第一发光二极体对应该第一光侦测器设置在该第一绝缘层上。该第一绝缘层连接至该第二绝缘层；该第一光侦测器的第一形状与该第二光侦测器的第二形状相同。形状与该第二光侦测器的第二形状相同。形状与该第二光侦测器的第二形状相同。

【技术实现步骤摘要】
光耦合器封装结构


[0001]本申请有关于一种封装结构，特别是一种光耦合器封装结构。

技术介绍

[0002]光耦合器(photo
‑
coupler或opto
‑
coupler)是以光(例如可见光或红外线)作为媒介来传递电信号的光电转换元件，其基本上包括了光侦测器(photo detector)与发光二极体，且光侦测器与发光二极体两者之间除了光线之外，不会有任何电气连接。光耦合器可用于电路隔离，且可以使用光电二极体(photo diode)或光电晶体(photo transistor)作为光侦测器。
[0003]目前光耦合器可分为左右式(或侧向式)结构与上下式(或对面式)结构；对于左右式结构的光耦合器来说，发光二极体与光侦测器分别属于光耦合器内的左右相对位置；对于上下式结构的光耦合器来说，发光二极体与光侦测器分别属于光耦合器内的上下相对位置。
[0004]然而，不论是左右式结构的光耦合器或上下式结构的光耦合器，因为都是在光侦测器切单(singulation)之后才与发光二极体分别上件到导线架上以进行组合，所以都具有工序制造成本过高的问题，而此问题亟待改善。

