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制造半导体装置的方法及膜状黏合剂制造方法及图纸
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文档序号:37704624
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本发明公开一种制造半导体装置的方法,其中,带黏合剂的电路部件通过包括如下步骤的方法来准备:通过将具有半导体芯片或半导体晶圆和膜状黏合剂的层叠体加热至60~100℃并且加压30秒~10分钟,从而贴附于主面。膜状黏合剂在80℃下受到5分钟的热处...
该专利属于株式会社力森诺科所有,仅供学习研究参考,未经过株式会社力森诺科授权不得商用。
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