采用球磨法制备二氧化铈悬浮液的方法及其产品与应用技术

本申请涉及无机材料技术领域，提供了一种采用球磨法制备二氧化铈悬浮液的方法及其产品与应用。本申请提供的采用球磨法制备二氧化铈悬浮液的方法包括步骤：将二氧化铈颗粒进行球磨，然后分散到水中，得到二氧化铈悬浮液；球磨步骤中：磨球直径为1

【技术实现步骤摘要】
采用球磨法制备二氧化铈悬浮液的方法及其产品与应用


[0001]本申请涉及无机材料
，具体涉及一种采用球磨法制备二氧化铈悬浮液的方法及其产品与应用。

技术介绍

[0002]化学机械抛光(Chemical
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mechanical polishing，CMP)是在化学力和机械力的作用下，对由薄膜沉积形成的非平面化表面进行整体平坦化的过程。它已广泛应用于集成电路(IC)制造的许多阶段，例如抛光层间电介质(ILD)和金属以形成器件之间的互连，以及制造浅沟隔离(STI)结构以实现隔离器件。STI CMP涉及两种材料的去除，二氧化硅(SiO2)和氮化硅(Si3N4)，其中Si3N4层位于SiO2层之下，通常需要在SiO2和Si3N4之间具有高的去除选择性。具体地说，它需要高的SiO2去除率和低的Si3N4去除率。高的去除选择性可以保证在抛光SiO2层后精确地停止在下面的Si3N4层。由于其高SiO2去除率和高去除选择性，直径为20nm至1μm的二氧化铈(CeO2)颗粒在STI CMP工艺中的应用越来越多。
[0003]CeO2本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种采用球磨法制备二氧化铈悬浮液的方法，其特征在于，包括步骤：对二氧化铈颗粒进行球磨，然后分散到水中，得到二氧化铈悬浮液；所述球磨步骤中：磨球直径为1
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10mm，磨球和磨料的质量比为2
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10：1，水和磨料的质量比为2
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32：1，球磨时间为6
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12小时。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：所述磨球直径为1
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5mm。3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：所述磨球和所述磨料的质量比为5
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10：1。4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：所述水和所述磨料的质量比为2
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4：1。5.根据权利要求1所述的方法...

【专利技术属性】
技术研发人员：谢李乐，王同庆，路新春，
申请(专利权)人：华海清科股份有限公司，
类型：发明
国别省市：