用于有机电致发光器件的材料制造技术

本发明专利技术涉及适用在电子器件中使用的化合物和含有所述化合物的电子器件、特别是有机电致发光器件。致发光器件。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】用于有机电致发光器件的材料
[0001]本专利技术涉及在电子器件中、尤其在有机电致发光器件中使用的材料以及包含这些材料的电子器件、尤其是有机电致发光器件。
[0002]在有机电致发光器件(OLED)中使用的发光材料通常是磷光有机金属络合物。通常，在OLED，尤其是另外在表现出三重态发光(磷光)的OLED中，例如在效率、工作电压和寿命方面仍需要改进。磷光OLED的性能不仅仅取决于所使用的三重态发光体。更特别地，所使用的其它材料如基质材料在此也特别重要。由此，对这些材料的改进也能够导致OLED性能的改进。适用于OLED的基质材料例如是如在WO 2011/116865、WO 2011/137951、WO 2013/064206或KR 2015
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037703中所公开的芳族内酰胺。
[0003]本专利技术的一个目的是提供化合物，所述化合物适用于OLED中，特别是用作磷光发光体的基质材料或用作电子传输材料，并导致其中的性能得到改进。
[0004]已经发现，令人惊讶的是，该目的通过下文中详细描述的特别化合物来实现，所述化合物对在OLED中使用具有良好的适宜性。这些OLED尤其具有长的寿命、高的效率和相对低的工作电压。因此，本专利技术提供这些化合物和包含这些化合物的电子器件，尤其是有机电致发光器件。
[0005]本专利技术提供式(1)的化合物，
[0006][0007]其中使用的符号如下：
[0008]X在每种情况下相同或不同，并且是CR或N；
[0009]X1为CR或N；
[0010]Y为CR2、SiR2、BAr、C＝O、O或S；
[0011]Ar在每种情况下相同或不同并且是具有5至60个芳族环原子并且在每种情况下可被一个或多个R基团取代的芳族或杂芳族环系；
[0012]R在每种情况下相同或不同并且是：H，D，F，Cl，Br，I，B(OR1)2，CHO，C(＝O)R1，CR1＝C(R1)2，CN，C(＝O)OR1，Si(R1)3，NO2，P(＝O)(R1)2，OSO2R1，OR1，S(＝O)R1，S(＝O)2R1，SR1，具有1至20个碳原子的直链烷基基团或具有2至20个碳原子的烯基或炔基基团或具有3至20个碳原子的支链或环状的烷基基团，其中所述烷基、烯基或炔基基团在每种情况下可被一个或多个R1基团取代，其中一个或多个不相邻的CH2基团可被
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R1C＝CR1‑
、
‑
C≡C
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、Si(R1)2、C＝O、C＝S、
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C(＝O)O
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、P(＝O)(R1)、
‑
O
‑
、
‑
S
‑
、SO或SO2代替，或具有5至60个芳族环原子、优选5至40个芳族环原子并且在每种情况下可被一个或多个R1基团取代的芳族或杂芳族环系，其中键合到同一碳原子或硅原子的两个R基团可彼此连接并可形成环，并且其中键合到相邻的碳原子的两个R基团可彼此连接并且可形成脂族环或杂脂族环，并且其中至少一个R是芳族或杂芳族环系，并且其中在富电子杂芳族环系R的情况下，所述富电子杂芳基基团经由碳原
子键合到基础骨架；
[0013]R1在每种情况下相同或不同并且是：H，D，F，I，B(OR2)2，CHO，C(＝O)R2，CR2＝C(R2)2，CN，C(＝O)OR2，Si(R2)3，NO2，P(＝O)(R2)2，OSO2R2，OR2，S(＝O)R2，S(＝O)2R2，具有1至20个碳原子的直链烷基基团或具有2至20个碳原子的烯基或炔基基团或具有3至20个碳原子的支链或环状的烷基基团，其中所述烷基、烯基或炔基基团在每种情况下可被一个或多个R2基团取代，并且其中上述基团中的一个或多个CH2基团可被
‑
R2C＝CR2‑
、
‑
C≡C
‑
、Si(R2)2、C＝O、C＝S、
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C(＝O)O
‑
、P(＝O)(R2)、
‑
O
‑
、
‑
S
‑
、SO或SO2代替，并且其中上述基团中的一个或多个氢原子可被D、F、Cl、Br、I、CN或NO2代替，或具有5至30个芳族环原子并且在每种情况下可被一个或多个R2基团取代的芳族或杂芳族环系，其中两个或更多个R1基团可彼此连接并可形成环，其中，在富电子杂芳族环系R1的情况下，所述富电子杂芳基基团经由碳原子键合到基础骨架或R；
[0014]R2在每种情况下相同或不同并且是：H，D，F，CN，或具有1至20个碳原子的脂族、芳族或杂芳族的有机基团，其中一个或多个氢原子还可被D或F代替；同时，两个或更多个取代基R2可彼此连接并可形成环，其中，在富电子杂芳族环系R2的情况下，富电子杂芳基基团经由碳原子键合到基础骨架。
[0015]在本专利技术的上下文中，芳基基团含有6至40个碳原子；在本专利技术的上下文中，杂芳基基团含有2至40个碳原子和至少一个杂原子，条件是碳原子和杂原子的总和为至少5。杂原子优选选自N、O和/或S。在此，芳基基团或杂芳基基团应理解为是指：简单的芳族环，即苯；或简单的杂芳族环，例如吡啶、嘧啶、噻吩等；或稠合(增环)的芳基或杂芳基基团，例如萘、蒽、菲、喹啉、异喹啉等。相反，通过单键彼此连接的芳族化合物如联苯基，不称之为芳基或杂芳基基团，而是称之为芳族环系。
