一种离子束刻蚀腔内栅网的沾污的清洗方法技术

本发明专利技术提供了一种离子束刻蚀腔内栅网的沾污的清洗方法，使用离子束刻蚀的工艺菜单进行清洗，设置施加在第一层栅网的正电压、正电流和施加在第二层栅网上的负电压，使等离子体通过第一层栅网，且不形成具有方向性离子束，利用等离子体之间的排斥碰撞作用，对栅网的沾污进行清洗。本发明专利技术中的清洗方法不用通过开腔等其他物理操作，直接以离子束刻蚀腔的工艺菜单的方式在不开腔的情况下达到清洗IBE grid的目的，且清洗效果好，清洗前后工艺参数稳定。清洗前后工艺参数稳定。

【技术实现步骤摘要】
一种离子束刻蚀腔内栅网的沾污的清洗方法


[0001]本专利技术属于半导体
，尤其涉及一种离子束刻蚀腔内栅网的沾污的清洗方法。

技术介绍

[0002]离子束刻蚀(IBE)是干法刻蚀的一种，是一种利用一定能量的离子束轰击材料表面，使材料表面发生溅射，从而实现刻蚀效果的设备。
[0003]刻蚀工艺流程如下：
[0004]气体Ar、O2等进入石英腔放电室
→
RF线圈发起的高频波电离Ar、O2产生等离子体
→
在第一层栅网施加正电压(BMV)和正电流(BMI)对离子的强度进行筛选
→
在第二层栅网施加负电压(ACV)吸引带正电的等离子体并使等离子体形成具有方向性的带正电的离子束并通过第二层栅网
→
到达第三层栅网筛后离子束电势为0并穿过第三层栅网
→
带正电荷的离子束被中和器发射出的电子中和，形成电中性离子束
→
电中性离子束对载台上的晶圆进行轰击，副产物被真空系统抽走。
[0005]在IBE刻蚀的过程中，由于挡板的开启，此时腔本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种离子束刻蚀腔内栅网的沾污的清洗方法，其特征在于，使用离子束刻蚀的工艺菜单进行清洗，设置施加在第一层栅网的正电压、正电流和施加在第二层栅网上的负电压，使等离子体通过第一层栅网，且不形成具有方向性离子束，利用等离子体之间的排斥碰撞作用，对栅网的沾污进行清洗。2.根据权利要求1所述的清洗方法，其特征在于，所述施加在第一层栅网的正电压为50～1000V。3.根据权利要求2所述的清洗方法，其特征在于，所述施加在第二层栅网的负电压为10～1000V。4.根据权利要求3所述的清洗方法，其特征在于，所述施加在第一层栅网的正电流为5mA～10A...

【专利技术属性】
技术研发人员：郑枝源，杨宇新，李佳鹤，彭泰彦，李雪冬，许开东，
申请(专利权)人：江苏鲁汶仪器股份有限公司，
类型：发明
国别省市：