技术实现思路

[0005]为解决上述问题，本申请的目的在于提供一种光耦合器封装结构。
[0006]为达成本申请的上述目的，本申请的光耦合器封装结构包括：晶圆；及两个或两个以上的光耦合器，该两个或两个以上光耦合器设置在该晶圆上，其中，该两个或两个以上光耦合器的每一个包括：第一光侦测器，该第一光侦测器形成在该晶圆上；第二光侦测器，该第二光侦测器形成在该晶圆上；第一绝缘层，该第一绝缘层设置在该第一光侦测器及该晶圆上；第二绝缘层，该第二绝缘层设置在该第二光侦测器及该晶圆上；及第一发光二极体，该第一发光二极体对应该第一光侦测器设置在该第一绝缘层上，其中，该第一绝缘层连接至该第二绝缘层；该第一光侦测器的第一形状与该第二光侦测器的第二形状相同。
[0007]再者，该两个或两个以上光耦合器的每一个还包括：第二发光二极体，该第二发光二极体对应该第二光侦测器设置在该第二绝缘层上。
[0008]再者，在第一具体实施例当中，该第一绝缘层为透光绝缘层；该第二绝缘层为透光绝缘层。
[0009]再者，在第一具体实施例当中，该光耦合器封装结构还包括：两个或两个以上的接合焊垫，该两个或两个以上接合焊垫形成在该晶圆上并且电性连接至该两个或两个以上光耦合器。
[0010]再者，在第二具体实施例当中，该第一绝缘层包括：第一透光绝缘层，该第一透光绝缘层设置在该第一光侦测器及该晶圆上，该第一发光二极体对应该第一光侦测器设置在该第一透光绝缘层上；及第一遮光绝缘层，该第一遮光绝缘层设置在该第一光侦测器及该
晶圆上，该第一遮光绝缘层围绕该第一透光绝缘层。
[0011]再者，在第二具体实施例当中，该第二绝缘层包括：第二透光绝缘层，该第二透光绝缘层设置在该第二光侦测器及该晶圆上，该第二发光二极体对应该第二光侦测器设置在该第二透光绝缘层上；及第二遮光绝缘层，该第二遮光绝缘层设置在该第二光侦测器及该晶圆上，该第二遮光绝缘层围绕该第二透光绝缘层，其中，该第一遮光绝缘层连接至该第二遮光绝缘层。
[0012]再者，在第二具体实施例当中，该光耦合器封装结构还包括：两个或两个以上的接合焊垫，该两个或两个以上接合焊垫形成在该晶圆上并且电性连接至该两个或两个以上光耦合器。
[0013]再者，在第三具体实施例当中，该第一绝缘层包括：第一遮光绝缘层，该第一遮光绝缘层设置在该第一光侦测器及该晶圆上；及第一透光绝缘层，该第一透光绝缘层设置在该第一光侦测器、该晶圆及该第一遮光绝缘层上，该第一发光二极体对应该第一光侦测器设置在该第一透光绝缘层上。
[0014]再者，在第三具体实施例当中，该第二绝缘层包括：第二遮光绝缘层，该第二遮光绝缘层设置在该第二光侦测器及该晶圆上；及第二透光绝缘层，该第二透光绝缘层设置在该第二光侦测器、该晶圆及该第二遮光绝缘层上，该第二发光二极体对应该第二光侦测器设置在该第二透光绝缘层上，其中，该第一遮光绝缘层连接至该第二遮光绝缘层；该第一透光绝缘层连接至该第二透光绝缘层。
[0015]再者，在第三具体实施例当中，该光耦合器封装结构还包括：两个或两个以上的接合焊垫，该两个或两个以上接合焊垫形成在该晶圆上并且电性连接至该两个或两个以上光耦合器。
[0016]本申请的功效在于降低光耦合器的工序制造成本。
[0017]为了能更进一步了解本申请为达成预定目的所采取的技术、手段及功效，请参阅以下有关本申请的详细说明与附图，相信本申请的目的、特征与特点，当可由此得到深入且具体的了解，然而所附图式仅提供参考与说明用，并非用来对本申请加以限制。
[0018]上述概述仅仅是为了说明书的目的，并不意图以任何方式进行限制。除上述描述的示意性的方面、实施方式和特征之外，通过参考附图和以下的详细描述，本申请进一步的方面、实施方式和特征将会是容易明白的。
附图说明
[0019]在附图中，除非另外规定，否则贯穿多个附图相同的附图标记表示相同或相似的部件或元素。这些附图不一定是按照比例绘制的。应该理解，这些附图仅描绘了根据本申请公开的一些实施方式，而不应将其视为是对本申请范围的限制。
[0020]图1为本申请的光耦合器封装结构的示意图。
[0021]图2为形成本申请的光耦合器的基本阶段的示意图。
[0022]图3A为形成本申请的光耦合器的第一具体实施例的第一阶段的示意图。
[0023]图3B为形成本申请的光耦合器的第一具体实施例的第二阶段的示意图。
[0024]图4A为形成本申请的光耦合器的第二具体实施例的第一阶段的示意图。
[0025]图4B为形成本申请的光耦合器的第二具体实施例的第二阶段的示意图。
[0026]图4C为形成本申请的光耦合器的第二具体实施例的第三阶段的示意图。
[0027]图5A为形成本申请的光耦合器的第三具体实施例的第一阶段的示意图。
[0028]图5B为形成本申请的光耦合器的第三具体实施例的第二阶段的示意图。
[0029]图5C为形成本申请的光耦合器的第三具体实施例的第三阶段的示意图。
[0030]附图标记说明：
[0031]10：光耦合器封装结构；
[0032]20：晶圆；
[0033]30：光耦合器；
[0034]40：接合焊垫；
[0035]302：第一光侦测器；
[0036]304：第二光侦测器；
[0037]306：第一绝缘层；
[0038]308：第二绝缘层；
[0039]310：第一发光二极体；
[0040]312：第二发光二极体；
[0041]3061：第一透光绝缘层；
[0042]3062：第一遮光绝缘层；
[0043]3081：第二透光绝缘层；
[0044]本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种光耦合器封装结构，其特征在于，包括：晶圆；及两个或两个以上的光耦合器，该两个或两个以上光耦合器设置在该晶圆上，其中，该两个或两个以上光耦合器的每一个包括：第一光侦测器，该第一光侦测器形成在该晶圆上；第二光侦测器，该第二光侦测器形成在该晶圆上；第一绝缘层，该第一绝缘层设置在该第一光侦测器及该晶圆上；第二绝缘层，该第二绝缘层设置在该第二光侦测器及该晶圆上；及第一发光二极体，该第一发光二极体对应该第一光侦测器设置在该第一绝缘层上，其中，该第一绝缘层连接至该第二绝缘层；该第一光侦测器的第一形状与该第二光侦测器的第二形状相同。2.根据权利要求1所述的光耦合器封装结构，其中，该两个或两个以上光耦合器的每一个还包括：第二发光二极体，该第二发光二极体对应该第二光侦测器设置在该第二绝缘层上。3.根据权利要求2所述的光耦合器封装结构，其中，该第一绝缘层为透光绝缘层；该第二绝缘层为透光绝缘层。4.根据权利要求3所述的光耦合器封装结构，还包括：两个或两个以上的接合焊垫，该两个或两个以上接合焊垫形成在该晶圆上并且电性连接至该两个或两个以上光耦合器。5.根据权利要求2所述的光耦合器封装结构，其中，该第一绝缘层包括：第一透光绝缘层，该第一透光绝缘层设置在该第一光侦测器及该晶圆上，该第一发光二极体对应该第一光侦测器设置在该第一透光绝缘层上；及第一遮光绝缘层，该第一遮光绝缘层设置在该第一光侦测器及该晶圆上，该第一遮光绝缘层围绕该第一透光绝缘层。6.根据权利要求5所述的光耦合器封装...

【专利技术属性】
技术研发人员：梁伟成，张平，
申请(专利权)人：喆富创新科技股份有限公司，
类型：新型
国别省市：