一种铜钼合金刻蚀液组合物及其制备方法技术

本发明专利技术涉及专利IPC分类的C23F领域，尤其涉及一种铜钼合金刻蚀液组合物及其制备方法。铜钼合金刻蚀液组合物，主剂，以质量百分比计，原料包括：过氧化物5～20％，有机酸1～18％，有机碱1～20％，过氧化物稳定剂0.1～5％，缓蚀剂0.01～1％，助剂2～8％，超纯水补充余量；辅剂，以质量百分比计，原料包括：有机酸5～30％，有机碱5～30％，过氧化物稳定剂0.01～1.5％，缓蚀剂0.01～0.5％，超纯水补充余量。本发明专利技术提供的一种铜钼其能够具有适宜的刻蚀速率，避免了现有技术中铜钼刻蚀液的缺点，有效提高了刻蚀液的对于铜钼合金的刻蚀质量，适宜在刻蚀液领域推广，具有广阔的发展前景。具有广阔的发展前景。

【技术实现步骤摘要】
一种铜钼合金刻蚀液组合物及其制备方法


[0001]本专利技术涉及专利IPC分类的C23F领域，尤其涉及一种铜钼合金刻蚀液组合物及其制备方法。

技术介绍

[0002]金属蚀刻是一种通过采用湿法蚀刻和干法蚀刻两种方法对金属材料进行化学反应或者物理摩擦等方式进行表面金属移除的技术。而随着生活水平和科学技术水平的不断提高，产品对于金属刻蚀的要求也愈来愈高。例如，超高清显示产品要求金属板导线排布密集，且同时能够满足电学需求，这就要求刻蚀后的金属板刻蚀后角度不能太低，不能存在倒角，且具有较高的铜离子负载能力，并且同时要求了刻蚀液不能够具有较强的腐蚀性，不能够影响产品品质。
[0003]现有技术中，铜钼合金刻蚀液作为日常使用较为频繁的合金刻蚀液，近些年来也被广泛研究，通常现有的刻蚀液主要采用了过氧化氢，硝酸，氢氟酸和含磷物质等作为刻蚀液的主要原料，在刻蚀过程中容易出现严重的倒角和钼残现象，且环境不友好。
[0004]因此，为了解决上述问题，本申请提供了一种铜钼合金刻蚀液组合物及其制备方法。

