【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体，尤其涉及等离子体处理室等半导体加工设备的工艺气体进气结构。本专利技术还涉及设有所述多区喷气进气结构的喷气系统。
技术介绍
1、在晶圆上刻蚀材料以及将材料沉积到晶圆上时，会使用到等离子体处理室。实际使用中，一般通过等离子体处理室顶部介质窗的开口安装工艺气体喷嘴，等离子体处理室的上表面的中心孔与气体喷嘴配合，将工艺气体喷入等离子体处理室的内部。因此，喷嘴的进气结构对保证刻蚀和沉积的均一性具有很大的影响。
2、在刻蚀等设备上，相关喷嘴的进气方式多数为中心与边缘两路进气。为保证刻蚀设备的进气均匀性，防止发生电弧放电现象而造成晶圆瑕疵，大多数喷嘴的进气路会分为中心与边缘进气路，以做到匀气的效果。
3、例如，有些喷嘴取消中心进气路，作为光学访问通道，以使光线进出工艺室。这种结构的喷嘴，由于中部为碗形匀气结构，存在电弧放电的风险。
4、另外一些喷嘴的中部为光学访问通道，不通气体，边缘分为边缘中心与边缘外围两路进气，中部不进气，其中部光学访问通道不通气体，容易沉积无法清洗，造成颗粒污染。
...【技术保护点】
1.一种多区喷气进气结构，其特征在于，包括进气连接件(10)和气体喷嘴(20)，所述进气连接件(10)与气体喷嘴(20)相互连接；所述气体喷嘴(20)设有中心进气气路、中间进气气路和边缘进气气路，所述中心进气气路包括中心匀气孔(21)和连通所述中心匀气孔下端的中心进气孔(22)，所述中间进气气路包括中间匀气孔(23)和连通所述中间匀气孔下端的中间进气孔(24)，所述边缘进气气路包括边缘匀气孔(25)和连通所述边缘匀气孔下端的边缘进气孔(26)；所述进气连接件(10)与所述气体喷嘴(20)之间设有将所述中心进气气路、中间进气气路和边缘进气气路相互独立密封的密封件。>
2.根据权利...
【技术特征摘要】
1.一种多区喷气进气结构，其特征在于，包括进气连接件(10)和气体喷嘴(20)，所述进气连接件(10)与气体喷嘴(20)相互连接；所述气体喷嘴(20)设有中心进气气路、中间进气气路和边缘进气气路，所述中心进气气路包括中心匀气孔(21)和连通所述中心匀气孔下端的中心进气孔(22)，所述中间进气气路包括中间匀气孔(23)和连通所述中间匀气孔下端的中间进气孔(24)，所述边缘进气气路包括边缘匀气孔(25)和连通所述边缘匀气孔下端的边缘进气孔(26)；所述进气连接件(10)与所述气体喷嘴(20)之间设有将所述中心进气气路、中间进气气路和边缘进气气路相互独立密封的密封件。
2.根据权利要求1所述的多区喷气进气结构，其特征在于，所述进气连接件(10)设有中心匀气槽(11)、中间匀气槽(13)和边缘匀气槽(15)，所述中心匀气槽(11)对应于所述中心匀气孔(21)，所述中间匀气槽(13)对应于所述中间匀气孔(23)，所述边缘匀气槽(15)对应于所述边缘匀气孔(25)，所述中心匀气槽(11)、中间匀气槽(13)和边缘匀气槽(15)分别设有独立的进气口。
3.根据权利要求1所述的多区喷气进气结构，其特征在于，所述进气连接件(10)设有对应于所述气体喷嘴(20)的中心进气管(51)、中间进气管(52)和边缘进气管(53)，所述中心进气管(51)、中间进气管(52)和边缘进气管(53)的直径由内到外依次增大且相互嵌套，所述中心进气管(51)与所述中心匀气孔(21)相连通，所述中间进气管(52)与所述中心进气管(51)之间形成的环形通道与所述中间匀气孔(21)相连通，所述中间进气管(52)与所述边缘进气管(53)之间形成的环形通道与所述边缘匀气孔(25)相连通，所述中心进气管(51)、中间进气管(52)和边缘进气管(53)分别设有独立的进气口。
4.根据权利要求1所述的多区喷气进气结构，其特征在于，所述中心进气气路在中心匀气孔(21)的上部设有中心匀气缓冲通道(27)。
5.根据权利要求4所述的多区喷气进气结构，其特征在于，所述中心匀气缓冲通道(27)同时用作光学访问通道，所述进气连接件(11)设有相应的光学访问窗口(40)。
6.根据权利要求5所述的多区喷气进气结构，其特征在于，所述中心匀气缓冲通道(27)的内腔中设有遮挡体(271)，所述遮挡体(271)将内腔的访问区域分割为至少两个独立的通孔，至少两个独立的通孔平行于指向光学访问窗口(40)的光学路径地延伸。
7.根据权利要求1所述的多区喷气进气结构，其特征在于，所述中心进气气路的中心进气孔(22)垂直向下。
8.根据权利要求7所述的多区喷气进气结构，其特征在于，所述中心进气气路设有两圈同圆心的中心匀气孔(21)，每一圈所述中心匀气孔(21)的下...
【专利技术属性】
技术研发人员：陈帅，刘海洋，刘小波，李浩，李百顺，胡冬冬，许开东，
申请(专利权)人：江苏鲁汶仪器股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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