一种半导体硅片抛光用的纳米硅铈复合抛光液的制备方法技术

本发明专利技术提供一种半导体硅片抛光用的纳米硅铈复合抛光液的制备方法，包括如下步骤：搅拌条件下，依次向纳米硅铈复合颗粒水溶液中加入氧化剂、有机络合剂、表面活性剂、有机碱pH调节剂，并补足去离子水调节含量，使得抛光液pH值在8

【技术实现步骤摘要】
一种半导体硅片抛光用的纳米硅铈复合抛光液的制备方法


[0001]本专利技术涉及半导体单晶硅片表面抛光处理的
，尤其涉及一种半导体硅片抛光用的纳米硅铈复合抛光液的制备方法。

技术介绍

[0002]随着半导体技术的发展，晶圆尺寸不断加大，线宽不断减小，对硅衬底加工表面质量要求越来越高，化学机械抛光(CMP)技术是硅衬底材料抛光的必需工艺。硅衬底抛光工艺的总体要求包括去除速率、微划伤、粗糙度、残余颗粒、雾度值等多个方面，其中，抛光液中的抛光磨料是重要的耗材。
[0003]在公开的技术方案中CN 107936848A、CN 102660195A、CN 102061131A，这些专利技术中均采用胶体二氧化硅作为抛光液磨料，在硅片抛光过程中二氧化硅颗粒起到关键的作用。根据文献报道的硅片抛光机理，硅材料表面的原子和溶液中的OH
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发生化学反应，形成一定厚度的软质层，该软质层会吸附在抛光材料表面，阻碍进一步的化学反应，而抛光液中的二氧化硅颗粒可以在压力和抛光垫作用下，将软质层去除掉，裸露出新的硅原子，从而得到高精度的表面。在公开本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体硅片抛光用的纳米硅铈复合抛光液的制备方法，包括如下步骤：搅拌条件下，依次向纳米硅铈复合颗粒水溶液中加入氧化剂、有机络合剂、表面活性剂、有机碱pH调节剂，并补足去离子水调节含量，使得抛光液pH值在8
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12范围内；之后采用均质机或者砂磨机球磨机设备将颗粒及辅助材料充分混合，分散于水溶液中，其中各成分重量百分含量如下：纳米硅铈复合颗粒1
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30％，氧化剂0.01
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1％，有机络合剂0.01
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0.5％，表面活性剂0.1
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2％，pH调节剂有机碱0.1
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2％，余量为去离子水；其中，纳米硅铈复合颗粒水溶液为纳米硅铈复合颗粒加入去离子水中搅拌获得。2.如权利要求1所述的半导体硅片抛光用的纳米硅铈复合抛光液的制备方法，其特征在于：所述纳米硅铈复合颗粒粒径10
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80nm。3.如权利要求2所述的半导体硅片抛光用的纳米硅铈复合抛光液的制备方法，其特征在于：硅片粗抛选用纳米硅铈复合颗粒粒径50
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60nm，精抛纳米选用硅铈复合颗粒粒径10
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20nm。4.如权利要求1所述的半导体硅片抛光用的纳米硅铈复合抛光液的制备方法，其特征在于：所述氧化剂采用过硫酸钠、过硫酸钾、双氧水、高氯酸盐、次氯酸盐、二氯异氰尿酸钠、硝酸钠、硝酸铵及有机过氧化物中的一种或多种。5.如权利要求1所述的半导体硅片抛光用的纳米硅铈复合抛光液的制备方法，其特征在于：所述络合剂采用柠檬酸、乙二胺四乙酸二钠、柠檬酸钠中的一种或多种。6.如权利要求1所述的半导体硅片抛光用的纳米硅铈复合抛光液的制备方法，其特征在于：所述表面活性剂采用聚丙烯酸铵、聚丙烯酸钠中的一种或多种。7.如权利要求1所述的半导体硅片抛光用的纳米硅铈复合抛光液...

【专利技术属性】
技术研发人员：郑珊珊，薛海涛，李林昊，
申请(专利权)人：国科大杭州高等研究院，
类型：发明
国别省市：