具有改进再循环性能的化学机械抛光组合物制造技术

本发明专利技术涉及化学机械抛光组合物以及使用可用于抛光硅晶片的相同组合物对含有硅材料的基材进行化学机械抛光的方法。本发明专利技术具体涉及一种化学机械抛光组合物，其包含胶体二氧化硅磨粒、含氮化合物、螯合剂、阴离子聚合物，其特征在于所述胶体二氧化硅磨粒在组合物中9至12的pH下具有至少

【技术实现步骤摘要】
具有改进再循环性能的化学机械抛光组合物


[0001]本专利技术属于化工
，具体涉及一种具有改进再循环性能的化学机械抛光组合物。

技术介绍

[0002]化学机械抛光(CMP)是指同时通过化学和机械力对晶片等产品的表面进行抛光处理，CMP组合物常用于微机电和集成电路领域中。这些组合物通常是水溶液，包含分散在组合物中的各种化学添加剂和磨粒。CMP组合物也称为抛光浆料、CMP浆料或抛光组合物。CMP组合物极大地影响基材抛光和平滑化过程中的许多因素，例如基材的材料去除率、平坦化和缺陷率。
[0003]含硅基材经常用于许多应用中，例如电子、太阳能和纳米技术设备。例如用于电子设备的硅晶片是通过提拉法从单晶硅锭获得的。硅锭用金刚石锯切成薄的晶片。在称为研磨的粗抛光工艺之后，用CMP组合物抛光晶片以获得具有所需厚度和平整度的晶片。晶片在多个抛光步骤中抛光，包括初级抛光、可选的次级抛光和最终抛光。对于初级抛光步骤，需要高材料去除率。含有金属氧化物颗粒如二氧化硅的CMP组合物经常用于含硅基材的初级抛光。
[0004]为了降低制造成本、废品数目和本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种用于抛光含有硅材料的基材的化学机械抛光组合物，该组合物包含：胶体二氧化硅磨粒，含氮化合物，螯合剂，阴离子聚合物；其中所述胶态二氧化硅磨粒在组合物中9
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12的pH下具有至少
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3mV的zeta电位，和其中所述阴离子聚合物具有至多为50,000g/mol的分子量。2.根据权利要求1所述的组合物，其特征在于，在使用时，所述组合物包含至多20.2wt％的磨粒。3.根据权利要求1所述的组合物，其特征在于，所述组合物具有至少7.0的pH。4.根据权利要求1所述的组合物，其特征在于，所述含氮化合物与所述螯合剂和聚合物之和的重量百分比至多为100。5.根据权利要求1所述的组合物，其特征在于，所述含氮化合物是直链伯二胺、哌嗪、胍、胆碱、链烷...

【专利技术属性】
技术研发人员：徐炎华，田露，NP，
申请(专利权)人：昂士特科技深圳有限公司，
类型：发明
国别省市：