【技术实现步骤摘要】
晶片载放台
[0001]本专利技术涉及晶片载放台。
技术介绍
[0002]以往，已知有如下晶片载放台，该晶片载放台具备：陶瓷基材，其具有晶片载放面且内置有电极；冷却基材，其具有冷媒流路；以及接合层，其将陶瓷基材和冷却基材接合。例如，专利文献1、2中记载有如下内容，即，该晶片载放台中，作为冷却基材，采用由线热膨胀系数与陶瓷基材相同程度的金属基复合材料制作的部件。另外，记载有如下内容，即，在晶片载放台设置供用于向电极供电的供电端子插穿的端子孔、用于向晶片的背面供给He气体的气体孔、供将晶片自晶片载放面抬起的升降销插穿的升降销孔。
[0003]现有技术文献
[0004]专利文献
[0005]专利文献1：日本特许第5666748号公报
[0006]专利文献2：日本特许第5666749号公报
技术实现思路
[0007]然而，冷媒从入口至出口，其温度上升，不过，冷媒流路的截面形状从冷媒流路的入口至出口是恒定的，因此，晶片具有在冷媒流路的入口附近容易变冷、在出口附近难以变冷的趋势，结果，有时...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种晶片载放台，其具备：陶瓷基材，该陶瓷基材在上表面具有能够载放晶片的晶片载放面，且内置有电极；冷却基材，该冷却基材具有冷媒流路；以及接合层，该接合层将所述陶瓷基材和所述冷却基材接合，所述晶片载放台的特征在于，关于所述冷媒流路中的俯视与所述晶片载放面重复的区域处的最上游部和最下游部的所述冷媒流路的截面积，所述最下游部的该截面积比所述最上游部的该截面积小。2.根据权利要求1所述的晶片载放台，其特征在于，所述冷媒流路的截面积从所述冷媒流路的所述最上游部趋向所述最下游部而变小。3.根据权利要求1或2所述的晶片载放台，其特征在于，所述冷媒流路的截面积通过在所述...
【专利技术属性】
技术研发人员：井上靖也，久野达也，森冈育久，
申请(专利权)人：日本碍子株式会社，
类型：发明
国别省市：
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