一种液晶面板MTD-Cu-MTD用刻蚀液及其制备方法技术

本发明专利技术涉及专利IPC分类的C23F领域，尤其涉及一种液晶面板MTD

【技术实现步骤摘要】
一种液晶面板MTD
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Cu
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MTD用刻蚀液及其制备方法


[0001]本专利技术涉及专利IPC分类的C23F领域，尤其涉及一种液晶面板MTD
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Cu
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MTD用刻蚀液及其制备方法。

技术介绍

[0002]液晶显示装置具有轻薄、节能、无辐射等众多优点，得到广泛的应用。现有的液晶显示装置通常包括背光模组、偏光片、TFT阵列基板、CF基板以及设于TFT阵列基板与CF基板之间的液晶，通过给TFT阵列基板供电来控制液晶旋转方向，将背光模组的光线投射到CF基板产生画面。
[0003]目前液晶面板生产工艺中，随着电视等液晶显示终端的大尺寸化、高分辨率及驱动频率的需求，急需解决TFT阵列基板中电阻/电容时间延迟问题。针对铜导线相对于铝导线有较低的电阻率及良好的抗电迁移能力，TFT阵列制程中的金属导线多数采用铜导线。
[0004]针对铜导线工艺，目前行业内已经用于量产的有Cu/Mo、Cu/Ti、Cu/MTD、Cu/MoNb等两层金属结构的蚀刻液。但是两层结构的顶层金属铜会存在氧化的风险，同时顶层金属铜也会有向上GI层扩散的风险，增加导线的电阻；因此目前国内一些面板厂商也在尝试在顶层铜的基础上增加一层合金层，即三层金属的结构来规避以上的风险。
[0005]目前三层铜结构主要有MTD/Cu/MTD、MoNb/Cu/MoNb、MoNb/Cu/MTD等结构。
[0006]一般三层金属蚀刻液组合物由双氧水、双氧水稳定剂、铜离子络合剂、金属缓蚀剂、蚀刻添加剂等组成；在蚀刻的过程中，由于电化学效应的影响顶层合金层经常蚀刻速率过慢，顶层金属突出的现象，即我们称之为“屋顶”现象。或者顶层合金层蚀刻速率过快，导致顶层金属侧蚀严重，严重的话可能导致光刻胶peeling，即我们称之为过刻问题，同时底层合金层由于电化学效应可能会出现undercut问题。
[0007]因此，为了解决上述问题，本申请提供了一种液晶面板MTD
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Cu
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MTD用刻蚀液。

