电容式高压开关的电路架构制造技术

本实用新型专利技术公开一种电容式高压开关的电路架构，其包括一控制调变与驱动电路、一能源与解调电路、一控制电路以及一开关电路，所述控制调变与驱动电路借由一隔离电容与所述能源与解调电路耦接，并由所述控制电路产生一控制信号给所述开关电路，以对所述开关电路切换导通或截止，如此，达到提升整体电路控制的速度与稳定性的目的。度与稳定性的目的。度与稳定性的目的。

【技术实现步骤摘要】
电容式高压开关的电路架构


[0001]本技术是关于一种电路架构，尤指一种电容式高压开关的电路架构。

技术介绍

[0002]习知的一种电压开关电路，主要由一阻抗产生一开关控制信号，并以所述开关控制信号控制两个晶体管所组成，在实际的应用状态，当所述两个晶体管导通时，则所述电压开关电路亦会导通。
[0003]然而，现有技术在控制所述电压开关电路时，所述阻抗与所述两个晶体管之间有所耦接，如果要增加速度，势必需要增加耗能，导致所述开关控制信号功能受限，从而对所述电压开关电路的控制有所影响。
[0004]因此，现有技术确实存在进一步的改良必要。

技术实现思路

[0005]有鉴于上述现有技术的不足，本技术主要目的在于提供一种电容式高压开关的电路架构，借由电容的特性而控制开关的架构，以提升整体电路控制的速度与稳定性。
[0006]为达成上述目的所采取的主要技术手段，是令前述电容式高压开关的电路架构包括：
[0007]一控制调变与驱动电路；
[0008]一隔离电容，其与所述控制调变与驱动电路耦接；
[0009]一能源与解调电路，其与所述隔离电容耦接；
[0010]一控制电路，其与所述能源与解调电路耦接，产生一控制信号；
[0011]一开关电路，其与所述控制电路耦接，且根据所述控制信号切换导通或截止。
[0012]较佳的，所述隔离电容包括：
[0013]一第一电容器，其具有一第一端及一第二端；
[0014]一第二电容器，其具有一第一端以及一第二端；
[0015]其中，所述第一电容器的第一端与所述第二电容器的第一端分别耦接所述控制调变与驱动电路，所述第一电容器的第二端与所述第二电容器的第二端分别耦接所述能源与解调电路。
[0016]较佳的，所述控制调变与驱动电路提供一驱动信号给所述隔离电容，所述隔离电容产生一差动信号给所述能源与解调电路，所述能源与解调电路根据所述差动信号产生一参考信号，所述控制电路根据所述参考信号产生所述控制信号，对所述开关电路进行导通或截止。
[0017]较佳的，所述能源与解调电路包括：
[0018]一全波整流电路，其将所述隔离电容的所述差动信号解调成所述参考信号。
[0019]较佳的，所述开关电路是由一金属氧化物半导体开关电路构成。
[0020]较佳的，所述开关电路更包括：
[0021]一第一晶体管；
[0022]一第二晶体管；
[0023]其中，所述第一晶体管的栅极与所述第二晶体管的栅极耦接，并构成一栅极端，所述开关电路通过所述栅极端与所述控制电路耦接。
[0024]较佳的，所述第一晶体管可由一MOS晶体管所构成，所述第二晶体管可由一MOS晶体管所构成。
[0025]本技术通过上述电容式高压开关的电路架构，进而由所述控制电路产生所述控制信号，所述开关电路根据所述控制信号进行导通或截止，可消除不必要的干扰，进一步产生稳定的控制，如此，达到提升整体电路控制的速度与稳定性的目的。
附图说明
[0026]图1是本技术的具体实施例的方块图。
[0027]图2是本技术的具体实施例的内部电路图。
[0028]图3是本技术的具体实施例的另一方块图。
具体实施方式
[0029]以下将配合相关附图来说明本新型的实施例。在这些附图中，相同的标号表示相同或类似的元件或方法流程。
[0030]关于本技术的电容式高压开关的电路架构1的具体实施例，请参考图1、2所示，所述电容式高压开关的电路架构1包括一控制调变与驱动电路10、一隔离电容20、一能源与解调电路30、一控制电路40、一开关电路50以及一共地端GND，所述控制调变与驱动电路10借由所述隔离电容20耦接所述能源与解调电路30，所述控制电路40分别耦接所述能源与解调电路30、所述开关电路50，所述开关电路50与所述能源与解调电路30以及所述控制电路40分别耦接到一共地端GND；其中，所述控制电路40产生一控制信号给所述开关电路50，以对所述开关电路50切换导通或截止，提升整体电路控制的速度与稳定性。在本实施例中，所述开关电路50具有一第一向外接点A以及一第二向外接点B，所述第一向外接点A以及所述第二向外接点B是相对设置。
