一种微电子用金属膜蚀刻液及其应用制造技术

本发明专利技术提供了一种微电子用金属膜蚀刻液，该蚀刻液由包括如下重量份的原料制成：氧化剂10

【技术实现步骤摘要】
一种微电子用金属膜蚀刻液及其应用


[0001]本专利技术属于半导体领域，尤其是涉及一种微电子用金属膜蚀刻液及其应用。

技术介绍

[0002]高世代线的薄膜晶体管液晶显示器是显示面板技术的重要发展趋势，在该种面板的工艺中，为了降低阻抗，提高电性，通常会用铜布线。但是铜与玻璃膜及硅的粘合力不好，且为了预防与硅层的Cu扩散，通常使用钼或其合金作为屏障金属。
[0003]蚀刻这种多层结构的金属膜，通常使用双氧水系蚀刻液，而使用双氧水系蚀刻液时，由于铜、钼或其合金蚀刻效果对PH的高低要求不同，且PH较高时也会影响过氧化氢的稳定性，而双氧水系蚀刻液的PH会在1至3之间，但在这个PH区域中含氟化合物的蚀刻液会对玻璃基板及金属氧化物膜层造成损伤，若不使用氟化合物，则会产生钼或其合金的尾缘及其尖端存在残渣，导致面板制造工艺不良。

