一种抛光液及其制备方法技术

本披露公开了一种抛光液，该抛光液包括微粉料和水基复合基载液，其中所述微粉料和所述水基复合基载液的质量配比为：所述微粉料为2

【技术实现步骤摘要】
一种抛光液及其制备方法


[0001]本披露一般涉及半导体
，更具体地，本披露涉及一种抛光液及其制备方法。

技术介绍

[0002]碳化硅(SiC)是制造超高压功率器件、深紫外光电子器件、高亮度LED等高性能半导体器件的新一代半导体材料。碳化硅晶体在完成单晶生长之后，需要经过晶圆切割、超精密磨削、CMP抛光(Chemical Mechanical Polishing，化学机械抛光)及清洗等晶圆制造工艺，最终获得高精度超光滑无损伤的碳化硅晶圆衬底。
[0003]碳化硅的莫氏硬度高达9.5，其化学惰性强，传统碱性双氧水
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氧化硅体系抛光液用于抛光碳化硅的效率极低，不能满足日益增大的市场需求。因而，当前产业界主要使用的抛光液是氧化铝结合强氧化剂高锰酸钾的酸性化学机械抛光液。由于氧化铝的硬度远大于氧化硅，当前主流酸性氧化铝抛光液产品造成的刮伤、橘皮、微凹坑缺陷等损伤比传统碱性氧化硅抛光液大。
[0004]为了避免抛光过程中造成严重的刮伤，抛光液主要依靠采用纳米粒径的氧化铝或包覆型磨粒改善抛光液中的磨粒分散性等方法来应本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种抛光液，其特征在于，包括微粉料和水基复合基载液，其中所述微粉料和所述水基复合基载液的质量配比为：所述微粉料为2
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40份，所述水基复合基载液为60
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98份；所述微粉料包括磨粒和纳米石墨粉。2.如权利要求1所述的抛光液，其特征在于，所述磨粒在所述微粉料中的质量比例为20wt％
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80wt％；所述纳米石墨粉在所述微粉料中的质量比例为20wt％
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80wt％。3.如权利要求1所述的抛光液，其特征在于，所述磨粒包括氧化硅、氧化铝、氧化锆、碳化硅和金刚石中的一种或多种。4.如权利要求1
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3任一所述的抛光液，其特征在于，所述磨粒的平均粒径为50nm
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5μm，所述纳米石墨粉的平均粒径为20nm
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500nm。5.如权利要求1所述的抛光液，其特征在于，所述水基复合基载液包括氧化剂、表面活性剂、悬浮剂、消泡剂、分散剂、pH调节剂和水，其中所述水基复合基载液中各成分的质量配比为：水为80
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94份，所述氧化剂为1
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6份，所述表面活性剂为0.5
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2份，所述悬浮剂为0.1
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0.5份，所述消泡剂为0.1
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0.3份，所述分散剂为0.5
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4份，所述pH调节剂为0.05
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0.3份。6.如权利要求5所述的抛光液，其特征在于，所述氧化剂包括高锰酸钾、过硫酸钠、过硫酸钾、硫代硫酸钠、次氯酸钠、硝酸钾、铬酸、高铬酸和高铬盐中的一种或多种；和/或，所述表面活性剂包括高分子聚合物聚乙烯吡咯烷酮、月桂酸钠、草酸钠、脂肪醇和聚氧乙烯醚中的一种或多种；和/或，所述悬浮剂包括膨润土和/或气相二氧化硅中的一种或多种；和/或，所述消泡剂包括丙二醇、甘油和矿物油中的一种或多种；和/或，所述分散剂包括硝酸钠、草酸钠、六偏磷酸钠、焦磷酸钠和三聚磷酸钠中的一种或多种；和/或，所述pH调节剂包括氢氧化钾溶液和/或硝酸溶液。7.如权利要求6所述的抛光液，其特征在于，所述消泡剂包括丙二醇和甘油，其中丙二醇在消泡剂中的体积占比为2...

【专利技术属性】
技术研发人员：罗虎，张洁，汪良，苏双图，
申请(专利权)人：湖南三安半导体有限责任公司，
类型：发明
国别省市：