一种纯铜金属刻蚀液及其使用方法技术

本发明专利技术涉及金属表面化学处理领域，尤其涉及IPC C23F1领域，具体涉及一种纯铜金属刻蚀液及其使用方法。所述主剂的组分按照主剂的质量百分比计，包括：氧化剂3

【技术实现步骤摘要】
一种纯铜金属刻蚀液及其使用方法


[0001]本专利技术涉及金属表面化学处理领域，尤其涉及IPC C23F1领域，具体涉及一种纯铜金属刻蚀液及其使用方法。

技术介绍

[0002]铜金属因具有优良的机械性能和导电性能，广泛应用于显示面板、集成电路和太阳能电池等，在制备铜部件的过程中需要对选定区域进行刻蚀形成器件和电路结构。刻蚀液的成分一般包括氧化剂、酸碱等成分，通过与铜金属表面进行化学反应来产生刻蚀效果。双氧水刻蚀液是目前铜刻蚀液中应用最广泛的一种，实现流程为通过滴定或者喷射的方式使刻蚀液扩散至铜或铜合金表面，刻蚀液与铜或铜合金表面发生化学反应，反应后的金属离子溶解到刻蚀液中，并随刻蚀液排出。
[0003]为了保证刻蚀速率的稳定性，体系中的pH值会较低，当pH值过低时，会导致刻蚀率的不可控制；由于刻蚀速率过快，刻蚀角度过高容易引起而断交，过高容易引起蚀刻，导致CD
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Loss过大，无法找到平衡点；为了保证刻蚀的精度，会添加氟磷等对环境不友好成分；刻蚀液中铜离子浓度过高时会导致刻蚀精度下降，所以一般当刻蚀液中铜离子浓度到达一本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种纯铜金属刻蚀液，其特征在于，包括主剂和辅剂；所述主剂的组分按照主剂的质量百分比计，包括：氧化剂3
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15％，第一有机酸1
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15％，第一强氧化性酸1
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15％，有机碱0.5
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15％，双氧水稳定剂0.01
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4.0％，第一金属缓蚀剂0.01
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1.0％，超纯水补充余量；所述辅剂的组分按照辅剂的质量百分比计，包括：第二有机酸1
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40％，第二强氧化性酸1
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15％，第二金属缓蚀剂0.01
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1％，超纯水补充余量。2.根据权利要求1所述的纯铜金属蚀刻液，其特征在于，所述氧化剂为电子级过氧化氢。3.根据权利要求1所述的纯铜金属蚀刻液，其特征在于，所述第一强氧化性酸和第二强氧化性酸均为硝酸，浓硫酸，硒酸，次氯酸，氯酸，亚氯酸，卤酸，高卤酸，亚硝酸，高锰酸，高氙酸的至少一种。4.根据权利要求1所述的纯铜金属蚀刻液，其特征在于，所述第一有机酸和第二有机酸均为乙二酸、丙二酸、丁二酸、苹果酸、一水柠檬酸、亚氨基二乙酸、三乙酸胺、酒石酸、水杨酸的至少一种。5.根据权利要求1所述的纯铜金属蚀刻液，其特征在于，所述有机碱为乙二胺、二甲基乙醇胺、二乙氨基丙胺、丙二胺、三乙醇胺、二乙醇胺、异丙醇胺、二甲基乙二胺、三羟甲基氨基甲烷、异丁醇胺的至少一种。6.根据权利要求1所述的纯铜金属蚀...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘长乐，丁荣，李闯，张红伟，胡天齐，黄海东，马强，魏春雷，徐帅，方新军，戚玉霞，
申请(专利权)人：江苏和达电子科技有限公司，
类型：发明
国别省市：