具有改进颗粒的化学机械抛光组合物制造技术

本发明专利技术涉及化学机械抛光组合物和用相同组合物对包含硅氧化物材料的基材进行化学机械抛光的方法。本发明专利技术尤其涉及包含二氧化铈磨粒的化学机械抛光组合物，所述磨粒的特征在于立方形态、在组合物中在1

【技术实现步骤摘要】
具有改进颗粒的化学机械抛光组合物


[0001]本专利技术属于化工
，具体涉及一种具有改进颗粒的化学机械抛光组合物。

技术介绍

[0002]化学机械抛光(CMP)组合物通常用于集成电路和微机电系统工业中，用于通过化学和机械力的组合对诸如晶片的基材进行化学机械抛光。这些组合物通常是水溶液，包含分散在组合物中的各种化学添加剂和磨粒。CMP组合物也称为抛光浆料、CMP浆料或抛光组合物。CMP组合物极大地影响基材抛光和平滑化过程中的许多因素，例如基材的材料去除率、平坦化和缺陷率。
[0003]在诸如浅沟槽隔离的CMP应用中，层间介电(ILD)层中的基材通常包含电介质硅。工业中常用的含硅介电基材为二氧化硅、原硅酸四乙酯(TEOS)和氮化硅。含硅介电基材经常用含有二氧化铈磨粒的CMP组合物抛光。对于许多介电硅应用，需要包含具有高材料去除率的铈氧化物(二氧化铈)磨粒的CMP组合物。然而，具有高材料去除率的二氧化铈磨粒常常会导致在CMP处理期间基材中出现更多不希望的缺陷，例如划痕。尽管二氧化铈磨粒广泛用于抛光介电硅基材，但仍然需要包含二氧化铈磨粒的本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种包含二氧化铈磨粒的化学机械抛光组合物，其中所述二氧化铈磨粒具有：立方形态，在所述组合物中在1
‑
6的pH下至少为10mV的zeta电位，和至少为34的陡度因子。2.根据权利要求1所述的组合物，其特征在于，所述磨粒具有至多1.8的粒径分布因子。3.根据权利要求1所述的组合物，其特征在于，所述磨粒具有至多18.6的斜率因子。4.根据权利要求1所述的组合物，其特征在于，所述磨粒具有F
2g
峰，其通过拉曼光谱在532nm波长下测量的FWHM为至多26.97cm
‑1。5.根据权利要求1所述的组合物，其特征在于，所述磨粒具有F
2g
峰，其通过拉曼光谱在532nm波长下测量的FWTM为最多35.78cm
‑1。6.根据权利要求1所述的组合物，其特征在于，所述磨粒具有至少4.51的...

【专利技术属性】
技术研发人员：马庭轩，贾仁合，
申请(专利权)人：昂士特科技深圳有限公司，
类型：发明
国别省市：