半导体装置、半导体装置的制造方法以及电力变换装置制造方法及图纸

得到减轻被键合的布线部件对包括半导体元件的基底造成的影响来提高可靠性的半导体装置。半导体装置具备：半导体元件(1)，具有第一主面；第一金属部件(2)，形成于第一主面上；第二金属部件(3)，形成于第一金属部件(2)的上表面上；第三金属部件(4)，形成于第二金属部件(3)的上表面上；第四金属部件(5)，形成于第三金属部件(4)的上表面上，以铜为主成分；以及布线部件(6)，接合到与第三金属部件(4)的形成位置对应的第四金属部件(5)的上表面上，以铜为主成分。主成分。主成分。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】半导体装置、半导体装置的制造方法以及电力变换装置


[0001]本公开涉及具有用于使用铜布线的电极构造的半导体装置、半导体装置的制造方法以及电力变换装置。

技术介绍

[0002]近年来，在电力用的半导体装置中，要求高电流密度化。为了高电流密度化，要求能够应对高温的条件下的驱动的半导体装置。在这样的半导体装置中，作为连接半导体装置和外部端子的金属布线，提出了使用铜布线(线)。
[0003]一般而言，为了将直径100μm程度的金属线键合到半导体装置，有对金属线赋予通过超声波产生的振动能量来键合的手法。在该手法中，关于作为金属线键合铜线时的超声波的能量，需要比键合铝线时的超声波能量大的能量。
[0004]因此，在以往的半导体装置中，为了键合铜线，大的能量对形成有电极的半导体元件作用。为了减轻由于该能量引起的对基底造成的影响，记载了在被键合铜线的电极的最表面使用铜，进而在铜之下形成维氏硬度比最表面的铜高的铜(Cu)或者镍(Ni)，从而提高线键合性的方法(例如专利文献1)。
[0005]现有技术文献
[0006]专利文献...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种半导体装置，具备：半导体元件，具有第一主面；第一金属部件，形成于所述第一主面上；第二金属部件，形成于所述第一金属部件的上表面上；第三金属部件，形成于所述第二金属部件的上表面上；第四金属部件，形成于所述第三金属部件的上表面上，以铜为主成分；以及布线部件，接合到与所述第三金属部件的形成位置对应的所述第四金属部件的上表面上，以铜为主成分。2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述第二金属部件以及所述第三金属部件中的任意一方的硬度是所述第四金属部件的硬度以上的材料。3.根据权利要求1或者2所述的半导体装置，其中，所述第二金属部件的硬度是所述第三金属部件的硬度以下的材料。4.根据权利要求1至3中的任意一项所述的半导体装置，其中，所述第一金属部件的硬度是所述第二金属部件以及所述第三金属部件的硬度以下的材料。5.根据权利要求1至4中的任意一项所述的半导体装置，其中，所述第四金属部件的外缘比相比于所述第四金属部件形成于更靠下方的所述第一金属部件至所述第三金属部件的至少任意金属部件的外缘形成于更靠内侧。6.根据权利要求1至5中的任意一项所述的半导体装置，其中，在所述第一金属部件、所述第二金属部件、所述第三金属部件以及所述第四金属部件的至少一个金属部件之间，在外周区域配置有绝缘部件。7.根据权利要求6所述的半导体装置，其中，配置于所述绝缘部件上的所述第二金属部件、所述第三金属部件以及所...

【专利技术属性】
技术研发人员：佐藤祐司，
申请(专利权)人：三菱电机株式会社，
类型：发明
国别省市：