[0031]在本实施例中，如图1、2所示，所述隔离电容20进一步包括一第一电容器C1与一第二电容器C2，且所述第一电容器C1与所述第二电容器C2相互匹配设置，所述第一电容器C1具有一第一端N1及一第二端N3，以及所述第二电容器C2具有一第一端N2及一第二端N4；其中，所述第一电容器C1的第一端N1与所述第二电容器C2的第一端N2分别耦接到所述控制调变与驱动电路10，所述第一电容器C1的第二端N3与所述第二电容器C2的第二端N4分别耦接到所述能源与解调电路30。
[0032]为举例说明本技术的应用方式，如图1、2所示，所述控制调变与驱动电路10提供一驱动信号给所述隔离电容20的第一电容器C1及第二电容器C2，所述驱动信号经过所述隔离电容20的第一电容器C1以及第二电容器C2，当所述隔离电容20产生一差动信号给所述能源与解调电路30，则所述能源与解调电路30根据所述差动信号产生一参考信号，并将所述参考信号提供给所述控制电路40，所述控制电路40根据所述参考信号产生所述控制信号，并将所述控制信号提供给所述开关电路50，所述开关电路50根据所述控制电路40提供
的控制信号进行导通或截止。
[0033]在本实施例中，所述能源与解调电路30可包括一全波整流电路(Full Wave Rectifier)，所述能源与解调电路30的全波整流电路耦接所述隔离电容20，所述能源与解调电路30的储能元件耦接所述控制电路40；借由所述能源与解调电路30的全波整流电路，将所述隔离电容20的第一电容器C1与第二电容器C2所提供的所述差动信号解调成所述参考信号。
[0034]在本实施例中，仍如图1、2所示，所述开关电路50具有一栅极端G以及一源极端S，所述栅极端G与所述源极端S是相对设置，且与所述第一向外接点A以及所述第二向外接点B是不同侧，所述开关电路50通过所述栅极端G与所述控制电路40耦接，以从所述控制电路40接收所述控制信号，所述开关电路50通过所述源极端S耦接到所述共地端GND。在本实施例中，所述开关电路50可由一金属氧化物半导体(Metal
‑
Oxide
‑
Semiconductor，MOS)开关电路构成。值得一提的是，所述共地端GND与所述控制调变与驱动电路10隔离，所述共地端GND与所述源极端S耦接，为所述能源与解调电路30、所述控制电路40以及所述开关电路50的共地，这是一种浮接共地(floating ground)的设计，所述浮接共地在电力电子电路的领域实属常见，无庸赘述。
[0035]当所述控制电路40产生所述控制信号给所述开关电路50的栅极端G时，本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种电容式高压开关的电路架构，其特征在于，所述电容式高压开关的电路架构包括：一控制调变与驱动电路；一隔离电容，其与所述控制调变与驱动电路耦接；一能源与解调电路，其与所述隔离电容耦接；一控制电路，其与所述能源与解调电路耦接，产生一控制信号；一开关电路，其与所述控制电路耦接，且根据所述控制信号切换导通或截止。2.根据权利要求1所述的电容式高压开关的电路架构，其特征在于，所述隔离电容包括：一第一电容器，其具有一第一端及一第二端；一第二电容器，其具有一第一端以及一第二端；其中，所述第一电容器的第一端与所述第二电容器的第一端分别耦接所述控制调变与驱动电路，所述第一电容器的第二端与所述第二电容器的第二端分别耦接所述能源与解调电路。3.根据权利要求1所述的电容式高压开关的电路架构，其特征在于，所述控制调变与驱动电路提供一驱动信号给所述隔离电容，所述隔离电容产生一差动信号给所述能源与解调电路，...

【专利技术属性】
技术研发人员：张平，梁伟成，
申请(专利权)人：喆富创新科技股份有限公司，
类型：新型
国别省市：