一种抛光用纳米团粒氧化铝及其制备方法和应用技术

本发明专利技术属于纳米磨料制备技术领域，一种抛光用纳米团粒氧化铝及其制备方法和应用，包括如下步骤：(1)将纳米氧化铝、减水剂、陶瓷结合剂和聚醚醚酮分散于水中，经超声搅拌混合均匀，得到混合料浆，再经喷雾造粒，制得复合磨料胚体；(2)将复合磨料胚体与氯化钠混合均匀，再进行高温烧结；(3)步骤(2)烧结后的混合物经水洗、干燥，制得纳米团粒氧化铝。本发明专利技术用纳米团粒氧化铝作为磨料，通过小粒径喷雾造粒合成大颗粒，相较于传统α

【技术实现步骤摘要】
一种抛光用纳米团粒氧化铝及其制备方法和应用


[0001]本专利技术属于纳米磨料制备
，涉及一种纳米团粒氧化铝制备方法和抛光应用。

技术介绍

[0002]碳化硅(SiC)是成为制作高温、高频和大功率电力电子器件的理想半导体材料，是第三代半导体的主要代表之一，相比于传统的硅基产品，其制成的器件能为电力电子产品的升级提供核心保障，比如新能源车、充电桩、光伏发电等领域。随着半导体工业的飞速发展，电子器件尺寸越来越小，对晶圆表面要求也越来越高，要求晶片表面粗糙度达到纳米级。
[0003]传统的平坦化技术，仅可实现局部平坦化，而化学机械抛光技术(CMP)不仅可以实现全局平坦化，而且在加工性能和速度上均优于传统的平坦化技术。对于碳化硅晶片的CMP，抛光液是非常重要的耗材。现有技术中，因碳化硅晶片硬度较高，传统的抛光液，加工效率很低，生产成本提高，抛光表面容易出现划痕等问题。
[0004]目前由于α
‑
氧化铝硬度较高而被广泛应用于研磨抛光耗材中，但应用于碳化硅抛光液中的较少，且无限定形貌，大多为不规则形貌。这就导致在抛光本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种抛光用纳米团粒氧化铝的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：(1)将纳米氧化铝、减水剂、陶瓷结合剂和聚醚醚酮分散于水中，经超声搅拌混合均匀，得到混合料浆，再经喷雾造粒，制得复合磨料胚体；(2)将复合磨料胚体与氯化钠混合均匀，再进行高温烧结；(3)步骤(2)烧结后的混合物经水洗、干燥，制得纳米团粒氧化铝。2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤(1)所述喷雾造粒采用喷雾干燥机的转速为30000
±
20000rpm，喷雾造粒的温度为300
±
100℃，时间6
±
3h。3.根据权利要求1或2所述的制备方法，其特征在于，步骤(2)所述复合磨料胚体与氯化钠的质量比为1:1
‑
5:1；所述高温烧结温度为250
‑
500℃，时间为1
‑
5h。4.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于，按质量份计，步骤(1)混合料浆的配比为：纳米氧化铝微粉10
‑
30％、聚醚醚酮10
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30％、减水剂1
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10％、陶瓷结合剂10
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30％、水20
‑
60％；所述减水剂为木质素磺酸钠，所述陶瓷结合剂为低温熔融玻璃粉。5.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，步骤(1)混合料浆的配比为：纳米氧化铝微粉15
‑
25％、聚醚醚酮15
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25％、减水剂2
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5％、陶瓷结合剂15
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25％、水30
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50％；纳米氧化铝粒径为10
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200nm，聚醚醚酮的粒径为10
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200nm；步骤(2)所述复合磨...

【专利技术属性】
技术研发人员：王杰，黄晓伟，袁黎光，钱金龙，楚慧颖，杨小牛，
申请(专利权)人：广东粤港澳大湾区黄埔材料研究院，
类型：发明
国别省市：