晶片载放台制造技术

本发明专利技术提供晶片载放台，提高晶片的均热性。晶片载放台(10)具备：陶瓷基材(20)，其上表面具有能够载放晶片的晶片载放面，且内置有电极(26)；冷却基材(30)，其具有冷媒流路(32)；金属接合层(40)，其将陶瓷基材(20)和冷却基材(30)接合；以及多个小突起(22c)，它们在晶片载放面(22a)的基准面(22d)以顶面支撑晶片(W)的下表面。小突起(22c)的顶面在同一平面上。在晶片载放面(22a)的俯视与冷媒流路(32)重复的流路重复范围(R10)内，俯视冷媒流路(32)时与晶片载放面(22a)重复的范围内的与最上游部(32U)对置的小区域(A1)中，小突起(22c)的面积率最低。率最低。率最低。

【技术实现步骤摘要】
晶片载放台


[0001]本专利技术涉及晶片载放台。

技术介绍

[0002]以往，已知有如下晶片载放台，该晶片载放台具备：陶瓷基材，其具有晶片载放面且内置有电极；冷却基材，其具有冷媒流路；以及接合层，其将陶瓷基材和冷却基材接合。例如，专利文献1、2中记载有如下内容，即，该晶片载放台中，作为冷却基材，采用由线热膨胀系数与陶瓷基材相同程度的金属基复合材料制作的部件。另外，记载有如下内容，即，在晶片载放台设置供用于向电极供电的供电端子插穿的端子孔、用于向晶片的背面供给He气体的气体孔、供将晶片自晶片载放面抬起的升降销插穿的升降销孔。
[0003]现有技术文献
[0004]专利文献
[0005]专利文献1：日本特许第5666748号公报
[0006]专利文献2：日本特许第5666749号公报

技术实现思路

[0007]然而，在晶片载放台使用时，由于冷媒一边从晶片夺取热一边从冷媒流路的上游侧向下游侧流动，所以，与上游侧相比，下游侧的冷媒的温度容易升高，结果，有时无法充分得到晶片的均热性。<br/>[0008]本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种晶片载放台，其具备：陶瓷基材，该陶瓷基材在上表面具有能够载放晶片的晶片载放面，且内置有电极；冷却基材，该冷却基材具有冷媒流路；接合层，该接合层将所述陶瓷基材和所述冷却基材接合；以及多个小突起，该多个小突起在所述晶片载放面的基准面以顶面支撑晶片的下表面，所述晶片载放台的特征在于，所述小突起的顶面在同一平面上，在所述晶片载放面的俯视与所述冷媒流路重复的流路重复范围内，俯视所述冷媒流路时与所述晶片载放面重复的范围内的与最上游部对置的部分中，所述小突起的面积率最低。2.根据权利要求1所述的晶片载放台，其特征在于，所述流路重复范围内的所述小突起的面积率随着从所述与最上游部对置的部分趋向所述冷媒流路的下游而逐渐升高。3.根据权利要求1或2所述的晶片载放台，其特征在于，在所述流路重复范围内，俯视所述冷媒流路时与所述晶片载放面重复的范围内的与最下游部对置的部分中的所述小突起的面积率为所述与最上游部对置的部分中的所述小突起的面积率的150％以上。4.根据权利要求1～3中的任一项所述的晶片载放台，其特征在于，与所述流路重复范围内的规定的区域相比，与所述规定的区域相邻且是所述流路重复范围外的相邻区域的所述小突起的面积率升高。5.根据权利要求1～4中的任一项所述的晶片载放台，其特征在于，所述晶片载放台具备：沿着上下方向贯穿所述冷却基材的孔，所述冷媒流路构成为：在所述孔的周边区域，与偏离所述孔的周边区域的区域相比，所述冷媒流路的截面积变小，与所述晶片载放面的偏离所述孔的正上方区域的周边区域相比，所述正上方区域的所述小突起的面积率升高。6.一种晶片载放台，其具备：陶瓷基材，该陶瓷基材在上表面具有能够载放晶片的晶片载放面，且内置有电极；冷却基材，该冷却基材...

【专利技术属性】
技术研发人员：井上靖也，久野达也，森冈育久，
申请(专利权)人：日本碍子株式会社，
类型：发明
国别省市：