制造半导体装置的方法及膜状黏合剂制造方法及图纸

本发明专利技术公开一种制造半导体装置的方法，其中，带黏合剂的电路部件通过包括如下步骤的方法来准备：通过将具有半导体芯片或半导体晶圆和膜状黏合剂的层叠体加热至60～100℃并且加压30秒～10分钟，从而贴附于主面。膜状黏合剂在80℃下受到5分钟的热处理时，膜状黏合剂的80℃下的熔融粘度在热处理前为4000Pa

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】制造半导体装置的方法及膜状黏合剂


[0001]本公开涉及一种制造半导体装置的方法及膜状黏合剂。

技术介绍

[0002]有时采用在半导体芯片或配线电路基板上形成被称作凸块(bump)的导电性突起并将半导体芯片与配线电路基板直接连接的倒装晶片连接方式(FC连接方式)。例如，在半导体芯片与配线电路基板之间的连接中，盛行用于BGA(Ball Grid Array：球栅阵列)、CSP(Chip Size Package：芯片尺寸封装)等的COB(Chip On Board：板上芯片)型的连接方式为FC连接方式。FC连接方式还广泛用于在半导体芯片上形成凸块或配线并在半导体芯片之间连接的COC(Chip On Chip：芯片上芯片)型连接方式。从提高生产性的观点而言，在晶圆上连接半导体芯片并在之后单片化来制作半导体封装件的COW(Chip On Wafer：晶片上芯片)、将晶圆彼此压接并在之后单片化来制作半导体封装件的WOW(Wafer On Wafer：晶片堆叠)也受到关注。
[0003]以往技术文献
[0004]专利文献
[000本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种制造半导体装置的方法，其具备：准备带黏合剂的电路部件的工序，所述带黏合剂的电路部件具有第一电路部件以及膜状黏合剂，所述第一电路部件具有第一主体部及设置于所述第一主体部的一个主面上的第一连接部，所述膜状黏合剂贴附于所述第一主体部的所述第一连接部侧的主面；及在具有第二主体部及设置于所述第二主体部的主面上的第二连接部的第二电路部件上，以所述膜状黏合剂位于所述第二电路部件侧的朝向重叠所述带黏合剂的电路部件，并通过对具有所述第一电路部件、所述膜状黏合剂及所述第二电路部件的层叠体进行加热及加压来形成接合体的工序，所述接合体具有所述第一电路部件、经固化的所述膜状黏合剂即黏合剂层及所述第二电路部件，所述第一连接部与所述第二连接部接合，所述第一连接部及所述第二连接部由所述黏合剂层密封，所述第一电路部件为半导体芯片或半导体晶圆，所述第二电路部件为配线电路基板、半导体芯片或半导体晶圆，所述带黏合剂的电路部件通过包括如下步骤的方法来准备：通过将具有具备主体部及设置于所述主体部的一个主面上的所述第一连接部的半导体芯片或半导体晶圆和层叠于所述主体部的设置有所述第一连接部的主面上的所述膜状黏合剂的层叠体加热至60～100℃并且加压30秒～10分钟，从而将所述膜状黏合剂贴附于所述主体部的设置有所述第一连接部的主面，所述膜状黏合剂含有环氧树脂、固化剂及助熔剂，所述膜状黏合剂在80℃下受到5分钟的热处理时，所述膜状黏合剂的80℃下的熔融粘度在所述热处理前为4000Pa
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s以上且10000Pa
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s以下，在所述热处理后为11000Pa
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s以下。2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一电路部件为半导体芯片，准备所述带黏合剂的电路部件的方法包括：通过将具有具备主体部及设置于所述主体部的一个主面上的所述第一连接部的半导体晶圆和层叠于所述主体部的设置有所述第一连接部的主面上的所述膜状黏合剂的层叠体加热至60～100℃并且加压30秒～10分钟，从而将所述膜状黏合剂贴附于所述主体部的设置有所述第一连接部的主面；及通过将所述主体部与所述膜状黏合剂一同切割来形成具有具备单片化的所述第一主体部的半导体芯片及所述膜状黏合剂的所述带黏合剂的电路部件，。3.根据权利要求1或2所述的方法，其中，所述膜状黏合剂的固化反应率在所述热处理后为1％以下。4.根据权利要求1至3中任一项所述的方法，其中，所述膜状黏合剂...

【专利技术属性】
技术研发人员：上野惠子，佐藤慎，
申请(专利权)人：株式会社力森诺科，
类型：发明
国别省市：