[0016]在本专利技术的上下文中，芳族环系在环系中含有6至60个碳原子，优选6至40个碳原子。在本专利技术的上下文中，杂芳族环系在环系中含有2至60个碳原子、优选2至40个碳原子和至少一个杂原子，条件是碳原子和杂原子的总和为至少5。杂原子优选选自N、O和/或S。在本专利技术的上下文中，芳族或杂芳族环系应理解为是指如下体系：其不必仅包含芳基或杂芳基基团，而是其中两个或更多个芳基或杂芳基基团还可以通过非芳族单元如碳、氮或氧原子来连接。这些同样应理解为是指其中两个或更多个芳基或杂芳基基团彼此直接连接的体系如联苯基、三联苯基、联吡啶或苯基吡啶。例如，在本专利技术的上下文中，诸如芴、9,9'
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螺二芴、9,9
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二芳基芴、三芳基胺、二芳基醚、芪等的系也同样旨在被视为本专利技术上下文中的芳族环系，以及其中两个或更多个芳基基团例如通过短的烷基基团连接的体系同样如此。优选的芳族或杂芳族环系是：简单的芳基或杂芳基基团；和其中两个或更多个芳基或杂芳基基团彼此直接连接的基团如联苯基或联吡啶；以及芴或螺二芴。
[0017]富电子杂芳族环系的特征在于，它是不含缺电子杂芳基基团的杂芳族环系。缺电子杂芳基基团是：具有至少一个氮原子的六元杂芳基基团；或具有至少两个杂原子的五元杂芳基基团，其中一个杂原子为氮原子且另一个杂原子为氧、硫或取代的氮原子，其中另外的芳基或杂芳基基团在每种情况下也可稠合到这些基团上。相比之下，富电子杂芳基基团是具有恰好一个选自氧、硫和取代氮的杂原子的五元杂芳基基团，其上可稠合其它芳基基团和/或其它富电子五元杂本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种式(1)的化合物，其中使用的符号如下：X在每种情况下相同或不同，并且是CR或N；X1为CR或N；Y为CR2、SiR2、BAr、C＝O、O或S；Ar在每种情况下相同或不同并且是具有5至60个芳族环原子并且在每种情况下可被一个或多个R基团取代的芳族或杂芳族环系；R在每种情况下相同或不同并且是：H，D，F，Cl，Br，I，B(OR1)2，CHO，C(＝O)R1，CR1＝C(R1)2，CN，C(＝O)OR1，Si(R1)3，NO2，P(＝O)(R1)2，OSO2R1，OR1，S(＝O)R1，S(＝O)2R1，SR1，具有1至20个碳原子的直链烷基基团或具有2至20个碳原子的烯基或炔基基团或具有3至20个碳原子的支链或环状的烷基基团，其中所述烷基、烯基或炔基基团在每种情况下可被一个或多个R1基团取代，其中一个或多个不相邻的CH2基团可被
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R1C＝CR1‑
、
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C≡C
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、Si(R1)2、C＝O、C＝S、
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C(＝O)O
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、P(＝O)(R1)、
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O
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、
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S
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、SO或SO2代替，或具有5至60个芳族环原子并且在每种情况下可被一个或多个R1基团取代的芳族或杂芳族环系，其中键合到同一碳原子或硅原子的两个R基团可彼此连接并可形成环，并且其中键合到相邻的碳原子的两个R基团可彼此连接并且可形成脂族环或杂脂族环，并且其中至少一个R是芳族或杂芳族环系，并且其中在富电子杂芳族环系R的情况下，富电子杂芳基基团经由碳原子键合到基础骨架；R1在每种情况下相同或不同并且是：H，D，F，I，B(OR2)2，CHO，C(＝O)R2，CR2＝C(R2)2，CN，C(＝O)OR2，Si(R2)3，NO2，P(＝O)(R2)2，OSO2R2，OR2，S(＝O)R2，S(＝O)2R2，具有1至20个碳原子的直链烷基基团或具有2至20个碳原子的烯基或炔基基团或具有3至20个碳原子的支链或环状的烷基基团，其中所述烷基、烯基或炔基基团在每种情况下可被一个或多个R2基团取代，并且其中上述基团中的一个或多个CH2基团可被
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R2C＝CR2‑
、
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C≡C
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、Si(R2)2、C＝O、C＝S、
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C(＝O)O
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、P(＝O)(R2)、
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【专利技术属性】
技术研发人员：埃米尔，
申请(专利权)人：默克专利有限公司，
类型：发明
国别省市：