技术实现思路

[0008]为了解决上述问题，本专利技术第一方面提供了一种液晶面板MTD
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Cu
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MTD用刻蚀液，以质量百分比计，原料包括：1～20％氧化物，0.01～5％氧化物稳定剂，1～10％有机酸，1～10％有机碱，1～5％无机酸，助剂0.5～5％，缓蚀剂0.01～5％，去离子水补充余量。
[0009]作为一种优选的方案，所述氧化物为过氧化物中的至少一种；所述过氧化物的质量百分比为5～15％。
[0010]作为一种优选的方案，所述过氧化物的质量百分比为8～12％。
[0011]作为一种优选的方案，所述氧化物稳定剂为对羟基苯磺酸、苯基脲、乙二醇单丁醚、聚乙二醇中的至少一种。
[0012]作为一种优选的方案，所述氧化物稳定剂为苯基脲，乙二醇单丁醚和聚乙二醇400，三者的质量比为0～2：0～2：2～3。
[0013]作为一种优选的方案，所述有机酸为羧酸、甲酸、乙酸、草酸、丙二酸、琥珀酸、戊二
酸、己二酸、苹果酸、乙醇酸、亚氨基乙二酸、二胺琥珀酸、二胺丙酸、1,2
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二氨基丙烷四乙酸、柠檬酸、异柠檬酸、富马酸、马来酸、酒石酸中的至少一种。
[0014]作为一种优选的方案，所述有机酸为乙醇酸，丙二酸和酒石酸，三者的质量比为0～3：0～3：0～1.5。
[0015]作为一种优选的方案，所述有机碱为乙醇胺、三乙醇胺、乙二胺、三乙胺、N,N
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二羟甲基乙二胺、N,N
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二羟甲基丙二胺、N,N
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二羟乙基丙二胺、N,N
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二羟乙基乙二胺、N,N
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二羟乙基丁二胺、N,N
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二氨甲基乙二胺、N,N
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二氨甲基丙二胺、N,N
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二氨乙基丙二胺、N,N
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二氨乙基乙二胺、N,N
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二氨乙基丁二胺中的至少一种。
[0016]作为一种优选的方案，所述无机酸为硫酸、硝酸、盐酸、氢氟酸、高氯酸、磷酸中的至少一种。
[0017]作为一种优选的方案，所述助剂为羟基羧酸类、氨基羧酸类中的至少一种。
[0018]作为一种优选的方案，所述助剂为苹果酸，甘氨酸和谷氨酸，三者的质量比为0～1.5：1：0～1.5。
[0019]作为一种优选的方案，所述缓蚀剂为含有硫原子和氮原子的脂肪类或者杂环类化合物中的至少一种。
[0020]作为一种优选的方案，所述缓蚀剂为苯并三氮唑。
[0021]作为一种优选的方案，所述氧化物与氧化物稳定剂的质量比为8～12：0.4～1。
[0022]作为一种优选的方案，所述氧化物与氧化物稳定剂的质量比为10：0.5～0.7。
[0023]本专利技术第二方面提供了一种上述液晶面板MTD
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Cu
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MTD用刻蚀液的制备方法，将所有所需原料称量并分别在搅拌容器中混合搅拌均匀，取出分装，即得。
[0024]有益效果：
[0025]1、本申请中提供了一种MTD
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Cu
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MTD用刻蚀液，其能够具有适宜的刻蚀速率，避免了现有的三层金属刻蚀液容易出现的刻蚀速度过慢导致的顶层金属突出以及刻蚀速度过快顶层侧蚀严重等现象，有效提高了刻蚀液的对于三层金属的刻蚀质量。
[0026]2、本申请中提供了一种MTD
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Cu
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MTD用刻蚀液，其通过采用的新型的双氧水稳定剂，完美解决了在蚀刻液工作过程中双氧水分解速率较快问题，延长了药液的使用寿命，增加了药液使用过程中的安全性；另一方面，本申请还采用了特殊的金属缓蚀剂，完美的控制了铜与合金金属的刻蚀速率，确保合适的选择比，最终可呈现出满足客户工艺要求的CD LOSS(单边小于1μm)和坡度角(45～55
°
)。
[0027]3、本申请中提供了一种MTD
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Cu
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MTD用刻蚀液，采用氨基酸类铜离子络合剂使蚀刻时产生的大量铜离子和钼离子能够快速与络合剂反应生成金属络合物，使其减少对双氧水的影响，使药液更稳定，并且完美解决了刻蚀液对于三层金属蚀刻后出现的屋顶、过刻以及undercut等问题，提供一种能够保证蚀刻液的稳定性、可实现良好的蚀刻图案效果的蚀刻液。
附图说明
[0028]图1为本申请实施例1的低秒速(115s)刻蚀效果SEM图。
[0029]图2为本申请实施例2的低秒速(115s)刻蚀效果SEM图。
[0030]图3为本申请实施例3的低秒速(115s)刻蚀效果SEM图。
[0031]图4为本申请实施例1的大秒速(200s)刻蚀效果SEM图。
[0032]图5为本申请实施例2的大秒速(200s)刻蚀效果本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种液晶面板MTD
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Cu
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MTD用刻蚀液，其特征在于：以质量百分比计，原料包括：1～20％氧化物，0.01～5％氧化物稳定剂，1～10％有机酸，1～10％有机碱，1～5％无机酸，助剂0.5～5％，缓蚀剂0.01～5％，去离子水补充余量。2.根据权利要求1所述的液晶面板MTD
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Cu
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MTD用刻蚀液，其特征在于：所述氧化物为过氧化物中的至少一种；所述过氧化物的质量百分比为5～15％。3.根据权利要求2所述的液晶面板MTD
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Cu
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MTD用刻蚀液，其特征在于：所述氧化物稳定剂为对羟基苯磺酸、苯基脲、乙二醇单丁醚、聚乙二醇中的至少一种。4.根据权利要求3所述的液晶面板MTD
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Cu
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MTD用刻蚀液，其特征在于：所述有机酸为羧酸、甲酸、乙酸、草酸、丙二酸、琥珀酸、戊二酸、己二酸、苹果酸、乙醇酸、亚氨基乙二酸、二胺琥珀酸、二胺丙酸、1,2
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二氨基丙烷四乙酸、柠檬酸、异柠檬酸、富马酸、马来酸、酒石酸中的至少一种。5.根据权利要求4所述的液晶面板MTD
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Cu
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MTD用刻蚀液，其特征在于：所述有机碱为乙醇胺、三乙醇胺、乙二胺、三乙胺、N,N
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二羟甲基乙二胺、N,N
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二羟甲基丙二胺、N,N
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二...

【专利技术属性】
技术研发人员：马强，徐帅，李闯，张红伟，胡天齐，黄海东，王毅明，
申请(专利权)人：江苏和达电子科技有限公司，
类型：发明
国别省市：