一种半导体封装用铜蚀刻液及蚀刻方法技术

本发明专利技术公开了一种半导体封装用铜蚀刻液，按质量百分比计，主要组分为：氧化剂1%～8%、无机酸21%～40%、有机羧酸6%～30%、螯合剂0.001%～15%、腐蚀抑制剂0～3%以及余量去离子水；有机羧酸由第一羧酸和第二羧酸组合而成，第一羧酸选自一元羧酸和二元羧酸中的至少一种，第二羧酸为三元以上羧酸中的至少一种。本发明专利技术半导体封装用铜蚀刻液通过优选有机羧酸和调整蚀刻液组分含量，降低蚀刻速度，提高蚀刻精度，完全蚀刻去除铜种子层的同时，降低铜蚀刻液对重布线层和金属凸点中其他铜层的侧损失，使重布线层和金属凸点的形貌更趋规整，提高重布线层和金属凸点的结构稳定性。本发明专利技术还公开了一种基于半导体封装用铜蚀刻液的蚀刻方法。基于半导体封装用铜蚀刻液的蚀刻方法。基于半导体封装用铜蚀刻液的蚀刻方法。

【技术实现步骤摘要】
一种半导体封装用铜蚀刻液及蚀刻方法


[0001]本专利技术涉及电子化学品
，具体涉及一种半导体封装用铜蚀刻液及蚀刻方法。

技术介绍

[0002]在晶圆级封装制程中，重布线层(Re Distribution Layer，RDL)为在晶圆表面沉积金属层和介质层而形成的金属布线。重布线层的常用材质为铜或金，其与衬底二氧化硅/硅的粘附力不佳，因此重布线层与二氧化硅/硅之间设置金属粘附层(钛或者钛钨)。粘附层表面溅射铜作为重布线层的铜种子层，凸块下金属化层(Under Bump Metallurgy，UBM)包括以上的粘附层和铜种子层。重布线层镀层完成后，需将基板上非图形区域内多余的凸块下金属化层刻蚀掉，包括两步骤：先将铜种子层的非图形区域蚀刻去除，得重布线层和铜种子层的图形区域层叠结构；再将粘附层的非图形区域蚀刻去除，得到重布线层、铜种子层和粘附层的图形区域层叠结构。
[0003]金属凸块(bump)层叠设置于凸块下金属化层触点上方，作为连接芯片内部引线与外部封装锡球的接触区域。金属凸块顶部的焊锡球在连接时会扩散变形，焊锡球下方的铜柱能保本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体封装用铜蚀刻液，其特征在于，按质量百分比计，主要组分为：氧化剂1%～8%、无机酸21%～40%、有机羧酸6%～30%、螯合剂0.001%～15%、腐蚀抑制剂0～3%以及余量去离子水；有机羧酸由第一羧酸和第二羧酸组合而成，所述第一羧酸选自一元羧酸和二元羧酸中的至少一种，所述第二羧酸为三元以上羧酸中的至少一种。2.根据权利要求1所述的半导体封装用铜蚀刻液，其特征在于，第一羧酸的质量百分比为6%～22%，第二羧酸的质量百分比为0%～7%；进一步的，第一羧酸的质量百分比为6%～12%，第二羧酸的质量百分比为0.5%～6%。3.根据权利要求1所述的半导体封装用铜蚀刻液，其特征在于，所述第一羧酸为选自乳酸、乙醇酸、苹果酸、酒石酸、丙二酸中的至少一种；所述第二羧酸为选自柠檬酸、乙二胺四乙酸中的至少一种。4.根据权利要求1所述的半导体封装用铜蚀刻液，其特征在于，所述无机酸为磷酸。5.根据权利要求4所述的半导体封装用铜蚀刻液，其特征在于，铜蚀刻液中磷酸的质量分数为24%～35%；更进一步的，铜蚀刻液中磷酸的质量分数为28%～33%。6.根据...

【专利技术属性】
技术研发人员：王磊，承明忠，李森虎，符佳立，朱龙，孔兴贤，
申请(专利权)人：江阴江化微电子材料股份有限公司，
类型：发明
国别省市：