技术实现思路

[0005]为了解决上述问题，本专利技术第一方面提供了一种铜钼合金刻蚀液组合物，主剂，以质量百分比计，原料包括：过氧化物5～20％，有机酸1～18％，有机碱1～20％，过氧化物稳定剂0.1～5％，缓蚀剂0.01～1％，助剂2～8％，超纯水补充余量；辅剂，以质量百分比计，原料包括：有机酸5～30％，有机碱5～30％，过氧化物稳定剂0.01～1.5％，缓蚀剂0.01～0.5％，超纯水补充余量。
[0006]作为一种优选的方案，所述过氧化物为过氧化氢；所述过氧化氢在主剂中的质量百分比为6～12％。
[0007]作为一种优选的方案，所述过氧化氢在主剂中的质量百分比为8～9％。
[0008]作为一种优选的方案，所述有机酸为丙二酸、2
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巯基乙磺酸、苹果酸、柠檬酸、亚氨基二乙酸、甘氨酸、酒石酸、水杨酸、氨基磺酸中的至少一种。
[0009]作为一种优选的方案，所述有机酸为丙二酸和甘氨酸，质量比为5～6：1.5～3。
[0010]作为一种优选的方案，所述有机碱为乙二胺、二乙氨基丙胺、丙二胺、三乙醇胺、二乙醇胺、异丙醇胺、三羟甲基氨基甲烷、异丁醇胺、三乙胺中的至少一种。
[0011]作为一种优选的方案，所述有机碱为异丙醇胺和三乙醇胺，质量比为3～5:3～5。
[0012]作为一种优选的方案，所述过氧化物稳定剂为苯基脲、对羟基苯磺酸、丙三醇、丙二醇、乙二醇、二甘醇中的至少一种。
[0013]作为一种优选的方案，所述过氧化物稳定剂为苯基脲和二甘醇。
[0014]作为一种优选的方案，所述缓蚀剂为咪唑烷基脲、3
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氨基三氮唑、5
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氨基四氮唑、
硫脲、1,3二乙基硫脲、二甲醇硫脲中的至少一种。
[0015]作为一种优选的方案，所述缓蚀剂为咪唑烷基脲和5
‑
氨基四氮唑。
[0016]作为一种优选的方案，所述助剂为乙二醇、丙二醇、丙三醇、异丙醇、异丁醇中的至少一种。
[0017]作为一种优选的方案，所述主剂中铜离子浓度每升高800～1500ppm补加1～2wt％的主剂重量的辅剂。
[0018]作为一种优选的方案，所述过氧化物与过氧化物稳定剂的质量比为8～9：1～3。
[0019]本专利技术第二方面提供了一种上述铜钼合金刻蚀液组合物的制备方法，步骤包括：将主剂和辅剂所需原料称量并分别在搅拌容器中混合搅拌均匀，取出分装，即得。
[0020]有益效果：
[0021]1、本申请中提供了一种铜钼合金刻蚀液组合物，其不仅无氟无磷，环境友好，废液处理成本较低，且本申请中通过合理搭配二甘醇和咪唑烷基酮可以同时改善双氧水稳定性和减少界面张力，有效改变金属层表面吸附特性，可以完美解决不同类型金属层蚀刻速率搭配的问题，有效避免形成倒角，极大地提高了刻蚀液组合物的刻蚀质量。
[0022]2、本申请中提供了一种铜钼合金刻蚀液组合物，其具有良好的蚀刻形貌，特别是优秀的Taper角与CD
‑
Bais，变异量小，并且双氧水降解率低，具有1300ppm的铜离子负载能力，同时钼残下限做到0.4um，拥有极佳的蚀刻范围，满足工艺制程波动对生产的影响。
具体实施方式
[0023]实施例1
[0024]实施例1第一方面提供了一种铜钼合金刻蚀液组合物，原料包括以下质量百分比成分：
[0025][0026][0027]所述主剂中铜离子浓度每升高1000ppm补加1wt％的主剂重量的辅剂。
[0028]本实施例第二方面提供了一种上述铜钼合金刻蚀液组合物的制备方法，步骤包括：将主剂和辅剂所需原料称量并分别在搅拌容器中混合搅拌均匀，取出分装，即得。
[0029]实施例2
[0030]本实施例的具体实施方式同实施例1，不同之处在于：
[0031][0032][0033]实施例3
[0034]本实施例的具体实施方式同实施例1，不同之处在于：
[0035][0036]对比例1
[0037]本对比例的具体实施方式同实施例1，不同之处在于：
[0038][0039][0040]对比例2
[0041]本对比例的具体实施方式同实施例1，不同之处在于：
[0042][0043][0044]对比例3
[0045]本对比例的具体实施方式同实施例1，不同之处在于：
[0046][0047]性能评价
[0048]刻蚀性能评价：刻蚀条件：铜膜厚度(A)：3000mm；钼膜厚度(A)：250mm；刻蚀温度：30℃；刻蚀时间115～140秒，刻蚀表现记入表1。
[0049]表1
[0050][0051]通过实施例1～3、对比例1～3和表1可以得知，本专利技术提供的一种铜钼其能够具有适宜的刻蚀速率，避免了现有技术中铜钼刻蚀液的缺点，有效提高了刻蚀液的对于铜钼合金的刻蚀质量，适宜在刻蚀液领域推广，具有广阔的发展前景。
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种铜钼合金刻蚀液组合物，其特征在于：主剂，以质量百分比计，原料包括：过氧化物5～20％，有机酸1～18％，有机碱1～20％，过氧化物稳定剂0.1～5％，缓蚀剂0.01～1％，助剂2～8％，超纯水补充余量；辅剂，以质量百分比计，原料包括：有机酸5～30％，有机碱5～30％，过氧化物稳定剂0.01～1.5％，缓蚀剂0.01～0.5％，超纯水补充余量。2.根据权利要求1所述的铜钼合金刻蚀液组合物，其特征在于：所述过氧化物为过氧化氢；所述过氧化氢在主剂中的质量百分比为6～12％。3.根据权利要求2所述的铜钼合金刻蚀液组合物，其特征在于：所述有机酸为丙二酸、2
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巯基乙磺酸、苹果酸、柠檬酸、亚氨基二乙酸、甘氨酸、酒石酸、水杨酸、氨基磺酸中的至少一种。4.根据权利要求3所述的铜钼合金刻蚀液组合物，其特征在于：所述有机碱为乙二胺、二乙氨基丙胺、丙二胺、三乙醇胺、二乙醇胺、异丙醇胺、三羟甲基氨基甲烷、异丁醇胺、三乙胺中的至少一种。5.根据权利要求4所述的铜钼...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘长乐，徐帅，李闯，张红伟，胡天齐，黄海东，王毅明，
申请(专利权)人：江苏和达电子科技有限公司，
类型：发明
国别省市：