技术实现思路

[0004]有鉴于此，本专利技术旨在克服现有技术中的缺陷，提出一种微电子用金属膜蚀刻液及其应用。
[0005]为达到上述目的，本专利技术的技术方案是这样实现的：
[0006]一种微电子用金属膜蚀刻液，该蚀刻液由包括如下重量份的原料制成：
[0007][0008]优选的，所述的蚀刻液由包括如下重量份的原料制成：
[0009][0010]优选的，所述的蚀刻液由包括如下重量份的原料制成：
[0011][0012]进一步，所述的氧化剂为过氧化氢。
[0013]进一步，所述的蚀刻剂为甲酸、柠檬酸、草酸、丙二酸、戊酸或丙酸中的至少一种。
[0014]进一步，所述的稳定剂为羟基乙叉二膦酸和/或吡啶二羧酸。
[0015]进一步，所述的调节剂为质量比为5:4:1的氢氟酸、硫酸与硝酸。
[0016]进一步，所述的氟化物为氟化铵与氟化氢的混合物，氟化铵和氟化氢的质量比为1:1
‑
10。
[0017]所述的微电子用金属膜蚀刻液的应用，所述的蚀刻液在半导体领域中的应用。
[0018]所述的微电子用金属膜蚀刻液的生产温度为50
±
5℃，过程速率为2.5
‑
3.5um/min，蚀刻每段时间≤2000s。
[0019]相对于现有技术，本专利技术具有以下优势：
[0020]本专利技术所述的微电子用金属膜蚀刻液具有良好的稳定性，对不同的金属均具有较为均衡的蚀刻速率，尤其是，采用对铜钼金属膜进行蚀刻有利于减少钼的残留，达到良好的蚀刻效果。
具体实施方式
[0021]除有定义外，以下实施例中所用的技术术语具有与本专利技术所属领域技术人员普遍理解的相同含义。以下实施例中所用的试验试剂，如无特殊说明，均为常规生化试剂；所述实验方法，如无特殊说明，均为常规方法。
[0022]下面结合实施例来详细说明本专利技术。
[0023]实施例1
[0024]一种微电子用金属膜蚀刻液，该蚀刻液由包括如下重量份的原料制成：过氧化氢12份，草酸0.4份，羟基乙叉二膦酸6份，调节剂(质量比为5:4:1的氢氟酸、硫酸与硝酸)0.2份，氟化物(氟化铵与氟化氢的质量比为1:2)3份。
[0025]实施例2
[0026]一种微电子用金属膜蚀刻液，该蚀刻液由包括如下重量份的原料制成：过氧化氢12份，草酸0.4份，羟基乙叉二膦酸6份，调节剂(质量比为5:4:1的氢氟酸、硫酸与硝酸)1份，氟化物(氟化铵与氟化氢的质量比为1:2)3份。
[0027]实施例3
[0028]一种微电子用金属膜蚀刻液，该蚀刻液由包括如下重量份的原料制成：过氧化氢12份，草酸1份，羟基乙叉二膦酸6份，调节剂(质量比为5:4:1的氢氟酸、硫酸与硝酸)0.2份，氟化物(氟化铵与氟化氢的质量比为1:2)3份。
[0029]实施例4
[0030]一种微电子用金属膜蚀刻液，该蚀刻液由包括如下重量份的原料制成：过氧化氢12份，甲酸0.4份，羟基乙叉二膦酸6份，调节剂(质量比为5:4:1的氢氟酸、硫酸与硝酸)0.2份，氟化物(氟化铵与氟化氢的质量比为1:2)3份。
[0031]实施例5
[0032]一种微电子用金属膜蚀刻液，该蚀刻液由包括如下重量份的原料制成：过氧化氢12份，草酸0.4份，吡啶二羧酸6份，调节剂(质量比为5:4:1的氢氟酸、硫酸与硝酸)0.2份，氟化物(氟化铵与氟化氢的质量比为1:2)3份。
[0033]实施例6
[0034]一种微电子用金属膜蚀刻液，该蚀刻液由包括如下重量份的原料制成：过氧化氢20份，草酸0.4份，羟基乙叉二膦酸6份，调节剂(质量比为5:4:1的氢氟酸、硫酸与硝酸)0.2份，氟化物(氟化铵与氟化氢的质量比为1:2)3份。
[0035]实施例7
[0036]一种微电子用金属膜蚀刻液，该蚀刻液由包括如下重量份的原料制成：过氧化氢12份，草酸0.4份，羟基乙叉二膦酸10份，调节剂(质量比为5:4:1的氢氟酸、硫酸与硝酸)0.2份，氟化物(氟化铵与氟化氢的质量比为1:2)3份。
[0037]实施例8
[0038]一种微电子用金属膜蚀刻液，该蚀刻液由包括如下重量份的原料制成：过氧化氢12份，草酸0.4份，羟基乙叉二膦酸6份，调节剂(质量比为5:4:1的氢氟酸、硫酸与硝酸)0.2份，氟化物(氟化铵与氟化氢的质量比为1:2)1份。
[0039]实施例9
[0040]一种微电子用金属膜蚀刻液，该蚀刻液由包括如下重量份的原料制成：过氧化氢12份，草酸1份，羟基乙叉二膦酸6份，调节剂(质量比为5:4:1的氢氟酸、硫酸与硝酸)1份，氟化物(氟化铵与氟化氢的质量比为1:2)1份。
[0041]实施例10
[0042]一种微电子用金属膜蚀刻液，该蚀刻液由包括如下重量份的原料制成：过氧化氢25份，草酸0.4份，羟基乙叉二膦酸10份，调节剂(质量比为5:4:1的氢氟酸、硫酸与硝酸)0.2份，氟化物(氟化铵与氟化氢的质量比为1:2)15份。
[0043]以上所述仅为本专利技术的较佳实施例而已，并不用以限制本专利技术，凡在本专利技术的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本专利技术的保护范围之内。
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种微电子用金属膜蚀刻液，其特征在于：该蚀刻液由包括如下重量份的原料制成：2.根据权利要求1所述的微电子用金属膜蚀刻液，其特征在于：所述的蚀刻液由包括如下重量份的原料制成：3.根据权利要求2所述的微电子用金属膜蚀刻液，其特征在于：所述的蚀刻液由包括如下重量份的原料制成：4.根据权利要求3所述的微电子用金属膜蚀刻液，其特征在于：所述的氧化剂为过氧化氢。5.根据权利要求3所述的微电子用金属膜蚀刻液，其特征在于：所述的蚀刻剂为甲酸、柠檬酸、草酸、丙二酸、戊酸或丙酸中的至少一种。6.根据权利要求3所述的微电子...

【专利技术属性】
技术研发人员：夏伟，张成金，姚仕军，赵帅，范文超，樊永顺，谷鹤宇，郑铁成，王文凯，李义超，张佳琦，张君豪，李燕，张仙伟，王韩玉，巴晓蕾，纪执娜，刘彩霞，
申请(专利权)人：天津美泰真空技术有限公司，
类型：发明
国别省市：