抛光垫平整度测试方法和装置制造方法及图纸

本发明专利技术涉及一种抛光垫平整度测试方法和装置。包括如下步骤：在抛光垫的一个同半径圆周上选取多个测试点；依次测量抛光垫上多个测试点的测试厚度；根据多个测试厚度判断抛光垫的平整度。由于该方法选取抛光垫上一个同半径圆周上多个测试点的厚度来进行平整度判断，有效避免取点不规范对平整度判断的影响，提高了平整度测试的效率和准确性，并为不同抛光垫之间的平整度测试提供了统一的测试方法和判断标准。标准。标准。

【技术实现步骤摘要】
抛光垫平整度测试方法和装置


[0001]本专利技术涉及抛光垫测试
，特别是涉及抛光垫平整度测试方法和装置。

技术介绍

[0002]CMP(Chemical Mechanical Polishing)即“化学机械抛光”，是为了克服化学抛光和机械抛光的缺点，将磨粒机械磨削和抛光液化学腐蚀作用组合的抛光技术。化学机械抛光最大的优点就是能使加工表面实现纳米级全局平坦化，满足集成电路特征尺寸在0.35μm以下的超精密无损伤表面加工。半导体器件通常要求达到纳米级的平整度，目前最好的工艺是用抛光液(化学)和抛光垫(机械)结合起来的方式。CMP除应用于集成电路芯片以外，也常出现在半导体的分立器件、电子元器件的加工上，此外也拓展到薄膜存贮磁盘、陶瓷、蓝宝石等表面加工领域。
[0003]抛光垫，又称研磨垫，其表面粗糙，设有凸起或凹槽，用于直接与芯片接触产生摩擦，以机械方式去除半导体表面的抛光层，并在离心力的作用下将抛光液均匀地抛洒到抛光垫的表面，以化学方式去除半导体表面的抛光层，同时将反应产物带出抛光垫。因此抛光垫的平整度直接影响晶片的表面质量，关系本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种抛光垫平整度测试方法，其特征在于，包括如下步骤：在抛光垫的一个同半径圆周上选取多个测试点；依次测量所述抛光垫上多个所述测试点的测试厚度；根据多个所述测试厚度判断所述抛光垫的平整度。2.根据权利要求1所述的抛光垫平整度测试方法，其特征在于，所述方法还包括如下步骤：获取所述抛光垫的基准厚度；所述根据多个所述测试厚度判断所述抛光垫的平整度是否合格，包括如下步骤：由所述测试厚度和所述基准厚度计算每个所述测试点的厚度偏差；根据多个所述测试点的厚度偏差判断所述抛光垫的平整度。3.根据权利要求2所述的抛光垫平整度测试方法，其特征在于，所述由所述测试厚度和所述基准厚度计算每个所述测试点的厚度偏差，包括如下步骤：依次根据以下公式计算每个所述测试点的所述厚度偏差，所述厚度偏差＝|所述测试厚度
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所述基准厚度|/所述基准厚度*100％。4.根据权利要求2所述的抛光垫平整度测试方法，其特征在于，所述根据多个所述测试点的厚度偏差判断所述抛光垫的平整度，包括如下步骤：设置所述厚度偏差的合格范围；当全部所述测试点的厚度偏差均位于所述合格范围内，所述抛光垫的平整度合格，当至少一个所述测试点的厚度偏差超出所述合格范围，所述抛光垫的平整度不合格。5.根据权利要求2所述的抛光垫平整度测试方法，其特征在于，所述获取所述抛光垫的基准厚度，包括如下步骤：在所述抛光垫上设置基准点；测量所述基准点...

【专利技术属性】
技术研发人员：张莉娟，
申请(专利权)人：上海芯谦集成电路有限公司，
类型：发明
国别省市：