【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
硅电容传声器，包括线路板基板和带有第一声孔的外壳形成的硅电容传声器的保护结构，其特征在于：所述保护结构内部的线路板基板表面上安装有盖子，所述线路板基板表面和所述盖子的边缘密闭结合，所述盖子上设置有第二声孔，ＭＥＭＳ声学芯片安装在所述盖子上并覆盖所述第二声孔，所述盖子还包括有凸起的垂直通道，所述垂直通道的上端设置有第三声孔，所述第三声孔和第一声孔之间通过环形的第一密封圈连通，所述线路板基板表面和所述盖子之间设有水平声音通道，所述水平声音通道连通所述垂直通道和所述第二声孔。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：谷芳辉，庞胜利，宋青林，
申请(专利权)人：歌尔声学股份有限公司，
类型：发明
国别省市：37[中国|山东]
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