【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种微影装置，特别涉及一种微影工艺中平衡半导体晶片的方法。
技术介绍
于半导体晶片上制作集成电路运用到许多的技术，其中使用紫外线的光 学投影微影工艺是制作半导体常用的技术。投影微影技术会使用比集成电路 大数倍的光罩，电路图案经由光罩投射于半导体晶片上。图1A 1C示出了一现有SUSS曝光机的平衡机制。请参照图1A，此现 有的SUSS曝光机使用楔形误差补偿技术(wedge error compensation, WEC) 平衡晶片102，其包括设置于夹盘108上直径大体上为2mm的小球106，如 图IB所示，在晶片102设置于夹盘108上后，机台将夹盘108上升，直到 小球106接触光罩104，以平衡晶片102，并确定光罩104和晶片102是彼 此互相平行。之后，请参照图1C，夹盘108向下降并再上升一次以进行曝 光程序。然而，此种平衡晶片102的方法具有以下缺点请参照图1D，在 曝光的相关工艺中，晶片102上涂布一层光阻，当光阻不是涂布的很均匀或 有微粒110掉落在晶片102上时，此种平衡晶片102的方法会造成光阻或微 粒110沾黏在光罩104上，...
【技术保护点】
一种微影装置的平衡晶片的方法，包括： 将一晶片放置于该微影装置中，且该晶片被一夹盘支撑； 使用至少三个影像撷取组件，撷取该晶片上对应所述影像撷取组件的对准记号；及 依据所述影像撷取组件所撷取的该晶片上的对准记号的清晰度，平 衡该晶片。
【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：周世翔，邓国星，郭养国，
申请(专利权)人：采钰科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[]
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