蚀刻液组成物制造技术

本申请提供一种蚀刻液组成物，所述蚀刻液组成物包括过氧化氢、螯合剂、蚀刻剂、蚀刻抑制剂、湿润剂。本申请提供的蚀刻液组成物对氧化物薄膜无损伤，且具有良好的稳定性和蚀刻性，使金属膜形成低taper，进而提升制程良率。进而提升制程良率。进而提升制程良率。

【技术实现步骤摘要】
蚀刻液组成物


[0001]本申请涉及蚀刻工艺
，具体地，涉及一种蚀刻液组成物。

技术介绍

[0002]薄膜晶体管(Thin Film Transistor,TFT)中为了降低金属膜的阻抗，减少信号延迟，使用铜(Cu)作为金属走线。但铜(Cu)与玻璃及硅层之间的黏着力差，且铜(Cu)的扩散对硅层具有影响，因此采用以铜为主要金属膜，钼或钼合金作为屏蔽金属(Barrier metal)层，形成铜系/钼系的多层结构金属膜作为金属走线。
[0003]为了有效的蚀刻上述多层结构金属膜，通常使用双氧水系蚀刻液。由于铜在低PH范围时具有较好的蚀刻效率，一般双氧水系蚀刻液的pH范围在1
‑
3，但在此pH范围内需要使用氟化合物以避免钼(或钼合金)残留导致面板制造工艺中发生不良。
[0004]但氧化物薄膜晶体管(oxide TFT)中使用含氟化合物蚀刻液时会对氧化物膜质造成损伤，对oxide TFT的性能产生很大影响。
[0005]现有专利中虽然有不含氟化合物、对氧化物薄膜无损伤的蚀刻铜系/钼系多层金属膜的蚀刻液，但将此类蚀刻液应用到Oxide TFT工艺中时，金属走线易形成高taper，进而导致后续工艺中产生不良影响。其中，形成高taper的原因之一是Oxide TFT工艺中为了防止源级和漏级的铜离子扩散至有源层的氧化物薄膜中，在铜系金属膜的顶部和底部形成钼系金属屏蔽层的多层结构，但在蚀刻过程中由于顶部金属屏蔽层与光刻胶间的黏着力强，导致金属膜侧面蚀刻困难形成高taper。形成高taper的另外一个原因是,由于蚀刻液中未添加氟系化合物，从而导致蚀刻速度缓慢，存再侧面蚀刻困难导致形成高taper。

