双源跟随器、缓冲电路以及模数转换器制造技术

本发明专利技术公开了一种双源跟随器、缓冲电路以及模数转换器。双源跟随器包括：第一源跟随器模块和第二源跟随器模块；第一源跟随器模块包括串联的第一电流源和第一晶体管；第二源跟随器模块包括串联的第二电流源和第二晶体管；第一晶体管与第二晶体管的晶体管类型不同；第一源跟随器模块还包括第一跟随子单元，第一跟随子单元的第一端与第一晶体管的漏极电连接，第一跟随子单元的第二端与双源跟随器的第一电源连接端电连接，第一跟随子单元的控制端与第二源跟随器模块的输出端电连接，第一跟随子单元用于根据其控制端电位调整其第一端电位。本发明专利技术能够抑制沟道长度调制效应。发明专利技术能够抑制沟道长度调制效应。发明专利技术能够抑制沟道长度调制效应。

【技术实现步骤摘要】
双源跟随器、缓冲电路以及模数转换器


[0001]本专利技术涉及源跟随器
，尤其涉及一种双源跟随器、缓冲电路以及模数转换器。

技术介绍

[0002]源跟随器常作为高速高精度模数转换模器中的输入缓冲器，常用于高速高精度模数转换器的最前端，其线性度直接限制了模数转换器整体的线性度。
[0003]然而，现有的源跟随器因为输入管沟道长度调制效应，使得现有的源跟随器线性度较差。

技术实现思路

[0004]本专利技术提供了一种双源跟随器、缓冲电路以及模数转换器，以抑制源跟随器中输入管的沟道长度调制效应。
[0005]根据本专利技术的一方面，提供了一种双源跟随器，所述双源跟随器包括：第一源跟随器模块和第二源跟随器模块；
[0006]所述第一源跟随器模块包括串联的第一电流源和第一晶体管，所述第一晶体管的栅极作为所述第一源跟随器模块的输入端，所述第一晶体管的源极作为所述第一源跟随器模块的输出端；所述第二源跟随器模块包括串联的第二电流源和第二晶体管，所述第二晶体管的栅极作为所述第二源跟随器模块的输入端，所述第二晶体管的源本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种双源跟随器，其特征在于，所述双源跟随器包括：第一源跟随器模块和第二源跟随器模块；所述第一源跟随器模块包括串联的第一电流源和第一晶体管，所述第一晶体管的栅极作为所述第一源跟随器模块的输入端，所述第一晶体管的源极作为所述第一源跟随器模块的输出端；所述第二源跟随器模块包括串联的第二电流源和第二晶体管，所述第二晶体管的栅极作为所述第二源跟随器模块的输入端，所述第二晶体管的源极作为所述第二源跟随器模块的输出端；所述第一晶体管与所述第二晶体管的晶体管类型不同；所述第一源跟随器模块还包括第一跟随子单元，所述第一跟随子单元的第一端与所述第一晶体管的漏极电连接，所述第一跟随子单元的第二端与所述双源跟随器的第一电源连接端电连接，所述第一跟随子单元的控制端与所述第二源跟随器模块的输出端电连接，所述第一跟随子单元用于根据其控制端电位调整其第一端电位。2.根据权利要求1所述的双源跟随器，其特征在于，所述第一跟随子单元包括第三晶体管，所述第三晶体管的源极作为所述第一跟随子单元的第一端，所述第三晶体管的漏极作为所述第一跟随子单元的第二端，所述第三晶体管的栅极作为所述第一跟随子单元的控制端；所述第三晶体管的类型与所述第一晶体管的类型相同。3.根据权利要求2所述的双源跟随器，其特征在于，所述第三晶体管的栅长大于所述第一晶体管的栅长。4.根据权利要求1所述的双源跟随器，其特征在于，所述第一源跟随器模块的输出端与所述第二晶体管的漏极电连接。5.根据权利要求4所述的双源跟随器，其特征在于，所述第一晶体管为P型晶体管，所述第二晶体管为N型晶体管；所述第一电流源的第一端与所述双源跟随器的第二电源连接端电连接，所述第一电流源的第二端与所述第一晶体管的源极电连接；所述第二电流源的第一端与...

【专利技术属性】
技术研发人员：江帆，周磊，武锦，
申请(专利权)人：苏州迅芯微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：