一种铜面微蚀粗化液及其应用制造技术

本发明专利技术提供了一种铜面微蚀粗化液及其应用，所述铜面微蚀粗化液的溶剂包括水，溶质包括铜离子、氯离子、有机酸、有机酸盐与0.00001～0.007mol/L的缓蚀剂。本发明专利技术提供的铜面微蚀粗化液一方面能够有效提高铜面的粗糙度，从而提高感光抗蚀层与油墨等介电材料以及锡、镍、钯与金等金属在铜面上的附着力；另一方面对具有不同铜结晶的铜面均具有较佳的微蚀与粗化效果，适用范围较广。适用范围较广。适用范围较广。

【技术实现步骤摘要】
一种铜面微蚀粗化液及其应用


[0001]本专利技术属于印制线路板制造
，涉及一种铜面微蚀粗化液，尤其涉及一种铜面微蚀粗化液及其应用。

技术介绍

[0002]随着电子消费品的小型化、轻型化、薄化以及功能化多样化，相应地推动印刷线路板行业朝着高度密集化、高度集成化、多层化以及细化方向的方向发展。特别是对于高端PCB的发展而言，这种趋势更加明显。由于线宽、线距的不断缩小，线距的密集化程度不断提高，传统减成法加工精度以满意满足要求。当前，密集细线路板主要通过加成法实现，该方法主要包括以下流程，钻孔
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除胶
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孔金属化
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图形转移(贴膜
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曝光
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显影)
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电镀
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退膜
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蚀刻
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表面处理/防焊。整个过程中，铜面微蚀和粗化处理一直贯穿整个流程，其作用是清洁铜面并增加铜面粗糙度，提高其他材料在铜面上的附着力。如图形转移流程，涂覆干膜前需对铜面进行微蚀粗化处理，以提高干膜在铜面上的附着力，若干膜附着力差，则后续电镀流程中容易出现渗镀现象，进而导致后续蚀刻不净，造成线路板报废。又如防焊流程，处理前同样需要对铜面进行粗化处理，否则容易出现甩油现象，需要返工，耗时耗力。
[0003]现有的铜面微蚀粗化液主要可分为两类，第一类是硫酸双氧水体系，该体系处理后的板面粗糙度均匀，但容易受氯离子污染。如专利CN104342701A公开了一种硫酸
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双氧水粗化液，该粗化通过添加四唑类化合物作为缓蚀剂，能有有效提高溅射铜表面粗糙度，增强干膜在溅射铜铜面上的附着力。第二类是铜(铁)离子/有机酸体系，该体系性能受氯离子影响小，能够于铜面形成凹凸有致的微观结构。如专利CN1629357中公开了一种含有非离子型高分子化合物的有机酸粗化剂，可使铜面获得一定的粗糙度和较高的表面落差值。专利CN103890233A中公开了一种含有非离子型表面活性剂的有机酸超粗化剂，使金属表面产生凹凸而获得较佳的粘结性。但有机酸粗化体系对铜结晶存在较强选择性，导致同一微蚀粗化液对不同铜结晶表现出不同的粗化效果，针对不同工艺生产制造的不同类型铜材料，普遍适用性不强。
[0004]综上，现有微蚀粗化液仍然存在一些不足，仍然需要开发新型粗化微蚀液。