技术实现思路

[0006]有鉴于此，本申请提供一种蚀刻液组成物，本申请提供的蚀刻液组成物对氧化物薄膜无损伤，且具有良好的稳定性和蚀刻性，使金属膜形成低taper结构，进而提升制程良率。
[0007]本申请提供一种蚀刻液组成物，所述蚀刻液组成物包括：过氧化氢、螯合剂、蚀刻剂、蚀刻抑制剂、湿润剂。
[0008]在本申请一可选实施例中，所述蚀刻液组成物按重量份计包括：过氧化氢10
‑
25份、螯合剂1
‑
4份、蚀刻剂0.5
‑
5份、蚀刻抑制剂0.01
‑
1份、湿润剂0.001
‑
1份。
[0009]在本申请一可选实施例中，所述蚀刻液组成物按重量份计包括：过氧化氢17
‑
23份、螯合剂2
‑
3份、蚀刻剂0.5
‑
2份、蚀刻抑制剂0.1
‑
0.6份、湿润剂0.05
‑
0.5份。
[0010]在本申请一可选实施例中，所述蚀刻液组成物还包括溶剂，所述溶剂为水。
[0011]在本申请一可选实施例中，所述螯合剂包括亚氨基二乙酸、次氮基三乙酸、乙二胺四乙酸、二乙基内硝基乙酸、氨基三(亚甲基膦酸)、(1
‑
乙醇
‑
二基)二(膦酸)、乙二胺四乙酸(亚甲基膦酸)、二亚乙基三胺五(三甲基磷酸)、乙酸、羟基丁二酸、甲酸、丁酸、柠檬酸、乙醇酸、草酸、丙二酸、戊酸、丙二酸、戊酸、丙酸、酒石酸、葡萄酸和丁二酸中的至少一种。
[0012]在本申请一可选实施例中，所述蚀刻剂包括硫酸铵、硫酸氢铵、硫酸钾、硫酸氢钾、硫酸钠和硫酸氢钠中的至少一种。
[0013]在本申请一可选实施例中，所述除残剂包括硝酸钾、硝酸钠、硝酸铝、硝酸铜、硝酸银、硝酸铁和硝酸锡中的至少一种。
[0014]在本申请一可选实施例中，所述蚀刻抑制剂为唑类化合物，包括3
‑
氨基
‑
1,2,3
‑
三唑、3
‑
氨基
‑
1,2,4
‑
三唑、4
‑
氨基
‑
1,2,3
‑
三唑、4
‑
氨基
‑
1,2,4
‑
三唑、5
‑
甲基四唑、5
‑
氨基四唑、咪唑和吡唑中的至少一种。
[0015]在本申请一可选实施例中，所述湿润剂包括聚丙二醇、双丙二醇和聚(1，2
‑
丁二醇)中的至少一种。
[0016]在本申请一可选实施例中，所述蚀刻液组成物的PH值为4
‑
6。
[0017]本申请的有益效果在于：本申请的蚀刻液组成物中添加了湿润剂，通过湿润剂提高光刻胶与金属膜层界面之间的湿润性，以提高对金属膜层侧面的蚀刻能力，从而避免由于光刻胶与金属膜层界面粘着性大而导致金属膜层侧面蚀刻困难致使金属膜层形成高taper的问题。本申请的蚀刻液组成物对氧化物薄膜无损伤，蚀刻速度合适，且具有良好的稳定性和蚀刻性，使金属膜层形成低taper结构，进而提升制程良率。
附图说明
[0018]为了更清楚地说明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0019]图1为本申请实施例2提供的一种蚀刻液组成物蚀刻的MoTi/Cu/MoTi三层金属膜的扫描电子显微镜照片。
[0020]图2为本申请比较例2提供的一种蚀刻液组成物蚀刻的MoTi/Cu/MoTi三层金属膜的扫描电子显微镜照片。
具体实施方式
[0021]下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。
[0022]在本申请的描述中，需要理解的是，术语“上”、“下”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本申请和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本申请的限制。此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个所述特征。在本申请的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体地限定。
[0023]本申请可以在不同实施中重复参考数字和/或参考字母，这种重复是为了简化和
清楚的目的，其本身不指示所讨论各种实施方式和/或设置之间的关系。
[0024]本申请提供一种蚀刻液组成物，所述蚀刻液组成物包括：过氧化氢、螯合剂、蚀刻剂、蚀刻抑制剂、湿润剂。
[0025]在一些实施例中，所述蚀刻液组成物还包括溶剂。
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种蚀刻液组成物，其特征在于，所述蚀刻液组成物包括：过氧化氢、螯合剂、蚀刻剂、蚀刻抑制剂、湿润剂。2.根据权利要求1所述的蚀刻液组成物，其特征在于，所述蚀刻液组成物按重量份计包括：过氧化氢10
‑
25份、螯合剂1
‑
4份、蚀刻剂0.5
‑
5份、蚀刻抑制剂0.01
‑
1份、湿润剂0.001
‑
1份。3.根据权利要求2所述的蚀刻液组成物，其特征在于，所述蚀刻液组成物按重量份计包括：过氧化氢17
‑
23份、螯合剂2
‑
3份、蚀刻剂0.5
‑
2份、蚀刻抑制剂0.1
‑
0.6份、湿润剂0.05
‑
0.5份。4.根据权利要求1所述的蚀刻液组成物，其特征在于，所述蚀刻液组成物还包括溶剂，所述溶剂为水。5.根据权利要求1
‑
4任一项所述的蚀刻液组成物，其特征在于，所述螯合剂包括亚氨基二乙酸、次氮基三乙酸、乙二胺四乙酸、二乙基内硝基乙酸、氨基三(亚甲基膦酸)、(1
‑
乙醇
‑
二基)二(膦酸)、乙二胺四乙酸(亚甲基膦酸)、二亚乙基三胺五(三甲基磷酸)、乙酸、羟基丁二酸、甲酸、丁酸、柠檬酸、乙醇酸、草酸、丙二酸、戊酸、丙二酸、戊酸、丙酸、酒石酸、葡萄酸和丁二酸中的至少一种。6.根据权利要求1
...

【专利技术属性】
技术研发人员：金妍伶，
申请(专利权)人：TCL华星光电技术有限公司，
类型：发明
国别省市：