技术实现思路

[0005]针对现有技术存在的不足，本专利技术的目的在于提供一种铜面微蚀粗化液及其应用，本专利技术提供的铜面微蚀粗化液一方面能够有效提高铜面的粗糙度，从而提高感光抗蚀层与油墨等介电材料以及锡、镍、钯与金等金属在铜面上的附着力；另一方面对具有不同铜结晶的铜面均具有较佳的微蚀与粗化效果，适用范围较广。
[0006]为达此目的，本专利技术采用以下技术方案：
[0007]本专利技术提供了一种铜面微蚀粗化液，所述铜面微蚀粗化液的溶剂包括水，溶质包括铜离子、氯离子、有机酸、有机酸盐与0.00001～0.007mol/L的缓蚀剂。
[0008]本专利技术提供的铜面微蚀粗化液一方面能够有效提高铜面的粗糙度，从而提高感光
抗蚀层与油墨等介电材料以及锡、镍、钯与金等金属在铜面上的附着力；另一方面对具有不同铜结晶的铜面均具有较佳的微蚀与粗化效果，适用范围较广。
[0009]本专利技术中铜面微蚀粗化液的溶剂包括0.00001～0.007mol/L的缓蚀剂，例如可以是0.00001mol/L、0.00002mol/L、0.00005mol/L、0.0001mol/L、0.0002mol/L、0.0005mol/L、0.0007mol/L、0.001mol/L、0.002mol/L、0.005mol/L或0.007mol/L，但并不仅限于所列举的数值，该数值范围内其他未列举的数值同样适用。
[0010]本专利技术中铜离子由铜离子源、氯离子源或有机酸盐中的任意一种或至少两种的组合共同提供，本专利技术中氯离子由铜离子源和/或氯离子源共同提供。
[0011]优选地，所述铜离子的浓度为0.3～0.6mol/L，例如可以是0.3mol/L、0.35mol/L、0.4mol/L、0.45mol/L、0.5mol/L、0.55mol/L或0.6mol/L，但并不仅限于所列举的数值，该数值范围内其他未列举的数值同样适用。
[0012]优选地，所述铜离子由铜离子源提供，所述铜离子源包括氯化铜、甲酸铜、草酸铜、乙酸铜、柠檬酸铜、二乙基己酸铜或葡萄糖酸铜中的任意一种或至少两种的组合，典型但非限制性的组合包括氯化铜与甲酸铜的组合，甲酸铜与草酸铜的组合，草酸铜与乙酸铜的组合，乙酸铜与柠檬酸铜的组合，二乙基己酸铜与葡萄糖酸铜的组合，氯化铜、甲酸铜与草酸铜的组合，或乙酸铜、柠檬酸铜、二乙基己酸铜与葡萄糖酸铜的组合，优选为氯化铜。
[0013]优选地，所述氯离子的浓度为0.7～1.4mol/L，例如可以是0.7mol/L、0.8mol/L、0.9mol/L、1mol/L、1.1mol/L、1.2mol/L、1.3mol/L或1.4mol/L，但并不仅限于所列举的数值，该数值范围内其他未列举的数值同样适用。
[0014]优选地，所述氯离子由氯离子源提供，所述氯离子源包括氯化钠、氯化钾、氯化钙、氯化锌、氯化铜中的任意一种或至少两种的组合，典型但非限制性的组合包括氯化钠与氯化钾的组合，氯化钾与氯化钙的组合，氯化锌与氯化铜的组合，氯化钠、氯化钾与氯化钙的组合，或氯化钾、氯化钙、氯化锌与氯化铜的组合，优选为氯化钠和/或氯化铜。
[0015]优选地，所述有机酸的浓度为1～2mol/L，例如可以是1mol/L、1.1mol/L、1.2mol/L、1.3mol/L、1.4mol/L、1.5mol/L、1.6mol/L、1.7mol/L、1.8mol/L、1.9mol/L或2mol/L，但并不仅限于所列举的数值，该数值范围内其他未列举的数值同样适用。
[0016]优选地，所述有机酸包括甲酸、乙酸、柠檬酸、苹果酸、马来酸、丙烯酸、葡萄糖酸或甘氨酸中的任意一种或至少两种的组合，典型但非限制性的组合包括甲酸与乙酸的组合，乙酸与柠檬酸的组合，苹果酸与马来酸的组合，丙烯酸与葡萄糖酸的组合，葡萄糖酸与甘氨酸的组合，甲酸、乙酸与柠檬酸的组合，或苹果酸、马来酸、丙烯酸与葡萄糖酸的组合。
[0017]优选地，所述有机酸盐的浓度为1～2.5mol/L，例如可以是1mol/L、1.2mol/L、1.4mol/L、1.6mol/L、1.8mol/L、2mol/L、2.2mol/L、2.4mol/L或2.5mol/L，但并不仅限于所列举的数值，该数值范围内其他未列举的数值同样适用。
[0018]优选地，所述有机酸盐的有机酸根离子包括甲酸根离子、乙酸根离子、柠檬酸根离子、苹果酸根离子、马来酸根离子、丙烯酸根离子、葡萄糖酸根离子或甘氨酸根离子中的任意一种或至少两种的组合，典型但非限制性的组合包括甲酸根离子与乙酸根离子的组合，乙酸根离子与柠檬酸根离子的组合，苹果酸根离子与马来酸根本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种铜面微蚀粗化液，其特征在于，所述铜面微蚀粗化液的溶剂包括水，溶质包括铜离子、氯离子、有机酸、有机酸盐与0.00001～0.007mol/L的缓蚀剂。2.根据权利要求1所述的铜面微蚀粗化液，其特征在于，所述铜离子的浓度为0.3～0.6mol/L；优选地，所述铜离子由铜离子源提供，所述铜离子源包括氯化铜、甲酸铜、草酸铜、乙酸铜、柠檬酸铜、二乙基己酸铜或葡萄糖酸铜中的任意一种或至少两种的组合，优选为氯化铜。3.根据权利要求1或2所述的铜面微蚀粗化液，其特征在于，所述氯离子的浓度为0.7～1.4mol/L；优选地，所述氯离子由氯离子源提供，所述氯离子源包括氯化钠、氯化钾、氯化钙、氯化锌、氯化铜中的任意一种或至少两种的组合，优选为氯化钠和/或氯化铜。4.根据权利要求1～3任一项所述的铜面微蚀粗化液，其特征在于，所述有机酸的浓度为1～2mol/L；优选地，所述有机酸包括甲酸、乙酸、柠檬酸、苹果酸、马来酸、丙烯酸、葡萄糖酸或甘氨酸中的任意一种或至少两种的组合。5.根据权利要求1～4任一项所述的铜面微蚀粗化液，其特征在于，所述有机酸盐的浓度为1～2.5mol/L；优选地，所述有机酸盐的有机酸根离子包括甲酸根离子、乙酸根离子、柠檬酸根离子、苹果酸根离子、马来酸根离子、丙烯酸根离子、葡萄糖酸根离子或甘氨酸根离子中的任意一种或至少两种的组合，金属离子包括钠离子、钾离子或铜离子中的任意一种或至少两种以上的组合。6.根据权利要求1～5任一项所述的铜面微蚀粗化液，其特征在于，所述缓蚀剂包括二稀丙基二甲基氯化铵、N,N,N
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【专利技术属性】
技术研发人员：周煜，黄建东，章晓冬，
申请(专利权)人：上海天承化学有限公司，
类型：发明
国别省市：